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            拖動(dòng)滑塊完成拼圖
        
          
        
          
    
          
    
          
        
          
        
          
    
          

          














          
    
    
          
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                  		最新專利技術(shù)
                  	
                  
          
                
          
                
          
                    
            
					
						
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								      一種字線驅(qū)動(dòng)電路、存儲(chǔ)器及設(shè)備，涉及電子技術(shù)領(lǐng)域，用于減小SWD的尺寸，降低字線驅(qū)動(dòng)的負(fù)載。該字線驅(qū)動(dòng)電路包括：第一字線；第一子字線和第二子字線；第一SWD包括第一晶體管和第二晶體管；第二SWD包括第三晶體管和第四晶體管；該兩個(gè)SWD還共用...
								
            
							
            
							
						
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								      本公開提供了一種存儲(chǔ)器裝置及其操作方法、存儲(chǔ)器系統(tǒng)，所述存儲(chǔ)器裝置包括存儲(chǔ)器陣列和與所述存儲(chǔ)器陣列耦接的外圍電路；所述存儲(chǔ)器陣列至少包括公共源極、與所述公共源極連接的第一存儲(chǔ)塊和第二存儲(chǔ)塊；所述外圍電路被配置為：在對(duì)所述第一存儲(chǔ)塊執(zhí)行擦除操...
								
            
							
            
							
						
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								      本申請(qǐng)?zhí)峁┝艘环N存儲(chǔ)裝置、存儲(chǔ)裝置的操作方法及存儲(chǔ)系統(tǒng)，涉及半導(dǎo)體芯片技術(shù)領(lǐng)域。存儲(chǔ)裝置包括存儲(chǔ)陣列和頁緩沖器，頁緩沖器通過位線與存儲(chǔ)陣列耦接；頁緩沖器充放電電路，耦接到位線、第一感測節(jié)點(diǎn)以及第二感測節(jié)點(diǎn)；在編程周期的驗(yàn)證階段，充放電電路被...
								
            
							
            
							
						
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								      本公開描述了在一次性編程(OTP)存儲(chǔ)器單元中具有垂直晶體管的存儲(chǔ)器系統(tǒng)和器件及其制造方法。示例半導(dǎo)體器件包括：存儲(chǔ)器單元的第一陣列，所述存儲(chǔ)器單元的第一陣列至少包括第一存儲(chǔ)器單元。所述第一存儲(chǔ)器單元包括第一垂直晶體管和在第一方向上耦合到所...
								
            
							
            
							
						
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								      本申請(qǐng)?zhí)峁┘?xì)胞靶向藥物初篩模型訓(xùn)練方法、藥物初篩方法及設(shè)備，方法包括：獲取設(shè)有標(biāo)簽信息的各個(gè)化合物樣本各自對(duì)應(yīng)的分子指紋特征數(shù)據(jù)以形成對(duì)應(yīng)的原始數(shù)據(jù)集，采用距離度量方式對(duì)原始數(shù)據(jù)集進(jìn)行數(shù)據(jù)篩選，并訓(xùn)練基于圖神經(jīng)網(wǎng)絡(luò)的回歸模型以學(xué)習(xí)各個(gè)化合物...
								
            
							
            
							
						
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								      本申請(qǐng)公開了一種分子生成方法、裝置、設(shè)備及存儲(chǔ)介質(zhì)，涉及人工智能技術(shù)領(lǐng)域。包括：采樣初始層次嵌入，初始層次嵌入包括分子圖層次的初始圖嵌入、子圖層次的初始子圖嵌入以及原子層次的初始原子嵌入，其中，分子圖由節(jié)點(diǎn)和邊構(gòu)成，節(jié)點(diǎn)表示原子，邊表示連接...
								
            
							
            
							
						
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								      本發(fā)明公開了一種預(yù)測地下儲(chǔ)氣庫注氣儲(chǔ)層溫度分布的半解析方法，包括：建立地下儲(chǔ)氣庫的蓋層傳熱模型，結(jié)合初始條件進(jìn)行拉普拉斯變換，并根據(jù)內(nèi)、外邊界條件計(jì)算蓋層與儲(chǔ)層的交界面處溫度；在恒定注氣質(zhì)量流量下，結(jié)合流體的對(duì)流傳熱與節(jié)流效應(yīng)、蓋層傳熱、儲(chǔ)...
								
            
							
            
							
						
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								      本發(fā)明提供一種固溶元素在增材制造鎳基高溫合金中強(qiáng)化作用的評(píng)價(jià)方法，屬于高溫合金增材制造技術(shù)領(lǐng)域，包括以下步驟：步驟1)通過增材制造分別制備第一高溫合金、第二高溫合金至第N高溫合金；第一高溫合金中不含固溶元素，第二高溫合金至第N高溫合金中均含...
								
            
							
            
							
						
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								      本發(fā)明公開了一種用于超高場磁共振的人工電磁材料的參數(shù)確定方法及裝置，本發(fā)明改進(jìn)了現(xiàn)有的人工電磁材料的設(shè)計(jì)方法，在原來設(shè)置周期邊界條件，并獲得散射系數(shù)計(jì)算人工電磁材料等效介電常數(shù)的基礎(chǔ)之上，再通過利用微帶線諧振法來精確調(diào)整人工電磁材料在感應(yīng)近...
								
            
							
            
							
						
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								      本申請(qǐng)?zhí)峁┮环N病歷數(shù)據(jù)提取腳本生成方法、裝置、計(jì)算機(jī)設(shè)備以及介質(zhì)，涉及醫(yī)療信息化技術(shù)領(lǐng)域，該方法包括：從三方醫(yī)療業(yè)務(wù)系統(tǒng)中病歷數(shù)據(jù)接口的接口文檔中提取三方醫(yī)療業(yè)務(wù)系統(tǒng)中的多個(gè)三方病歷字段的信息，根據(jù)各三方病歷字段的標(biāo)識(shí)信息，確定目標(biāo)醫(yī)療業(yè)務(wù)...
								
            
							
            
							
						
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								      本申請(qǐng)涉及一種血流動(dòng)力學(xué)參數(shù)結(jié)果的預(yù)測方法和計(jì)算機(jī)設(shè)備，該方法包括：獲取檢測對(duì)象的目標(biāo)血管的術(shù)前三維模型，以及目標(biāo)血管的入口血壓和出口血壓；目標(biāo)血管的至少部分區(qū)域存在狹窄；根據(jù)目標(biāo)血管的術(shù)前三維模型、入口血壓和出口血壓，確定目標(biāo)血管的出口血...
								
            
							
            
							
						
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								      本發(fā)明提供一種三維連續(xù)彈性導(dǎo)體及其制備方法，所述三維連續(xù)彈性導(dǎo)體至少包含三維多孔彈性材料、納米線導(dǎo)電介質(zhì)。其中所述的三維多孔彈性材料，其孔洞至少包含一級(jí)孔洞和二級(jí)孔洞，一級(jí)孔洞骨架上包含一個(gè)或多個(gè)二級(jí)孔洞。所述納米線導(dǎo)電介質(zhì)在三維多孔彈性材...
								
            
							
            
							
						
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								      為克服現(xiàn)有的導(dǎo)電銀漿難以滿足低阻抗和低體積要求的問題，本發(fā)明提供了一種導(dǎo)電銀漿，包括銀粉、第一溶劑和丙烯酸改性含氟環(huán)氧樹脂，所述丙烯酸改性含氟環(huán)氧樹脂含有環(huán)氧基團(tuán)、丙烯酰氧丙基和氟代烷基結(jié)構(gòu)。同時(shí)，本發(fā)明還公開了上述導(dǎo)電銀漿的制備方法以及采...
								
            
							
            
							
						
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								      本發(fā)明涉及一種大容量高頻變壓器，其中第一C型磁芯和第二C型磁芯上下對(duì)稱設(shè)置形成口字型芯體，第一線圈組包括一次繞組A和二次繞組A，第二線圈組包括一次繞組B和二次繞組B，一次繞組A、二次繞組A、一次繞組B和二次繞組B均為空心電磁線繞制而成，并且...
								
            
							
            
							
						
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								      本發(fā)明的一種多功能一體按鍵結(jié)構(gòu)，按鍵包括一個(gè)透光上面板，所述的透光上面板的下側(cè)面中并列設(shè)置有一個(gè)第一膜片和至少一個(gè)第二膜片，所述的第一膜片和任意一個(gè)所述的第二膜片中各自設(shè)置有圖案，第一膜片中的圖案由一層第一透光油墨涂覆形成，所述的第一透光油...
								
            
							
            
							
						
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								      本發(fā)明涉及一種用于隔離開關(guān)的操作機(jī)構(gòu)，包括：第一外殼、第二外殼、第三外殼、手柄接口、齒輪、第一滑塊、第二滑塊、第一軸、側(cè)板、第二軸、推桿、彈簧、凸接口、凹接口；第一外殼、第二外殼連接；手柄接口設(shè)于第一外殼、第二外殼上方；手柄接口與齒輪連接，...
								
            
							
            
							
						
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								      本發(fā)明屬于質(zhì)譜電離領(lǐng)域，具體涉及一種光致彭寧電離質(zhì)譜方法。用光電效應(yīng)產(chǎn)生的光電子在電場中加速獲得足夠能量，將基態(tài)的氦He、氖Ne、氬Ar激發(fā)至亞穩(wěn)態(tài)，這些中性原子的亞穩(wěn)態(tài)的能量高于10.6eV(He激發(fā)能20.62和19.82eV；Ne激發(fā)...
								
            
							
            
							
						
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								      本發(fā)明提供一種傳輸腔室、半導(dǎo)體工藝設(shè)備以及晶片傳輸方法。其中，傳輸腔室包括：傳輸腔體、設(shè)置在傳輸腔體中的晶片傳輸裝置以及勻氣盤。勻氣盤環(huán)繞晶片傳輸裝置的驅(qū)動(dòng)部設(shè)置，其內(nèi)部具有與外部保護(hù)氣源連通的氣體流道，且氣體流道具有多個(gè)設(shè)置在勻氣盤表面的...
								
            
							
            
							
						
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								      一種半導(dǎo)體結(jié)構(gòu)及其形成方法、封裝結(jié)構(gòu)，半導(dǎo)體結(jié)構(gòu)包括：基底；多層介質(zhì)層，沿縱向依次堆疊于基底上；應(yīng)力緩沖層，位于任一層或多層介質(zhì)層中，應(yīng)力緩沖層包括在橫向上相間隔的多個(gè)子緩沖層。本發(fā)明有利于提升器件良率和工藝穩(wěn)定性。
								
            
							
            
							
						
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								      一種半導(dǎo)體結(jié)構(gòu)及其形成方法，半導(dǎo)體結(jié)構(gòu)包括：襯底、以及凸于襯底的溝道結(jié)構(gòu)；隔離層，位于襯底上、且覆蓋溝道結(jié)構(gòu)的部分側(cè)壁，溝道結(jié)構(gòu)凸于隔離層；預(yù)埋導(dǎo)電結(jié)構(gòu)，沿垂直于溝道結(jié)構(gòu)的延伸方向位于相鄰溝道結(jié)構(gòu)之間的隔離層中、且凸于隔離層，預(yù)埋導(dǎo)電結(jié)構(gòu)的...
								
            
							
            
							
						
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