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          • 本申請(qǐng)公開(kāi)了一種信號(hào)測(cè)量方法、裝置、設(shè)備及存儲(chǔ)介質(zhì),屬于通信技術(shù)領(lǐng)域,本申請(qǐng)實(shí)施例的信號(hào)測(cè)量方法包括:第二設(shè)備測(cè)量來(lái)自第一設(shè)備的第一信號(hào);向第三設(shè)備或所述第一設(shè)備發(fā)送第一測(cè)量結(jié)果,或者,所述第二設(shè)備確定所述第二設(shè)備與所述第一設(shè)備的位置相關(guān)信...
          • 本申請(qǐng)實(shí)施例提供一種會(huì)話建立方法、會(huì)話建立裝置、通信設(shè)備、芯片、計(jì)算機(jī)可讀存儲(chǔ)介質(zhì)及計(jì)算機(jī)程序產(chǎn)品,所述方法應(yīng)用于RAN,包括:接收多個(gè)數(shù)據(jù),所述多個(gè)數(shù)據(jù)來(lái)自一個(gè)或多個(gè)終端設(shè)備;在第一條件滿足的情況下,向第一網(wǎng)元發(fā)送會(huì)話建立請(qǐng)求消息;其中,...
          • 本發(fā)明公開(kāi)了一種半導(dǎo)體器件的形成方法,包含:步驟S1,提供一半導(dǎo)體器件,其包含多個(gè)背側(cè)溝槽,所述背側(cè)溝槽的表面設(shè)有氧化硅層;步驟S2,通入第一處理氣體,在射頻電源作用下,對(duì)所述氧化硅層進(jìn)行表面改性,形成胺基化界面;其中,所述第一處理氣體包含...
          • 本公開(kāi)提供一種電子裝置,其特征在于,包含:一襯底,包含一工作區(qū)及一周邊區(qū),其中,該周邊區(qū)圍繞該工作區(qū);一測(cè)試端子,設(shè)置在該周邊區(qū);以及一靜電防護(hù)結(jié)構(gòu),設(shè)置在該周邊區(qū);其中,在一俯視方向上,該靜電防護(hù)結(jié)構(gòu)位于該測(cè)試端子與該襯底的一邊緣之間。
          • 一種冰混料,包含植物來(lái)源蛋白和檸檬酸鈉,以所述冰混料的質(zhì)量為基準(zhǔn),所述冰混料中所含的固體成分的量為40~50質(zhì)量%,所述冰混料滿足下述式(1)的關(guān)系:Y≥0.045X-1.75(40≤X≤50)…(1)[式中,Y為以所述冰混料的質(zhì)量為基準(zhǔn)的...
          • 本申請(qǐng)公開(kāi)用于流式細(xì)胞儀的信息處理方法和系統(tǒng)及流式細(xì)胞儀。信息處理方法包括:基于泊松分布對(duì)通過(guò)流式細(xì)胞儀對(duì)目標(biāo)樣本進(jìn)行檢測(cè)而獲得的檢測(cè)信號(hào)建立模型;基于通過(guò)第一檢測(cè)結(jié)果計(jì)算出的溢出矩陣對(duì)所建立的模型設(shè)置初始解,所述第一檢測(cè)結(jié)果是通過(guò)所述流式...
          • 本申請(qǐng)公開(kāi)一種游戲測(cè)試方法、裝置及相關(guān)產(chǎn)品,所述方法包括:獲取第一版本的游戲資源數(shù)據(jù)和第二版本的游戲資源數(shù)據(jù),第一版本和第二版本是相同游戲的不同版本。對(duì)第一版本的游戲資源數(shù)據(jù)和第二版本的游戲資源數(shù)據(jù)進(jìn)行游戲資源數(shù)據(jù)對(duì)比,得到游戲資源變化數(shù)據(jù)...
          • 本說(shuō)明書實(shí)施例提供任務(wù)處理、自動(dòng)問(wèn)答以及任務(wù)處理模型訓(xùn)練方法,其中所述任務(wù)處理方法包括:獲取目標(biāo)任務(wù)的待處理數(shù)據(jù);將待處理數(shù)據(jù)輸入任務(wù)處理模型,獲得目標(biāo)任務(wù)的任務(wù)處理結(jié)果,其中,任務(wù)處理模型基于多個(gè)樣本指令數(shù)據(jù)和多個(gè)樣本指令數(shù)據(jù)分別對(duì)應(yīng)的樣...
          • 本申請(qǐng)?zhí)峁┮环N文本分類方法、裝置、設(shè)備及存儲(chǔ)介質(zhì),可以應(yīng)用于地圖領(lǐng)域等,該方法至少包括:獲取各待分類對(duì)象各自的對(duì)象信息,提取獲得的各對(duì)象信息各自的對(duì)象文本特征;基于獲得的各對(duì)象文本特征,以及預(yù)存的各對(duì)象樣例的樣例特征,從各對(duì)象樣例中,分別選...
          • 本發(fā)明提供一種半導(dǎo)體器件及其制造方法,通過(guò)形成晶粒尺寸為10nm~100nm的共享多晶硅柵極的方式,來(lái)減小共享多晶硅柵極中晶界,從而抑制共享多晶硅柵極位于nMOS區(qū)的部分中的n型離子和其位于pMOS區(qū)的部分中的p型離子在nMOS區(qū)和pMOS...
          • 一種噴霧噴嘴(1330)包括:具有縱向軸線的噴嘴本體(1034);以及在所述噴嘴本體前方和后方之間延伸的接收通道(1036),所述接收通道橫向于所述縱向軸線。所述噴霧噴嘴還包括噴嘴件(1060)、前孔元件(1362)、以及位于所述噴嘴件與所...
          • 本發(fā)明涉及一種用于在線控轉(zhuǎn)向系統(tǒng)(1)的方向盤(4)上產(chǎn)生反力矩(MR)的致動(dòng)器(8)的控制裝置(9),該控制裝置(9)被設(shè)計(jì)為由方向盤角度(φ)、方向盤角速度(
          • 本文描述了結(jié)合白介素4α受體(IL?4Rα)的新穎和改進(jìn)的抗體以及其使用方法。在某些方面,本文描述了抑制IL?4Rα生物活性的方法。在某些方面,本文描述了包含所述抗IL?4Rα抗體的藥物組合物。在某些方面,本文所描述的抗體和方法被用于治療與...
          • 使用核酸探針,對(duì)待檢查的基因突變進(jìn)行定量分析。在核酸擴(kuò)增反應(yīng)中的指數(shù)函數(shù)式擴(kuò)增期內(nèi),使用核酸探針檢測(cè)包含基因突變的核酸片段。
          • 本發(fā)明提供一種在將鎢膜作為微細(xì)結(jié)晶膜的同時(shí),還能根據(jù)膜厚調(diào)整膜應(yīng)力的硬掩模的制造方法。其包括:以鎢材質(zhì)的靶材作為靶,在真空氣氛的處理室內(nèi)導(dǎo)入稀有氣體和氮?dú)猓ㄟ^(guò)反應(yīng)性濺射法在被處理基板Sw表面形成氮化鎢膜Ly1的第一工序;以及,以鎢材質(zhì)的靶...
          • 本發(fā)明涉及一種具有電荷泵(NCP)的電切換裝置,所述電荷泵具有至少兩個(gè)連接接觸部(a1,a2),其中,第一連接接觸部(a1)連接至第一電壓電位(V1),第二連接接觸部(a2)經(jīng)由串聯(lián)電路連接至第二電壓電位(V2),所述串聯(lián)電路具有至少一個(gè)第...
          • 這個(gè)UE能夠接收配置許可(CG)配置,并且基于該CG配置,在第一CG PUSCH周期中發(fā)送包括上行鏈路傳輸時(shí)機(jī)上行鏈路控制信息(UTO?UCI)的第一CG PUSCH。UTO?UCI包括N比特位圖,并且N比特位圖的N個(gè)比特被一對(duì)一地映射到繼...
          • 離心壓縮機(jī)(C)具備:壓縮機(jī)葉輪;以及多個(gè)擴(kuò)散器葉片(7),其在比壓縮機(jī)葉輪靠徑向外側(cè)沿壓縮機(jī)葉輪的周向分離地配置,且擴(kuò)散器葉片(7)的中心線(7a)與徑向所成的角即葉片角度(θ)具有極大值,在比葉片角度(θ)成為極大值的位置(P1)靠下游...
          • 本公開(kāi)的目的在于提供吸熱起始溫度低、吸熱量、阻燃性和緩沖性優(yōu)異的吸熱體及具備該吸熱體的二次電池模塊。本公開(kāi)是一種吸熱體,其具有能夠填充內(nèi)容物的袋體和作為該內(nèi)容物而填充于上述袋體的水凝膠,上述吸熱體的特征在于,上述水凝膠具有三維網(wǎng)眼結(jié)構(gòu),是將...
          • 一種設(shè)備包含具有空腔(720)的半導(dǎo)體結(jié)構(gòu)(704)、在第一空腔側(cè)(720a)上的第一端子(730)和在第二空腔側(cè)(720b)上的第二端子(732)。所述第二端子包含與所述空腔的部分重疊的延伸部(738)。所述延伸部包含第一接觸件(1783...
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