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								      本發(fā)明公開一種端子本體、端子和連接器。端子本體包括：第一端子板，包括第一對配板和與第一對配板相連的第一連接板；第二端子板，位于第一端子板的上方并包括第二對配板和與第二對配板相連的第二連接板。第一對配板和第二對配板在端子本體的厚度方向上間隔相...
								
            
							
            
							
						
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								      一種端子模組，包括一差分信號端子對、兩個接地端子及一絕緣架。每一個該接地端子具有一板面。該絕緣架一體成型地局部包覆該差分信號端子對與該兩個接地端子。該絕緣架具有對應該兩個接地端子的兩個板面的一表面，該表面設(shè)置有兩個凹陷段。每一個該凹陷段的位...
								
            
							
            
							
						
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								      本申請是關(guān)于一種方向圖可重構(gòu)的天線，涉及天線技術(shù)領(lǐng)域。該天線包括：天線單元以及饋電網(wǎng)絡(luò)；天線單元位于饋電網(wǎng)絡(luò)的上層且與饋電網(wǎng)絡(luò)級聯(lián)，包括主輻射天線，第一類寄生天線組以及第二類寄生天線組；第一類寄生天線組中的第一類寄生天線沿x軸分布在主輻射天...
								
            
							
            
							
						
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								      本申請涉及無線通信技術(shù)領(lǐng)域，具體涉及一種天線組件及通信設(shè)備。本申請旨在簡化連接天線的線路，安裝和制作。本申請實施例提供一種天線組件，包括第一天線和第二天線，第一天線包括第一金屬層、第二金屬層及第一饋電結(jié)構(gòu)，傳播第一信號并產(chǎn)生了磁流；第二天線...
								
            
							
            
							
						
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								      本發(fā)明屬于電化學儲能技術(shù)領(lǐng)域，具體涉及一種形狀記憶聚合物增強復合隔膜及其制備方法與應用。所述復合隔膜包括隔膜基底和負載于所述隔膜基底一側(cè)表面的形狀記憶聚合物涂層，涂層的厚度為1～15μm；所述形狀記憶聚合物的玻璃化轉(zhuǎn)變溫度為70～130℃。...
								
            
							
            
							
						
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								      本申請?zhí)峁┮环N鋰離子電池電解液、鋰離子電池及用電裝置，鋰離子電池電解液包括：有機溶劑、鋰鹽電解質(zhì)、高溫改善添加劑及循環(huán)改善添加劑；其中，高溫改善添加劑在鋰離子電池電解液中的質(zhì)量分數(shù)為0.1wt％～5wt％，高溫改善添加劑包括聯(lián)二硫酸乙烯酯、...
								
            
							
            
							
						
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								      本發(fā)明涉及涂碳鋁箔漿料技術(shù)領(lǐng)域，公開了一種鋰電池用涂碳鋁箔漿料的制備方法；包括以下制備步驟：將聚乙烯醇加入去離子水中攪拌溶解分散，加熱至80?100℃反應0.5?3h；降溫至75?80℃，加入引發(fā)劑，攪拌均勻，加入丙烯酸單體，保溫反應2?2...
								
            
							
            
							
						
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								      本發(fā)明涉及電池正極材料技術(shù)領(lǐng)域，尤其涉及一種鈮摻雜正極材料及其制備方法和應用。所述鈮摻雜正極材料為LiFexNb1?x?yMnyPO4，其中，0.001...
								
            
							
            
							
						
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								      本發(fā)明涉及一種石墨負極材料及其制備方法、電池、電池包和用電裝置。一種石墨負極材料，其包括石墨和石墨表面的包覆層，所述包覆層包括纖維狀分子和親水性高分子；所述親水性高分子是將親水性高分子前驅(qū)體進行原位聚合包裹在石墨表面。本發(fā)明能提高負極極片上...
								
            
							
            
							
						
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								      本發(fā)明公開了一種含磷含碲富鋰錳基正極材料及其制備方法和應用。所述含磷含碲富鋰錳基正極材料的化學式為Li1+δMnaNibCocTex
							
            
							
						
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								      本發(fā)明提供一種復合正極補鋰材料及其制備方法和應用，所述復合正極補鋰材料包括內(nèi)核，以及包覆在所述內(nèi)核表面的修飾層；所述內(nèi)核為富鋰材料，所述修飾層的材料包括草酸鋰，所述修飾層的原材料包括氣化草酸。本發(fā)明通過借助包含氣化草酸的原材料與富鋰材料表面...
								
            
							
            
							
						
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								      一種電池負極極片結(jié)構(gòu)及其制造方法與電池結(jié)構(gòu)，電池負極極片結(jié)構(gòu)包括銅箔基板、負極親鋰層以及鋰金屬層。銅箔基板具有4微米至10微米的厚度。負極親鋰層設(shè)置于銅箔基板的上表面，并具有0.1微米至0.5微米的厚度，其中負極親鋰層包括多條納米銀線。鋰金...
								
            
							
            
							
						
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								      本申請實施例公開了一種芯片封裝結(jié)構(gòu)、芯片封裝方法及存儲系統(tǒng)，芯片封裝結(jié)構(gòu)包括封裝基板、第一芯片組和第二芯片組，封裝基板包括底板和支撐部，底板包括安裝面，支撐部凸設(shè)于安裝面；第一芯片組設(shè)于安裝面，第一芯片組包括沿遠離底板的方向依次堆疊成臺階結(jié)...
								
            
							
            
							
						
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								      本發(fā)明提供一種半導體處理裝置，包括第一腔體、第二腔體和升降裝置，所述升降裝置包括氣缸和托盤，所述氣缸設(shè)置于所述第二腔體內(nèi)部的容納空間內(nèi)，所述氣缸的伸縮桿穿過所述連接通道向外伸出所述第二腔體，所述托盤的頂部可拆卸的設(shè)置有晶圓承載件，所述晶圓承...
								
            
							
            
							
						
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								      本申請?zhí)峁┮环N可調(diào)節(jié)光吸收率和透光率的固晶裝置及方法。該裝置包括一第一固晶頭、一第二固晶頭、多個第一光柵及多個第二光柵。第一固晶頭可透光。第二固晶頭設(shè)置于第一固晶頭的下方，并且可透光。該多個第一光柵設(shè)置于第一固晶頭的底部并且彼此之間形成多個...
								
            
							
            
							
						
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								      本發(fā)明涉及一種基于空間光調(diào)控技術(shù)提高二次諧波表征精度的方法及系統(tǒng)，方法包括在SHG測量平臺的入射光路中增加空間光調(diào)制器，對入射光束的傾斜相差進行校正；在SHG測量平臺的探測光路中增加光路調(diào)整器，對探測光束進行多維度路徑調(diào)整；根據(jù)SHG測量平...
								
            
							
            
							
						
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								      一種高密度端子模塊的制法，其包含：在一暫態(tài)襯底上涂布一層膠體，該暫態(tài)襯底具有多個承載區(qū)；在該層膠體上形成一端子結(jié)構(gòu)，該端子結(jié)構(gòu)具有一絕緣基材及分布在該絕緣基材中的多組柱狀導體，該些組柱狀導體對應豎立于該些承載區(qū)上方且皆是以一預定圖案分布在該...
								
            
							
            
							
						
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								      公開了基于芯片背面晶圓鍵合的半導體封裝結(jié)構(gòu)。本公開涉及半導體封裝結(jié)構(gòu)及其制作方法。一種示例性方法包括：提供第一半導體結(jié)構(gòu)、第二半導體結(jié)構(gòu)以及載體結(jié)構(gòu)。該方法還包括：將第一半導體結(jié)構(gòu)和第二半導體結(jié)構(gòu)鍵合到載體結(jié)構(gòu)的表面，其中，第一半導體結(jié)構(gòu)和...
								
            
							
            
							
						
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								      一種半導體結(jié)構(gòu)的形成方法和光電探測器，所述形成方法包括：提供襯底；在襯底上形成氧化層；對氧化層進行第一刻蝕，在氧化層內(nèi)形成第一開口，第一開口暴露出襯底的部分表面；對第一開口暴露出的襯底的部分表面進行第二刻蝕，在襯底內(nèi)形成第二開口，其中，第二...
								
            
							
            
							
						
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								      本發(fā)明提供了一種半導體器件的工藝方法和半導體器件，所述半導體器件的工藝方法，包括以下步驟：采用解耦等離子體工藝對硅襯底進行等離子處理，以使所述硅襯底朝向于等離子噴射方向的至少部分表面形成預處理層；采用氧化工藝對所述硅襯底的表面進行氧化處理，...
								
            
							
            
							
						
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