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                  		最新專利技術(shù)
                  	
                  
          
                
          
                
          
                    
            
					
						
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								      本申請公開了一種機(jī)器人交互控制方法、服務(wù)器、客戶端和機(jī)器人，屬于人工智能技術(shù)領(lǐng)域。方法包括：客戶端接收用戶行為信息，將用戶行為信息發(fā)送至服務(wù)器；服務(wù)器根據(jù)用戶行為信息識別交互的場景類型，將與場景類型匹配的提示信息和用戶行為信息輸入至預(yù)設(shè)的語...
								
            
							
            
							
						
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								      本發(fā)明是一種基于多池注意力機(jī)制的預(yù)訓(xùn)練問答事件抽取方法。該方法包括以下步驟：獲取事件提及描述，得到事件類型分類，并檢索事件類型對應(yīng)的所有事件角色；通過構(gòu)建預(yù)訓(xùn)練問答文本，并使用預(yù)訓(xùn)練模型對其編碼；使用多池注意力機(jī)制獲取特征向量；使用特征向量...
								
            
							
            
							
						
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								      本發(fā)明提供一種離子儲存材料及其制備方法和應(yīng)用，所述離子儲存材料包括式(I)所示的化合物：SnxAyMzOmRn；通過將特定的M元素...
								
            
							
            
							
						
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								      本發(fā)明屬于藥物輸送技術(shù)領(lǐng)域，尤其涉及一種鹽酸米托蒽醌脂質(zhì)體及其制備方法與應(yīng)用。本發(fā)明提供的鹽酸米托蒽醌脂質(zhì)體，以單價磺酸鹽為內(nèi)水相，將鹽酸米托蒽醌高效、穩(wěn)定地包封在脂質(zhì)體內(nèi)水相中，通過調(diào)節(jié)內(nèi)水相中磺酸鹽的濃度，可使所制備的鹽酸米托蒽醌脂質(zhì)體...
								
            
							
            
							
						
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								      本發(fā)明涉及一種有機(jī)光電子二極管和顯示裝置，有機(jī)光電子二極管包括：彼此面對的陽極和陰極、位于陽極和陰極之間的發(fā)光層、位于陽極和發(fā)光層之間的空穴傳輸層以及位于空穴傳輸層和發(fā)光層之間的空穴傳輸輔助層，其中空穴傳輸輔助層包括與空穴傳輸層鄰近的第一空...
								
            
							
            
							
						
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								      提供能夠在將鐵芯片一體化后可靠地調(diào)整層疊高度的層疊鐵芯的制造方法。層疊多個鐵芯片(3)，層疊的鐵芯片(3)由通過遍及突起(15)間的第一焊接形成的第一焊接部(5)結(jié)合而被一體化，測定被一體化的鐵芯片(3)的層疊高度，基于測定的層疊高度，在被...
								
            
							
            
							
						
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								      本公開涉及一種敏感度檢測系統(tǒng)，該敏感度檢測系統(tǒng)準(zhǔn)確高效地確定基于用戶瀏覽活動的信息何時無意地揭露了關(guān)于所述用戶的私有或其他敏感信息。例如，敏感度檢測系統(tǒng)生成和利用機(jī)器學(xué)習(xí)模型來檢測敏感度，以準(zhǔn)確地檢測敏感用戶信息何時從諸如用戶簡檔等用戶信息...
								
            
							
            
							
						
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								      一種顯示面板，包括：襯底、多個子像素、多條數(shù)據(jù)線、多個柵極驅(qū)動電路、第一組數(shù)據(jù)扇出線、第二組數(shù)據(jù)扇出線、第一組控制信號線、第二組控制信號線、第一組靜電釋放電路和第二組靜電釋放電路。第一組數(shù)據(jù)扇出線與第一組控制信號線在襯底的正投影存在交疊，第...
								
            
							
            
							
						
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								      顯示模組包括電路板、油墨層、LED芯片和封裝層。油墨層的材料至少包括丙烯酸脂、環(huán)氧樹脂和有機(jī)顏料，油墨膜片貼附于電路板，油墨層具有開窗；LED芯片，固晶于開窗；封裝層覆蓋于電路板、油墨層及LED芯片。
								
            
							
            
							
						
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								      一種半導(dǎo)體結(jié)構(gòu)單元及其形成方法、半導(dǎo)體結(jié)構(gòu)，半導(dǎo)體結(jié)構(gòu)單元包括：襯底，包括第一區(qū)和第二區(qū)；位于襯底上的若干第一柵極結(jié)構(gòu)和若干第二柵極結(jié)構(gòu)，第一柵極結(jié)構(gòu)位于相鄰的第二柵極結(jié)構(gòu)之間；位于第一區(qū)第一柵極結(jié)構(gòu)上和第二柵極結(jié)構(gòu)上的若干第一金屬層，第一...
								
            
							
            
							
						
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								      本公開實施例提供一種半導(dǎo)體器件及其制備方法，所述方法包括：在襯底上形成柵極層；在所述柵極層上形成第一掩膜層；利用所述第一掩膜層對所述柵極層進(jìn)行刻蝕，形成柵極；對所述襯底進(jìn)行離子摻雜，以在所述柵極兩側(cè)形成源/漏區(qū)；去除所述第一掩膜層；形成覆蓋...
								
            
							
            
							
						
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								      本公開提供了一種半導(dǎo)體器件及其制作方法、集成電路、存儲系統(tǒng)，涉及半導(dǎo)體芯片技術(shù)領(lǐng)域，旨在解決低電壓晶體管背柵漏電的問題。所述半導(dǎo)體器件包括襯底、第一絕緣層、第二絕緣層、半導(dǎo)體層、第一晶體管和第二晶體管。第一絕緣層設(shè)置于襯底一側(cè)，包括第一部分...
								
            
							
            
							
						
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								      本發(fā)明涉及一種薄膜晶體管、像素陣列基板、顯示裝置及其制造方法。所述薄膜晶體管的制造方法包括以下步驟：在基板上形成第一金屬層以及覆蓋于第一金屬層上的絕緣層；在絕緣層上形成非晶態(tài)半導(dǎo)體薄膜；對非晶態(tài)半導(dǎo)體薄膜進(jìn)行熱處理，以使非晶態(tài)半導(dǎo)體薄膜轉(zhuǎn)換...
								
            
							
            
							
						
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								      本發(fā)明公開一種薄膜晶體管、像素陣列基板、顯示裝置及其制造方法。所述薄膜晶體管的制造方法包括以下步驟：在基板上形成第一金屬層以及覆蓋于第一金屬層上的絕緣層；在絕緣層上形成非晶態(tài)半導(dǎo)體薄膜；對非晶態(tài)半導(dǎo)體薄膜進(jìn)行離子注入，以將3A族離子注入非晶...
								
            
							
            
							
						
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								      提供半導(dǎo)體裝置及其形成方法。半導(dǎo)體裝置包括碳化硅基板、外延層、第一電極、分離柵極結(jié)構(gòu)以及源極接觸。碳化硅基板具有第一、第二以及第三區(qū)，且具有第一導(dǎo)電類型。外延層設(shè)置于碳化硅基板的頂面上。外延層具有第一導(dǎo)電類型。第一電極設(shè)置于第一區(qū)的外延層中...
								
            
							
            
							
						
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								      本發(fā)明提供半導(dǎo)體裝置及其形成方法。半導(dǎo)體裝置包括碳化硅基板、外延層、阱區(qū)、柵極結(jié)構(gòu)、第一絕緣柱、一對第一介電間隔物以及接觸部件。碳化硅基板具有第一區(qū)以及第二區(qū)，且具有第一導(dǎo)電類型。外延層設(shè)置于碳化硅基板上且具有第一導(dǎo)電類型。阱區(qū)位于外延層中...
								
            
							
            
							
						
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								      本發(fā)明適用于電機(jī)制造技術(shù)領(lǐng)域，提供了一種注塑成型含前或后端蓋的定子組件及其工藝，包括集成前端蓋或集成后端蓋，所述集成前端蓋或集成后端蓋內(nèi)設(shè)有定子鐵芯和定子繞組，所述集成前端蓋或集成后端蓋采用可塑性材質(zhì)成型；其中，所述定子繞組置于所述定子鐵芯...
								
            
							
            
							
						
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								      一種O3型鈉離子電池鎳錳基層狀氧化物正極材料、制備方法和用途屬于電極材料領(lǐng)域。化學(xué)通式表示為：Nax(NiyMn1?y)1?βMβ...
								
            
							
            
							
						
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								      本申請?zhí)峁┝耍环N多芯片的封裝結(jié)構(gòu)、光模塊和光通信系統(tǒng)，包括：基板，基板的頂面配置有多個芯片，多個芯片包括至少一個電芯片和光芯片；其中，基板的頂面包括第一區(qū)域和第二區(qū)域，第一區(qū)域與基板的底面的距離大于第二區(qū)域與基板的底面的距離，第一區(qū)域用于...
								
            
							
            
							
						
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								      本發(fā)明提供了一種利用空氣腔增強(qiáng)氧化鎵外延質(zhì)量的制備方法，該方法通過降低位錯密度來提高薄膜質(zhì)量。在具體實施過程中，我們采用光刻技術(shù)在襯底上形成具有特定圖案的光刻膠，隨后對帶有光刻膠圖案的襯底進(jìn)行熱回流處理。接著，在熱回流后的襯底上進(jìn)行非晶態(tài)或...
								
            
							
            
							
						
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          技術(shù)分類
          
                  
          
                      
                  
          
                
          
            
          
          
          
      
          
    
          
    
    

























































































































































 
 
    







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