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          電解或電泳工藝的制造及其應(yīng)用技術(shù)
          • 本發(fā)明公開了一種改善銅電鍍空洞缺陷的管控方法,包括在采用試驗(yàn)晶圓以縱向入水方式進(jìn)入鍍液的過程中,當(dāng)恒定電勢(shì)階段完成后,進(jìn)行逐漸縮短恒定電流階段的設(shè)定時(shí)間的試驗(yàn),獲取試驗(yàn)晶圓先入水的一側(cè)上不發(fā)生銅電鍍空洞缺陷時(shí)對(duì)應(yīng)的恒定電流階段的極限時(shí)間,作...
          • 本實(shí)用新型涉及實(shí)驗(yàn)裝置技術(shù)領(lǐng)域,具體為一種析氧反應(yīng)實(shí)驗(yàn)裝置,包括:反應(yīng)裝置,反應(yīng)裝置包括反應(yīng)箱,反應(yīng)箱底部設(shè)有若干光學(xué)檢測(cè)裝置,反應(yīng)箱頂部設(shè)有頂蓋,頂蓋上設(shè)有若干插入套筒,插入套筒中部設(shè)有電極組件,插入套筒底部外側(cè)設(shè)有氣體收集裝置。本實(shí)用新...
          • 本發(fā)明涉及電催化領(lǐng)域,具體公開了自支撐含鐵羥基氧化物有機(jī)框架電極及其制備方法與應(yīng)用;本發(fā)明通過在鐵和伴生金屬中形成雙齒羧基配位,構(gòu)建Fe?O/M?O協(xié)同配位環(huán)境,相比傳統(tǒng)單齒配位結(jié)構(gòu),該設(shè)計(jì)顯著增強(qiáng)金屬活性位點(diǎn)的電子自旋態(tài)調(diào)控能力,優(yōu)化電催...
          • 本發(fā)明公開了一種電鍍金剛石線立式上砂生產(chǎn)用的導(dǎo)液結(jié)構(gòu),包括胚線、上砂筒、導(dǎo)液塞頭和導(dǎo)輪,導(dǎo)液塞頭安裝在上砂筒的底部,導(dǎo)輪設(shè)置在導(dǎo)液塞頭的下方,胚線繞經(jīng)導(dǎo)輪后豎直穿過導(dǎo)液塞頭并進(jìn)入上砂筒;導(dǎo)液塞頭下端的進(jìn)口處設(shè)置有斜孔導(dǎo)流塞,斜孔導(dǎo)流塞內(nèi)部設(shè)...
          • 本發(fā)明屬于電極材料技術(shù)領(lǐng)域,提供了一種鈦基鉑?鎳電極材料及其制備方法和應(yīng)用。該方法包含下列步驟:將鈦片在氟化銨溶液中順次進(jìn)行第一陽極氧化和第二陽極氧化,得到氧化后的鈦片;將氧化后的鈦片進(jìn)行煅燒,得到含有二氧化鈦層的鈦片;將含有二氧化鈦層的鈦...
          • 本發(fā)明的釩電解液電解系統(tǒng),包括:主電解部,主電解部包括主電解電源和主電解電堆;保護(hù)電解部,保護(hù)電解部包括保護(hù)電解電源和保護(hù)電解電堆;儲(chǔ)液部,儲(chǔ)液部包括正極液儲(chǔ)罐和負(fù)極液儲(chǔ)罐;其中,正極液儲(chǔ)罐的出口、第一管路、主正極液進(jìn)入通道、主正極液排出通...
          • 本發(fā)明涉及一種電化學(xué)合成亞甲基醌類化合物的方法,由醛基取代的環(huán)A化合物、酚衍生物和仲胺在電解條件下反應(yīng)。本發(fā)明采用一鍋法電化學(xué)氧化合成亞甲基醌類化合物,產(chǎn)率可觀,操作簡(jiǎn)單,生產(chǎn)成本低,綠色環(huán)保,是環(huán)境友好型的合成路線,有望實(shí)現(xiàn)大規(guī)模工業(yè)化生...
          • 本申請(qǐng)涉及制氫技術(shù)領(lǐng)域,尤其涉及一種擴(kuò)散層、膜電極組件及制氫裝置。擴(kuò)散層包括擴(kuò)散本體和包覆件,擴(kuò)散本體具有中間區(qū)域和設(shè)置在中間區(qū)域外周的邊緣區(qū)域,沿所述擴(kuò)散層的厚度方向,包覆件至少包覆擴(kuò)散本體的一側(cè)的邊緣區(qū)域。其中,擴(kuò)散本體至少一側(cè)的邊緣區(qū)...
          • 本發(fā)明公開了一種鋯摻雜的鎳硫化物自支撐電極材料及其制備方法和應(yīng)用,方法包括如下步驟:步驟1、取0.5~3mmol五水合硝酸鋯和1.5~9mmol硫代乙酰胺加入裝有20mL無水乙醇的燒杯中,攪拌均勻后,得到混合溶液A;步驟2、先將混合溶液A逐...
          • 本發(fā)明公開了一種基于電解槽動(dòng)態(tài)響應(yīng)建模的預(yù)測(cè)控制方法,屬于電力電子技術(shù)領(lǐng)域,包括:構(gòu)建電解槽等效電路拓?fù)洌㈦娊獠鄣刃щ妷耗P停?jì)算電解槽的預(yù)測(cè)電壓;對(duì)電解槽輸入電流、輸入電壓、溫度和電流密度進(jìn)行采樣,采樣后計(jì)算得到電解槽工作電壓與電解槽...
          • 本發(fā)明提供了三維結(jié)構(gòu)NiCoP/CoMoO4復(fù)合材料納米棒及其制備方法和應(yīng)用,先將鈷源和鉬源混合在水中,加入泡沫鎳,水熱反應(yīng),得到鉬酸鈷;通過堿蝕刻和離子交換得到NiCo(OH)2/CoMoO
          • 本申請(qǐng)公開了一種高頻高速覆銅板用銅箔及其制作方法,其中,所述高頻高速覆銅板用銅箔的制作方法包括利用電解液在陰極輥表面電鍍生成原箔;對(duì)所述原箔進(jìn)行酸洗;將酸洗后的所述原箔進(jìn)行表面處理;利用堿性電解液對(duì)表面處理后的所述原箔進(jìn)行鈍化處理;在鈍化處...
          • 一種Bi2O3?Bi2S3異質(zhì)催化材料及其制備方法和在電催化CO2還原電極中的應(yīng)用。本發(fā)明屬于電催化劑領(lǐng)域。本發(fā)明解決了Bi系材料...
          • 本發(fā)明公開了一種適用于電解水制氫系統(tǒng)壓差液位的自動(dòng)調(diào)零排液裝置,包括連接于電解水制氫系統(tǒng)上的引壓管采樣模塊,連接于引壓管采樣模塊的控制模塊和傳感器模塊,控制模塊和傳感器模塊相連接;所述引壓管采樣模塊用于控制電解水制氫系統(tǒng)中排液管路的開啟或關(guān)...
          • 本發(fā)明提供了阿比特龍及其衍生物的電化學(xué)制備方法,具體涉及步驟:在溶劑中,在金屬催化劑、配體和電解質(zhì)存在下,在恒電流的作用下,17?羥基酯雄甾?5,16?雙烯?3β?羥基(酯)與3?鹵代吡啶反應(yīng)生成阿比特龍衍生物。本發(fā)明的電化學(xué)制備方法成本低...
          • 一種用于在附接至支撐件的高縱橫比分子結(jié)構(gòu)(HARM結(jié)構(gòu))膜上生產(chǎn)金屬基涂層的方法,其中方法包含:設(shè)置包含附接至支撐件的HARM結(jié)構(gòu)膜的電極,其中支撐件具有集電器;使電極在金屬配合物及/或其鹽的水性沉積浴中進(jìn)行電沉積工藝,其中電沉積工藝包含:...
          • 本發(fā)明公開一種噻吩、炔基功能化聚合物基光電極、制備方法和應(yīng)用,屬于光電化學(xué)制備過氧化氫技術(shù)領(lǐng)域;一種噻吩、炔基功能化聚合物基光電極的制備方法包括:將噻吩、炔基功能化聚合物溶解于電解液溶液中,得到電聚合前驅(qū)液;在三電極體系中,將導(dǎo)電基底浸入電...
          • 本發(fā)明公開了一種內(nèi)窺鏡頭部電鍍防銹方法,包括:S1、將內(nèi)窺鏡頭部的待鍍表面上光纖區(qū)域進(jìn)行遮蔽處理,遮蔽處理為將待鍍表面涂抹感光油墨后依次進(jìn)行高溫烘烤、靜置、曝光、顯影和回溫;S2、對(duì)遮蔽處理后的待鍍表面進(jìn)行復(fù)合電鍍,復(fù)合電鍍?yōu)橐来芜M(jìn)行中性除...
          • 本發(fā)明公開了一種電化學(xué)合成菲啶酮和螺環(huán)羥吲哚化合物的方法,利用各種碘取代的苯甲酰胺在高效、環(huán)保的電化學(xué)條件下脫碘環(huán)化,選擇性地合成了14個(gè)菲啶酮化合物和10個(gè)螺環(huán)羥吲哚化合物。該方法具有原子經(jīng)濟(jì)性高、不需要額外的還原劑、良好的官能團(tuán)耐受性等...
          • 本實(shí)用新型公開了一種具有防爆功能的循環(huán)水電化學(xué)設(shè)備,其涉及電化學(xué)設(shè)備技術(shù)領(lǐng)域,包括箱體、箱門、蓋板、外部直流電源、外部循環(huán)泵和外部控制系統(tǒng),所述箱體底部側(cè)壁設(shè)置有進(jìn)水管,頂部設(shè)置有出水管,通過外部循環(huán)泵從進(jìn)水管進(jìn)水、出水管出水為箱體提供循環(huán)...
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