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          • 本申請提供了一種書籍文本處理和顯示方法及相關裝置。本申請實施例可應用于人工智能領域。其方法包括:獲取目標書籍的文本數據;通過第一文本處理模型對文本數據進行文本分析,得到多個閱讀主題,閱讀主題對應文本數據中的部分文本內容;響應于對第一主題的選...
          • 本申請涉及一種回復內容的生成方法、裝置、存儲介質以及電子設備。該方法包括:在獲取到目標問題的情況下,確定目標問題所屬于的多個分類中的目標分類,其中,目標問題為自然語言的問題;將目標問題轉化為目標向量;將目標向量與向量數據庫中屬于目標分類下的...
          • 本發明提出了一種考慮語義內容、社交關系和文本多方面屬性的社交媒體文本摘要方法,包括以下步驟:(1)構建社交關系圖和語義關系圖的多關系圖;(2)引入了多流編碼器,旨在挖掘帖子間的社交與語義聯系,通過整合這些信息來解決帖子信息缺失問題;(3)在...
          • 本申請提供一種信息處理方法、摘要生成方法、設備及存儲介質,其中方法包括:獲取輸入信息,所述輸入信息包括用戶輸入的任務信息以及待處理的文檔集合,其中,所述任務信息至少用于指示生成所述文檔集合對應的關鍵信息;根據所述輸入信息和所述用戶的歷史信息...
          • 本發明公開了一種芯片的阱邊界效應優化方法、裝置及電子設備,針對原始芯片版圖中的每個阱執行,根據阱中N阱、高壓標記層及原始襯底層的存在狀態,確定阱的阱類型;確定預設范圍內不存在除該阱類型之外的其他阱類型的相關層,且,不存在與該阱類型對應的目標...
          • 本申請提供了一種部分屏蔽半導體器件及其形成方法。所述方法包括:提供半導體封裝件;分配墨水組合物以在所述半導體封裝件的表面上形成阻擋結構,所述阻擋結構將所述半導體封裝件的表面劃分為至少第一部分和第二部分;將包括金屬前體的流體分配到所述半導體封...
          • 本公開是關于一種中框組件及電子設備,所述中框組件包括:框體,所述框體包括相對的第一邊和第二邊;多個天線,所述多個天線的至少一部分分別設置于所述第一邊和所述第二邊,所述多個天線輻射和/或接收第一頻段信號,其中,所述多個天線環繞所述框體設置以使...
          • 本申請的實施例提供了一種網絡故障診斷方法、裝置、計算機可讀介質及電子設備,該方法包括:在獲取到網絡通信流量信息之后,確定與網絡通信流量信息匹配的網絡通信場景信息,并根據網絡通信流量信息和網絡通信場景信息確定目標網元設備的地址信息;確定各目標...
          • 本申請涉及一種流量鏡像的處理方法、裝置、計算機設備、存儲介質和計算機程序產品。該方法可以應用于云計算技術領域,該方法包括:獲取與流量鏡像任務相關的地址集合,遍歷地址集合中的各地址,從當前遍歷至的地址所指向的端側獲取實時流量;若當前遍歷至的地...
          • 本實施例提供了集群接口板卡、業務轉發設備、業務轉發方法及集群系統,該集群接口板卡包括轉發交換芯片、多個第一串行解串器接口和多個第二串行解串器接口。轉發交換芯片分別與多個第一串行解串器接口和多個第二串行解串器接口連接。多個第一串行解串器接口用...
          • 本公開提供了一種請求響應方法、裝置、設備及存儲介質,涉及計算機技術領域。該方法包括:響應于接收到的由目標客戶端發送的服務請求,獲取目標客戶端的標識和服務內容信息;根據目標客戶端的標識,查詢到目標服務節點的服務接口,其中,目標服務節點表征與目...
          • 本公開是關于一種攝像方法、攝像裝置、電子設備及存儲介質。攝像方法包括:響應于接收到進行攝像的指令,獲取相機中棱鏡的當前旋轉角度信息,并獲取初始成像數據,所述初始成像數據為原始圖像信號經過圖像信號處理后得到的圖像數據。根據所述當前旋轉角度信息...
          • 本申請公開了一種網絡性能監測方法、裝置、核心網設備、存儲介質及計算機程序產品,其中,方法包括:屬于終端的HPLMN的第一核心網設備在終端通過衛星接入VPLMN的情況下,接收VPLMN的第二核心網設備上報的所述VPLMN相關的網絡性能監測數據...
          • 本申請實施例提供了一種算力引擎容災節能方法、通信設備、存儲介質和程序產品,包括:獲取主用引擎節點的節點狀態、所開通的目標特性服務和服務終端數量;根據目標特性服務確定主用引擎節點中的第一目標服務組件;根據節點狀態和服務終端數量控制第一目標服務...
          • 本發明提供一種半導體器件的制造方法,先對有源區進行預非晶化注入以破壞有源區表面晶格并增強后續表面處理效果,再將有源區邊界處的器件隔離結構的頂角進行刻蝕去除以暴露出有源區的邊界頂角表面(包括頂角的頂面及側壁),之后在低于100℃的含氧氛圍中對...
          • 一種氮化鎵高電子遷移率晶體管及其制造方法,氮化鎵高電子遷移率晶體管包含晶體管結構、散熱結構及導電結構。晶體管結構包括復合半導體層及電極單元。復合半導體層具有氮化鎵層部。散熱結構包括散熱絕緣層及設置于散熱絕緣層遠離復合半導體層的一側面的散熱金...
          • 本申請公開了一種半導體結構、制備方法及電子裝置,包括基底、介質層、柵極層、第一隔離層和第一隔離結構,所述介質層位于所述基底與所述柵極層之間,所述第一隔離層位于所述柵極層上;所述基底上具有多個鰭式結構,所述鰭式結構穿過所述介質層延伸至所述柵極...
          • 本申請實施例提供了一種MIS柵極結構器件、芯片及相關設備,其中,該MIS柵極結構器件包括:襯底、襯底上的柵介質層、源極、漏極和柵極;其中,柵介質層、源極和漏極均設置在襯底表面上,且柵介質層設置于源極和漏極之間;在柵介質層遠離襯底一側層疊有柵...
          • 本公開實施例提供了一種陣列基板,屬于顯示技術領域。陣列基板具有顯示區和周邊區,周邊區包括第一綁定區。陣列基板包括依次層疊的襯底基板、驅動電路層、第一電極層、絕緣層和第二電極層。驅動電路層包括位于周邊區的多根信號走線,第二電極層包括位于第一綁...
          • 本發明涉及一種多晶硅薄膜及其制備方法和應用。該多晶硅薄膜的制備方法包括如下步驟:在基底上制備非晶硅層,制備中間體;在氧氣、水蒸氣以及溫度為400℃條件下,對中間體進行第一退火處理,制備中間體I;在氧氣、水蒸氣以及溫度為400℃~550℃條件...
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