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								      本申請?zhí)峁┮环N半導體結(jié)構及其形成方法，所述半導體結(jié)構包括：半導體襯底，所述半導體襯底包括第一區(qū)域和第二區(qū)域，所述第一區(qū)域和第二區(qū)域的半導體襯底表面都形成有柵極結(jié)構；源極溝槽和漏極溝槽，分別位于所述第一區(qū)域和第二區(qū)域的柵極結(jié)構兩側(cè)的半導體襯底...
								
            
							
            
							
						
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								      半導體裝置包含基板、源極溝槽結(jié)構、柵極溝槽結(jié)構與漏極電極。源極溝槽結(jié)構在基板中。柵極溝槽結(jié)構在基板中，柵極溝槽結(jié)構的底面高于源極溝槽結(jié)構的底面，其中柵極溝槽結(jié)構圍繞源極溝槽結(jié)構且界定裝置單元，其中源極溝槽結(jié)構在沿既定方向的第一投影面積占裝置...
								
            
							
            
							
						
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								      一種馬達定子結(jié)線結(jié)構，包含多個銅排端子、一環(huán)形絕緣夾持座以及三相及接地的多個漆包銅線。該些銅排端子環(huán)形間隔的排列，且每一該銅排端子具有一L型末端焊接部。環(huán)形絕緣夾持座是包覆注塑形成以固定該些銅排端子。三相及接地的多個漆包銅線，焊接于該些銅排...
								
            
							
            
							
						
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								      本發(fā)明提供用于車輛的提供問候的方法和設備及相應的車輛、計算機設備和存儲介質(zhì)。該方法包括：獲取步驟：響應于檢測到問候觸發(fā)事件，獲取用于生成問候的問候相關信息，所述問候相關信息包括與所述車輛的用戶的狀態(tài)相關的用戶狀態(tài)相關信息；生成步驟：基于所述...
								
            
							
            
							
						
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								      本專利涉及一種薄荷檸檬漿水飲料的生產(chǎn)方法，通過工業(yè)化流程實現(xiàn)高效、衛(wèi)生安全、品質(zhì)穩(wěn)定性的生產(chǎn)。具體步驟包括：將薄荷葉、檸檬等原料進行榨汁并攪拌均勻、通過高壓均質(zhì)和板框壓濾機過濾得到澄清液體、添加果蜜和水調(diào)整口感、高溫高壓殺菌、冷卻后通過無菌...
								
            
							
            
							
						
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								      一種粘合劑組合物，其是用于粘貼光學構件的粘合劑組合物，含有(甲基)丙烯酸系聚合物(A)和光引發(fā)劑(B)，前述光引發(fā)劑(B)包含光引發(fā)劑(b1)，所述光引發(fā)劑(b1)為分子內(nèi)包含具有碳?碳雙鍵的自由基聚合性官能團和自由基產(chǎn)生基團的化合物，且4...
								
            
							
            
							
						
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								      本申請涉及功率放大器技術領域，提供一種功率放大器、功率放大器鏈路、射頻前端電路及電子設備，能夠解決相關技術中的功率放大器的穩(wěn)定性較差，容易產(chǎn)生自激現(xiàn)象的問題。該功率放大器，包括襯底層、設置于襯底層上的異質(zhì)結(jié)構層，以及設置于異質(zhì)結(jié)構層上的柵極...
								
            
							
            
							
						
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								      本發(fā)明涉及多功能器件邏輯電路的研發(fā)與應用領域，具體為一種基于多功能熱發(fā)射極晶體管的多值邏輯電路及構筑方法。該電路由三個平行的多功能熱發(fā)射極晶體管并聯(lián)組成，自上而下包括頂部具有間隙的石墨烯溝道、氧化鉿絕緣層和鍺襯底，以及位于石墨烯溝道兩側(cè)且與...
								
            
							
            
							
						
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								      本申請涉及一種會話數(shù)據(jù)搜索方法、裝置、計算機設備和存儲介質(zhì)。所述方法包括：顯示通信應用的會話界面，響應于在會話界面觸發(fā)的會話記錄查看操作，顯示會話記錄顯示區(qū)域，在會話記錄顯示區(qū)域中顯示與會話界面中顯示的會話消息相關的至少一個會話消息融合卡片...
								
            
							
            
							
						
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								      本申請涉及自動化測試領域，尤其涉及一種系統(tǒng)測試方法及相關裝置，該方法為：首先，后端設備接收前端設備發(fā)送的待測試數(shù)據(jù)，其中，待測試數(shù)據(jù)是前端設備基于預設的測試腳本運行待測試系統(tǒng)后獲得的；然后，分別將至少一個待測試字段和相應的參考字段進行匹配，...
								
            
							
            
							
						
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								      本發(fā)明公開了一種農(nóng)作物葉面噴劑，按重量百分比由以下組分組成：十二醇18%—24%、十六醇9%—12%、乳化劑0.6%—0.9%、正丁醇0.36%—0.48%、調(diào)節(jié)劑2.3%—2.7%、水48%—60%；本發(fā)明還提供了一種農(nóng)作物葉面噴劑的制備...
								
            
							
            
							
						
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								      一種嵌入式隱形眼鏡，其包括鏡片主體，該鏡片本體具有前表面和相對的后表面。該鏡片主體由本體水凝膠材料和嵌入該本體水凝膠材料中的圓形插入物構成，且包括在該鏡片主體的該前表面或該后表面上的環(huán)形掩模。該圓形插入物包括周邊邊緣。該環(huán)形掩模和該插入物兩...
								
            
							
            
							
						
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								      本申請?zhí)峁┌雽w結(jié)構及其形成方法，所述半導體結(jié)構包括：半導體襯底，所述半導體襯底包括第一區(qū)域、第二區(qū)域和第三區(qū)域，所述第一區(qū)域、第二區(qū)域和第三區(qū)域之間的半導體襯底中形成有溝槽，所述溝槽底部和側(cè)壁以及所述半導體襯底表面依次形成有填滿所述溝槽的...
								
            
							
            
							
						
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								      本申請公開了一種量子設備、量子器件、約瑟夫森結(jié)及其制造方法，屬于量子計算技術領域。約瑟夫森結(jié)包括第一超導層、第二超導層、以及在二者重疊處的勢壘層。其中第一超導層具有第一線寬，第二超導層具有第二線寬。并且約瑟夫森結(jié)定義有由所述重疊處確定的結(jié)線...
								
            
							
            
							
						
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								      本發(fā)明公開了一種陣列基板的制作方法、陣列基板和顯示面板。該陣列基板的制作方法包括：在基板上形成陽極層；陽極層包括至少一個陽極；對至少一個陽極進行混合氣體的等離子體表面預處理；對至少一個陽極進行單種氣體的等離子體表面處理；在基板上形成像素定義...
								
            
							
            
							
						
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								      本發(fā)明屬于顯示面板技術領域，公開了雙面顯示屏及其制造方法。雙面顯示屏包括第一光源組件和第二光源組件。其中，第一光源組件包括第一基板和第一發(fā)光結(jié)構，第一基板上設置有綁定線路，綁定線路和第一發(fā)光結(jié)構電連接。第二光源組件包括第二基板和第二發(fā)光結(jié)構...
								
            
							
            
							
						
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								      本發(fā)明公開了一種垂直轉(zhuǎn)移晶體管及其實現(xiàn)方法、圖像傳感器，垂直轉(zhuǎn)移晶體管包括環(huán)形柵極，環(huán)形柵極包括位于半導體襯底的第一表面上呈環(huán)形的第一部分，以及自第一表面延伸到半導體襯底中的第二部分；其中，環(huán)形柵極限定出的環(huán)形內(nèi)部區(qū)域用于在半導體襯底中對應...
								
            
							
            
							
						
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								      本申請?zhí)峁┮环N驅(qū)動背板及其制備方法、顯示面板，驅(qū)動背板包括柔性襯底以及設置于柔性襯底一側(cè)的驅(qū)動電路層，柔性襯底內(nèi)具有多個空洞，空洞由通過向形成柔性襯底的柔性材料中注入氣體形成；本申請通過在柔性襯底上設置空洞可以釋放彎折應力，進而減小彎折應力...
								
            
							
            
							
						
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								      本發(fā)明提供一種半導體器件及其制作方法。所述半導體器件中，PMOS晶體管的第一多晶硅柵極具有P型摻雜，而NMOS晶體管的第二多晶硅柵極具有N型摻雜，并且，所述第一多晶硅柵極和所述第二多晶硅柵極不是直接相連，而是通過共用導電插塞連接，相對于現(xiàn)有...
								
            
							
            
							
						
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								      本申請?zhí)峁┝艘环N半導體器件及其制備方法、電子設備。該半導體器件的制備方法包括：提供一具有功能器件的基底，基底暴露出功能器件的功能部，功能部的材料為半導體材料；接著，形成擴散層，使得擴散層覆蓋暴露出的功能部，擴散層的材料為摻雜的半導體材料；接...
								
            
							
            
							
						
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