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								      本申請是關于一種方向圖可重構的天線，涉及天線技術領域。該天線包括：天線單元以及饋電網絡；天線單元位于饋電網絡的上層且與饋電網絡級聯，包括主輻射天線，第一類寄生天線組以及第二類寄生天線組；第一類寄生天線組中的第一類寄生天線沿x軸分布在主輻射天...
								
            
							
            
							
						
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								      本申請涉及無線通信技術領域，具體涉及一種天線組件及通信設備。本申請旨在簡化連接天線的線路，安裝和制作。本申請實施例提供一種天線組件，包括第一天線和第二天線，第一天線包括第一金屬層、第二金屬層及第一饋電結構，傳播第一信號并產生了磁流；第二天線...
								
            
							
            
							
						
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								      本發明屬于電化學儲能技術領域，具體涉及一種形狀記憶聚合物增強復合隔膜及其制備方法與應用。所述復合隔膜包括隔膜基底和負載于所述隔膜基底一側表面的形狀記憶聚合物涂層，涂層的厚度為1～15μm；所述形狀記憶聚合物的玻璃化轉變溫度為70～130℃。...
								
            
							
            
							
						
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								      本申請提供一種鋰離子電池電解液、鋰離子電池及用電裝置，鋰離子電池電解液包括：有機溶劑、鋰鹽電解質、高溫改善添加劑及循環改善添加劑；其中，高溫改善添加劑在鋰離子電池電解液中的質量分數為0.1wt％～5wt％，高溫改善添加劑包括聯二硫酸乙烯酯、...
								
            
							
            
							
						
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								      本發明涉及涂碳鋁箔漿料技術領域，公開了一種鋰電池用涂碳鋁箔漿料的制備方法；包括以下制備步驟：將聚乙烯醇加入去離子水中攪拌溶解分散，加熱至80?100℃反應0.5?3h；降溫至75?80℃，加入引發劑，攪拌均勻，加入丙烯酸單體，保溫反應2?2...
								
            
							
            
							
						
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								      本發明涉及電池正極材料技術領域，尤其涉及一種鈮摻雜正極材料及其制備方法和應用。所述鈮摻雜正極材料為LiFexNb1?x?yMnyPO4，其中，0.001...
								
            
							
            
							
						
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								      本發明涉及一種石墨負極材料及其制備方法、電池、電池包和用電裝置。一種石墨負極材料，其包括石墨和石墨表面的包覆層，所述包覆層包括纖維狀分子和親水性高分子；所述親水性高分子是將親水性高分子前驅體進行原位聚合包裹在石墨表面。本發明能提高負極極片上...
								
            
							
            
							
						
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								      本發明公開了一種含磷含碲富鋰錳基正極材料及其制備方法和應用。所述含磷含碲富鋰錳基正極材料的化學式為Li1+δMnaNibCocTex
							
            
							
						
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								      本發明提供一種復合正極補鋰材料及其制備方法和應用，所述復合正極補鋰材料包括內核，以及包覆在所述內核表面的修飾層；所述內核為富鋰材料，所述修飾層的材料包括草酸鋰，所述修飾層的原材料包括氣化草酸。本發明通過借助包含氣化草酸的原材料與富鋰材料表面...
								
            
							
            
							
						
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								      一種電池負極極片結構及其制造方法與電池結構，電池負極極片結構包括銅箔基板、負極親鋰層以及鋰金屬層。銅箔基板具有4微米至10微米的厚度。負極親鋰層設置于銅箔基板的上表面，并具有0.1微米至0.5微米的厚度，其中負極親鋰層包括多條納米銀線。鋰金...
								
            
							
            
							
						
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								      本申請實施例公開了一種芯片封裝結構、芯片封裝方法及存儲系統，芯片封裝結構包括封裝基板、第一芯片組和第二芯片組，封裝基板包括底板和支撐部，底板包括安裝面，支撐部凸設于安裝面；第一芯片組設于安裝面，第一芯片組包括沿遠離底板的方向依次堆疊成臺階結...
								
            
							
            
							
						
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								      本發明提供一種半導體處理裝置，包括第一腔體、第二腔體和升降裝置，所述升降裝置包括氣缸和托盤，所述氣缸設置于所述第二腔體內部的容納空間內，所述氣缸的伸縮桿穿過所述連接通道向外伸出所述第二腔體，所述托盤的頂部可拆卸的設置有晶圓承載件，所述晶圓承...
								
            
							
            
							
						
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								      本申請提供一種可調節光吸收率和透光率的固晶裝置及方法。該裝置包括一第一固晶頭、一第二固晶頭、多個第一光柵及多個第二光柵。第一固晶頭可透光。第二固晶頭設置于第一固晶頭的下方，并且可透光。該多個第一光柵設置于第一固晶頭的底部并且彼此之間形成多個...
								
            
							
            
							
						
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								      本發明涉及一種基于空間光調控技術提高二次諧波表征精度的方法及系統，方法包括在SHG測量平臺的入射光路中增加空間光調制器，對入射光束的傾斜相差進行校正；在SHG測量平臺的探測光路中增加光路調整器，對探測光束進行多維度路徑調整；根據SHG測量平...
								
            
							
            
							
						
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								      一種高密度端子模塊的制法，其包含：在一暫態襯底上涂布一層膠體，該暫態襯底具有多個承載區；在該層膠體上形成一端子結構，該端子結構具有一絕緣基材及分布在該絕緣基材中的多組柱狀導體，該些組柱狀導體對應豎立于該些承載區上方且皆是以一預定圖案分布在該...
								
            
							
            
							
						
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								      公開了基于芯片背面晶圓鍵合的半導體封裝結構。本公開涉及半導體封裝結構及其制作方法。一種示例性方法包括：提供第一半導體結構、第二半導體結構以及載體結構。該方法還包括：將第一半導體結構和第二半導體結構鍵合到載體結構的表面，其中，第一半導體結構和...
								
            
							
            
							
						
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								      一種半導體結構的形成方法和光電探測器，所述形成方法包括：提供襯底；在襯底上形成氧化層；對氧化層進行第一刻蝕，在氧化層內形成第一開口，第一開口暴露出襯底的部分表面；對第一開口暴露出的襯底的部分表面進行第二刻蝕，在襯底內形成第二開口，其中，第二...
								
            
							
            
							
						
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								      本發明提供了一種半導體器件的工藝方法和半導體器件，所述半導體器件的工藝方法，包括以下步驟：采用解耦等離子體工藝對硅襯底進行等離子處理，以使所述硅襯底朝向于等離子噴射方向的至少部分表面形成預處理層；采用氧化工藝對所述硅襯底的表面進行氧化處理，...
								
            
							
            
							
						
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								      本發明公開了一種帶切換機構的接觸器,包括磁路組件、動觸組件、切換機構與屏蔽殼，磁路組件包括線圈架與并聯的啟動線圈、保持線圈，線圈架內部開設有中心孔，中心孔內安裝有定鐵芯，動觸組件包括貫穿設置在線圈架的中心孔內的活動推桿、動鐵芯與動觸橋，活動...
								
            
							
            
							
						
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								      本發明涉及開關電器技術領域，具體是一種磁保持電磁系統及繼電器，包括定鐵芯組件、動鐵芯組件以及線圈組件，所述定鐵芯組件包括定鐵芯和連接于所述定鐵芯的永磁體，所述動鐵芯組件配置為在所述線圈組件的通電作用下磁化而與所述定鐵芯組件吸合或者分斷并在所...
								
            
							
            
							
						
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