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          • 本申請?zhí)峁┝艘环N數(shù)據(jù)處理方法、日志查詢方法、裝置及電子設(shè)備,涉及數(shù)據(jù)處理技術(shù)領(lǐng)域,該方法包括:首先,獲取針對數(shù)據(jù)庫的數(shù)據(jù)處理請求,并確定數(shù)據(jù)處理請求對應(yīng)的過濾節(jié)點和映射節(jié)點;然后,基于過濾節(jié)點和映射節(jié)點,生成二進(jìn)制字節(jié)碼;最后,根據(jù)二進(jìn)制字...
          • 本申請實施例涉及抬頭顯示系統(tǒng)技術(shù)領(lǐng)域,具體涉及一種顯示裝置、抬頭顯示裝置以及車輛。本申請實施例旨在解決顯示裝置投影在前擋風(fēng)玻璃上的圖像一般較小,導(dǎo)致用戶體驗差的問題。本申請實施例提供了一種顯示裝置,第一透鏡位于顯示設(shè)備和凹面鏡之間,第一透鏡...
          • 一種氣體傳感器,包括檢測部,檢測部包括電阻和熱電偶,熱電偶包括第一端和第二端,第一端相對于第二端靠近電阻,第一端和第二端之間的電勢差隨氣體濃度的變化而改變。一種氣體傳感器包括氣體檢測探頭和電路板,氣體檢測探頭與電路板電性連接;氣體檢測探頭包...
          • 本申請實施例提供一種光檢測電路、接近傳感裝置和電子設(shè)備,包括第一檢測模塊、第二檢測模塊和光接收模塊,光接收模塊用于將第一時間段接收到光線轉(zhuǎn)換為第一電流和第三電流,以及將在第二時間段接收到的光線轉(zhuǎn)換為第二電流和第四電流。第一檢測模塊用于依據(jù)第...
          • 本申請?zhí)峁┝艘环N阻尼模塊、鉸鏈機構(gòu)、折疊裝置及可折疊電子設(shè)備,阻尼模塊用于設(shè)置于鉸鏈機構(gòu)的第一結(jié)構(gòu)件與第二結(jié)構(gòu)件之間,阻尼模塊包括兩個剛性桿、以及相接于兩個剛性桿之間的彈性部件。各剛性桿設(shè)有轉(zhuǎn)動部和滑動部,各剛性桿通過轉(zhuǎn)動部轉(zhuǎn)動連接于第一結(jié)...
          • 本申請?zhí)峁┝艘环N鉸鏈機構(gòu)、折疊裝置及可折疊電子設(shè)備,鉸鏈機構(gòu)的至少一個轉(zhuǎn)軸組件包括第一結(jié)構(gòu)件、第二結(jié)構(gòu)件和阻尼模塊,阻尼模塊設(shè)置于第一結(jié)構(gòu)件與第二結(jié)構(gòu)件之間。阻尼模塊包括彈性部和限位結(jié)構(gòu),彈性部安裝于第一結(jié)構(gòu)件,并能夠產(chǎn)生彈性形變,限位結(jié)構(gòu)...
          • 本發(fā)明公開了一種耐低溫、高粘度膠帶及其制備方法,屬于膠帶技術(shù)領(lǐng)域。包括膜布以及涂布于膜布上的膠水,該膠水原料包括丁酯;丙烯酸;羥乙酯;異辛酯;甲基丙烯酸二十二烷基酯;乳化劑;潤濕劑;填料。該膠水通過引入特殊單體(即異辛酯以及甲基丙烯酸二十二...
          • 本發(fā)明屬于醫(yī)藥技術(shù)領(lǐng)域,公開了間苯三酚衍生物作為KGA酶抑制劑在治療神經(jīng)退行性疾病方面的用途。具體公開了如式I、II、III、IV所示的四類衍生物及其在藥效學(xué)上可接受的鹽,含有它們的藥物組合物及這類化合物在制備神經(jīng)退行性疾病的藥物的應(yīng)用。所...
          • 本申請?zhí)峁┮环N定位裝置及貼膜裝置,定位裝置包括基座、支撐件、兩個第一定位件、第一鎖定件、第二定位件、第二鎖定件和第三定位件。支撐件可更換地組裝于基座。兩個第一定位件沿第一方向滑動地設(shè)置于基座。第一鎖定件被配置為鎖定兩個第一定位件于基座。第二...
          • 本發(fā)明適用于醫(yī)療設(shè)備技術(shù)領(lǐng)域,提供了超聲清洗裝置、超聲清洗控制方法及分析儀,該超聲清洗裝置包括:主殼體和清洗艙,清洗艙一端設(shè)置有用于進(jìn)針的進(jìn)針口,另一端與主殼體連接,清洗艙的內(nèi)腔連通進(jìn)針口和主殼體的內(nèi)腔;主殼體上設(shè)置超聲換能器,超聲換能器的...
          • 本發(fā)明公開了一種電解鋁煙氣凈化用吸附料除渣方法,料倉中的吸附料經(jīng)料倉出料口進(jìn)入除渣裝置中,帶導(dǎo)料葉片回轉(zhuǎn)篩筒在驅(qū)動電機的驅(qū)動下進(jìn)行旋轉(zhuǎn),實現(xiàn)細(xì)顆粒吸附料和其中雜質(zhì)的分離任務(wù),細(xì)顆粒吸附料通過細(xì)孔流出,由細(xì)料出口排出至吸附料去向輸送帶,而雜質(zhì)...
          • 本申請公開霧化器自適應(yīng)控制方法、芯片及電子霧化裝置,霧化器自適應(yīng)控制方法包括,控制器啟動霧化器后,控制器控制氣壓傳感器按照預(yù)設(shè)目標(biāo)周期檢測電子霧化裝置的氣壓差,并通過溫度傳感器檢測霧化器的溫度;檢測到氣壓差處于預(yù)設(shè)氣壓閾值范圍內(nèi)且檢測到霧化...
          • 本發(fā)明公開了一種沙棘番茄片以及制備方法和應(yīng)用,沙棘番茄片由以下重量百分比的原料組成:山梨糖醇37%?47%,沙棘粉19%?30%,番茄粉14%?20%,微晶纖維素8%?17%,復(fù)配營養(yǎng)強化劑6%?10%,麥芽糊精5%?10%和硬脂酸鎂1%?...
          • 本發(fā)明公開了一種電池片制備方法及電池片,其中,電池片制備方法包括以下步驟:在電池片基底的第一面上形成種子層;在所述種子層上形成掩膜層,所述掩膜層上具有連通種子層的掩膜開口;在所述電池片基底的第二面上形成第一保護層;在所述掩膜開口中電鍍形成金...
          • 本發(fā)明涉及一種SOI ESD保護器件及其制造方法,所述器件包括:底部半導(dǎo)體層,具有P型摻雜;掩埋介質(zhì)層,位于所述底部半導(dǎo)體層上;導(dǎo)電結(jié)構(gòu),位于所述底部半導(dǎo)體層上,所述導(dǎo)電結(jié)構(gòu)的底部與所述底部半導(dǎo)體層電性連接;P型區(qū),位于所述掩埋介質(zhì)層上,與...
          • 本發(fā)明涉及一種雙向ESD保護器件及其制造方法,所述器件包括:P型襯底;N型埋層,部分所述P型襯底位于所述N型埋層下方;第一P型區(qū),位于所述N型埋層上;P型埋層,部分所述P型襯底位于所述P型埋層下方;第二P型區(qū),位于所述P型埋層上;第一絕緣隔...
          • 本發(fā)明涉及一種ESD保護器件及其制造方法,所述器件包括:P型襯底;N型區(qū),至少部分所述P型襯底位于所述N型區(qū)下方;P型區(qū),位于所述N型區(qū)上;絕緣隔離結(jié)構(gòu),位于所述N型區(qū)的側(cè)面和所述P型區(qū)的側(cè)面,且所述絕緣隔離結(jié)構(gòu)的底部深度比所述N型區(qū)的底部...
          • 本發(fā)明涉及一種ESD保護器件及其制造方法,所述器件包括:P型襯底;第一絕緣隔離結(jié)構(gòu);第一P型區(qū),第一絕緣隔離結(jié)構(gòu)位于第一P型區(qū)的側(cè)面;N型區(qū),包括位于第一P型區(qū)的底部的下層,和位于下層上的上層,至少部分P型襯底位于下層的下方;導(dǎo)電結(jié)構(gòu),至少...
          • 本申請?zhí)峁┮环N半導(dǎo)體結(jié)構(gòu)及其形成方法,所述半導(dǎo)體結(jié)構(gòu)包括:半導(dǎo)體襯底,所述半導(dǎo)體襯底包括第一區(qū)域和第二區(qū)域,所述第一區(qū)域和第二區(qū)域的半導(dǎo)體襯底表面都形成有柵極結(jié)構(gòu);源極溝槽和漏極溝槽,分別位于所述第一區(qū)域和第二區(qū)域的柵極結(jié)構(gòu)兩側(cè)的半導(dǎo)體襯底...
          • 半導(dǎo)體裝置包含基板、源極溝槽結(jié)構(gòu)、柵極溝槽結(jié)構(gòu)與漏極電極。源極溝槽結(jié)構(gòu)在基板中。柵極溝槽結(jié)構(gòu)在基板中,柵極溝槽結(jié)構(gòu)的底面高于源極溝槽結(jié)構(gòu)的底面,其中柵極溝槽結(jié)構(gòu)圍繞源極溝槽結(jié)構(gòu)且界定裝置單元,其中源極溝槽結(jié)構(gòu)在沿既定方向的第一投影面積占裝置...
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