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								      本申請(qǐng)涉及一種正極活性材料及制備方法、正極極片、電池和用電裝置，所述正極活性材料包括通式為L(zhǎng)iaLxNibCocMndM...
								
            
							
            
							
						
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								      本申請(qǐng)公開了一種負(fù)極活性材料、負(fù)極極片、二次電池及用電裝置，所述負(fù)極活性材料包括第一碳基材料以及第二碳基材料，其中，所述第一碳基材料包括再生石墨，所述第二碳基材料包括人造石墨二次顆粒，所述再生石墨在所述負(fù)極活性材料的質(zhì)量占比大于等于30％。...
								
            
							
            
							
						
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								      本發(fā)明涉及鋰離子電池領(lǐng)域，具體涉及一種過渡金屬離子大幅提高基于二維MnPS3負(fù)極儲(chǔ)鋰性能的方法。MnPS3二維薄片通過剝離其層狀前驅(qū)體獲得，將MnPS3二維薄片構(gòu)筑為宏觀電極...
								
            
							
            
							
						
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								      本申請(qǐng)公開了一種負(fù)極片、電池及用電裝置。所述負(fù)極片包括負(fù)極集流體以及位于所述負(fù)極集流體的至少一側(cè)的負(fù)極膜層，其中，所述負(fù)極膜層包括第一負(fù)極膜層和第二負(fù)極膜層，所述第二負(fù)極膜層位于所述第一負(fù)極膜層和所述負(fù)極集流體之間；所述第一負(fù)極膜層包括第一...
								
            
							
            
							
						
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								      本申請(qǐng)涉及二次電池技術(shù)領(lǐng)域，具體涉及一種負(fù)極極片、二次電池和用電裝置。負(fù)極極片包括負(fù)極集流體、設(shè)置在所述負(fù)極集流體上第一負(fù)極膜層和設(shè)置在第一負(fù)極膜層的背離負(fù)極集流體的表面的第二負(fù)極膜層；其中，所述第一負(fù)極膜層包括再生石墨。本申請(qǐng)?zhí)峁┑呢?fù)極極...
								
            
							
            
							
						
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								      本申請(qǐng)公開了一種負(fù)極極片、二次電池及用電裝置，所述負(fù)極極片包括負(fù)極集流體、第一負(fù)極活性材料層以及第二負(fù)極活性材料層，在所述負(fù)極集流體的厚度方向，所述第一負(fù)極活性材料層位于所述負(fù)極集流體與所述第二負(fù)極活性材料層之間；所述第一負(fù)極活性材料層包括...
								
            
							
            
							
						
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								      本發(fā)明具體涉及一種鋅離子電池負(fù)極保護(hù)層的制備及應(yīng)用，屬于鋅離子電池技術(shù)領(lǐng)域。具體制備方法如下：(1)將金屬氟化物溶于去離子水中或者有機(jī)溶劑并持續(xù)砂浴，直至溶質(zhì)完全溶解，制備混金屬氟化物溶液；(2)金屬氟化物溶液冷卻后用于浸泡鋅板；(3)取出...
								
            
							
            
							
						
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								      本發(fā)明實(shí)施例提供一種晶圓、對(duì)準(zhǔn)系統(tǒng)及方法，其中，晶圓包括：晶圓本體，所述晶圓本體包括正面和背面；標(biāo)識(shí)圖形，位于所述晶圓本體的背面中且未貫穿所述晶圓本體。采用上述方案，能夠提高晶圓正面的使用面積。
								
            
							
            
							
						
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								      本發(fā)明提供了一種焊帶接觸測(cè)試方法以及一種焊帶接觸測(cè)試裝置。該焊帶接觸方法包括如下步驟：提供待測(cè)試器件，待測(cè)試器件包括連接電極和焊帶，焊帶有多個(gè)，多個(gè)焊帶并列且間隔設(shè)置，連接電極設(shè)置于相鄰的兩個(gè)焊帶之間，且連接電極連接于相鄰的兩個(gè)焊帶，兩個(gè)焊...
								
            
							
            
							
						
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								      一種碳化硅晶圓的制造方法包含以下步驟。在第一碳化硅基材上形成碳化硅磊晶層。使用離子注入工藝在該碳化硅磊晶層中形成弱化層。使用激光剝離工藝在該弱化層中產(chǎn)生空腔弱化鍵結(jié)。破壞該弱化層的空腔弱化鍵結(jié)，而使該碳化硅磊晶層分割為上碳化硅磊晶層及下碳化...
								
            
							
            
							
						
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								      本發(fā)明公開了一種自約束的橫向延展離子光學(xué)透鏡裝置，屬于團(tuán)簇離子透鏡裝置技術(shù)領(lǐng)域。本發(fā)明一種自約束的橫向延展離子光學(xué)透鏡裝置包括：長(zhǎng)方體真空腔和離子透鏡裝置；離子透鏡裝置包括離子光學(xué)透鏡的入口狹縫、離子光學(xué)透鏡的出口狹縫和電極組；電極組包括錐...
								
            
							
            
							
						
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								      本申請(qǐng)涉及一種水流開關(guān)，用于安裝到具有水流通道的管道上，包括：殼體，包括具有第二開口的殼本體、可拆離地封堵第二開口的蓋、腔室；自復(fù)位開關(guān)，安裝到蓋，并包括伸入腔室內(nèi)的操作部，被配置為：電性連接到電路上，并響應(yīng)于操作部被操作而導(dǎo)通或切斷電路；...
								
            
							
            
							
						
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								      本發(fā)明涉及觸頭系統(tǒng)領(lǐng)域，涉及一種用于隔離開關(guān)的觸頭系統(tǒng)，該系統(tǒng)包括聯(lián)結(jié)板、動(dòng)觸頭，所述動(dòng)觸頭為單片式動(dòng)觸頭，以及用于連接聯(lián)結(jié)板和動(dòng)觸頭的基座，所述基座兩端分別設(shè)有插孔，聯(lián)結(jié)板與動(dòng)觸頭上均設(shè)有插接組件，聯(lián)結(jié)板與動(dòng)觸頭通過其上的插接組件與基座兩...
								
            
							
            
							
						
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								      本發(fā)明提供一種長(zhǎng)型按鍵結(jié)構(gòu)，其可減少金屬動(dòng)件的振動(dòng)異音及按壓時(shí)行程的延遲，并提升按壓的手感。所述長(zhǎng)型按鍵結(jié)構(gòu)包括鍵帽、基板、支撐元件。所述支撐包括外剪框架、至少兩個(gè)內(nèi)剪框架及金屬補(bǔ)強(qiáng)板件。所述金屬補(bǔ)強(qiáng)板件結(jié)合外剪框架的表面上。
								
            
							
            
							
						
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								      本發(fā)明提供了一種基于光量子計(jì)算機(jī)的從頭藥物設(shè)計(jì)方法和裝置。其中的方法包括：獲取需要優(yōu)化的配體受體復(fù)合物結(jié)構(gòu)；從配體受體復(fù)合物結(jié)構(gòu)中提取配體分子以及受體結(jié)構(gòu)，并標(biāo)記所述配體分子中可優(yōu)化的部分，且預(yù)先設(shè)置用于進(jìn)行替換的片段庫(kù)；根據(jù)所標(biāo)記的可優(yōu)化...
								
            
							
            
							
						
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								      本申請(qǐng)?zhí)峁┝朔肿芋w系基態(tài)能量值的輸出方法、介質(zhì)、系統(tǒng)和相關(guān)設(shè)備，所述方法包括：針對(duì)所述分子體系對(duì)應(yīng)的每個(gè)片段，根據(jù)指定的化學(xué)勢(shì)值，計(jì)算所述片段的基態(tài)能量值和電子數(shù)；利用根據(jù)片段計(jì)算得到的總電子數(shù)和所述分子體系的總電子數(shù)，迭代調(diào)整所述化學(xué)勢(shì)值...
								
            
							
            
							
						
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								      本申請(qǐng)涉及生態(tài)風(fēng)險(xiǎn)評(píng)價(jià)與控制技術(shù)領(lǐng)域，具體公開了一種微塑料介導(dǎo)的耐藥基因風(fēng)險(xiǎn)評(píng)估方法、裝置、設(shè)備及存儲(chǔ)介質(zhì)。本方法根據(jù)預(yù)設(shè)的預(yù)測(cè)算法對(duì)宏基因組預(yù)測(cè)數(shù)據(jù)中的耐藥風(fēng)險(xiǎn)因素進(jìn)行預(yù)測(cè)，來確定當(dāng)前宏基因組預(yù)測(cè)數(shù)據(jù)中存在的風(fēng)險(xiǎn)因素，然后根據(jù)實(shí)際預(yù)測(cè)結(jié)果...
								
            
							
            
							
						
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								      本申請(qǐng)涉及一種基因模塊構(gòu)建方法、裝置、計(jì)算機(jī)設(shè)備、存儲(chǔ)介質(zhì)。所述方法包括：根據(jù)病理樣本隊(duì)列數(shù)據(jù)進(jìn)行基因測(cè)序，得到轉(zhuǎn)錄數(shù)據(jù)集，轉(zhuǎn)錄數(shù)據(jù)集包括：?jiǎn)渭?xì)胞數(shù)據(jù)和時(shí)空轉(zhuǎn)錄組數(shù)據(jù)，對(duì)時(shí)空轉(zhuǎn)錄組數(shù)據(jù)進(jìn)行轉(zhuǎn)錄組預(yù)處理，得到轉(zhuǎn)錄組基因表達(dá)矩陣，根據(jù)單細(xì)胞數(shù)據(jù)...
								
            
							
            
							
						
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								      本發(fā)明屬于分子生物學(xué)技術(shù)領(lǐng)域，具體涉及基于單細(xì)胞測(cè)序的檢測(cè)稀有細(xì)胞突變的方法及電子設(shè)備和系統(tǒng)。該方法包括以下步驟：獲取待測(cè)樣本的第一單細(xì)胞測(cè)序數(shù)據(jù)以及待測(cè)樣本中靶區(qū)域的第二單細(xì)胞測(cè)序數(shù)據(jù)；根據(jù)第一單細(xì)胞測(cè)序數(shù)據(jù)獲取待測(cè)樣本中稀有細(xì)胞的圖譜；...
								
            
							
            
							
						
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								      一種存儲(chǔ)器電路的操作方法包含：通過存儲(chǔ)器單元存儲(chǔ)第一數(shù)據(jù)位元及第二數(shù)據(jù)位元，對(duì)存儲(chǔ)器單元執(zhí)行模擬操作以產(chǎn)生對(duì)應(yīng)第一數(shù)據(jù)位元的第一節(jié)點(diǎn)信號(hào)及對(duì)應(yīng)第二數(shù)據(jù)位元的第二節(jié)點(diǎn)信號(hào)，依據(jù)第一節(jié)點(diǎn)信號(hào)及第二節(jié)點(diǎn)信號(hào)決定第一節(jié)點(diǎn)信號(hào)的電壓準(zhǔn)位及第二節(jié)點(diǎn)信號(hào)...
								
            
							
            
							
						
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