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          • 本發(fā)明公開了一種提高ANPC拓撲短時過載能力的相變集成散熱改造方法。針對現(xiàn)有ANPC拓撲提升過載能力需依賴附加靜態(tài)冗余容量和額外器件,導(dǎo)致成本高、兼容性差的問題,本發(fā)明根據(jù)器件在不同位置的損耗特性,選擇相變材料集成器件與常規(guī)器件組合。通過利...
          • 本發(fā)明公開了一種數(shù)據(jù)中心用相變液冷循環(huán)散熱裝置,涉及數(shù)據(jù)中心散熱技術(shù)領(lǐng)域,包括有箱體和控制器,所述箱體內(nèi)部安裝有散熱組件、循環(huán)組件和多組機柜,所述散熱組件與循環(huán)組件相配合,所述箱體側(cè)面分別開設(shè)有散熱窗,所述循環(huán)組件與機柜相配合,所述散熱組件...
          • 本申請公開了液冷散熱系統(tǒng)、液冷散熱系統(tǒng)的工作方法及電子設(shè)備,涉及散熱技術(shù)領(lǐng)域,系統(tǒng)應(yīng)用于電子設(shè)備,包括紅外熱成像組件、管理控制模組和散熱管路;紅外熱成像組件用于采集電子設(shè)備的熱像圖,并將電子設(shè)備的熱像圖上傳至管理控制模組;管理控制模組包括散...
          • 本發(fā)明公開了一種液冷系統(tǒng)、液冷機柜和電子設(shè)備,應(yīng)用于液冷機柜冷卻技術(shù)領(lǐng)域,液冷系統(tǒng)包括:多個分水/匯水組件,分水/匯水組件上設(shè)有組件接口,組件接口用于與冷板上的冷板接口導(dǎo)通,以向冷板內(nèi)提供介質(zhì);接頭組件,用于導(dǎo)通并鎖止組件接口與冷板接口,或...
          • 本申請涉及一種多循環(huán)模式換熱裝置,多循環(huán)模式換熱裝置包括外殼體、功率元件的散熱基板、蒸發(fā)段和冷凝段,蒸發(fā)段密封罩設(shè)于散熱基板的一側(cè),散熱基板、蒸發(fā)段和冷凝段共同圍設(shè)形成內(nèi)層換熱腔,內(nèi)層換熱腔設(shè)有第一工質(zhì),液態(tài)的第一工質(zhì)能夠吸收散熱基板的熱量...
          • 本申請公開了一種高速精密組裝設(shè)備。該高速精密組裝設(shè)備包括:基臺;多軸運動臺安裝于基臺上,包括Y軸運動機構(gòu)和至少一個X軸運動機構(gòu);至少一個貼裝頭安裝于對應(yīng)的X軸運動機構(gòu)上,包括Z軸運動機構(gòu)、壓力傳感器、重力平衡件和吸附件,壓力傳感器設(shè)置于Z軸...
          • 本申請?zhí)峁┝艘环NGaN HEMT器件,包括:低阻的第二摻雜類型的襯底;接地的背面接地金屬,形成在襯底的背側(cè);第一摻雜類型的緩沖層;?GaN HEMT結(jié)構(gòu)層,GaN HEMT結(jié)構(gòu)層包括有源區(qū)和高阻區(qū);第一深孔,自所述高阻區(qū)的上表面向下形成,且...
          • 本公開提供一種半導(dǎo)體器件、功率模組和電子設(shè)備,涉及半導(dǎo)體技術(shù)領(lǐng)域,用于在提升半導(dǎo)體器件擊穿電壓的同時降低其動態(tài)導(dǎo)通電阻;該半導(dǎo)體器件包括襯底、緩沖層、溝道層、勢壘層、勢壘調(diào)制層、柵極、源極和漏極;其中,緩沖層中摻雜受主元素,緩沖層包括第一受...
          • 本發(fā)明提供了一種Fin Fet器件及其制造方法,涉及半導(dǎo)體器件技術(shù)領(lǐng)域,包括自下而上設(shè)置的:襯底;外延層,位于襯底的上面;鰭狀阱區(qū),位于外延層的上面,鰭狀阱區(qū)包括沿著第一方向并排形成的多個鰭片且其鰭片向第二方向延伸,第二方向與第一方向垂直,...
          • 本公開的實施例提供一種半導(dǎo)體器件和芯片,涉及半導(dǎo)體技術(shù)領(lǐng)域,用于實現(xiàn)增強型和耗盡型的單片集成;該半導(dǎo)體器件包括襯底、溝道層、勢壘層、柵極層、第一帽層和第二帽層;溝道層和勢壘層層疊設(shè)置于襯底上,勢壘層相比溝道層遠離襯底;柵極層設(shè)于勢壘層遠離溝...
          • 本公開涉及太陽能電池技術(shù)領(lǐng)域,公開了背接觸太陽能電池及其制備方法、電池組件。背接觸太陽能電池包括:基底層、第一極性結(jié)構(gòu)、第二極性結(jié)構(gòu)和隔離凹槽,基底層包括相對設(shè)置的受光面和背光面;第一極性結(jié)構(gòu)和第二極性結(jié)構(gòu)交替形成于基底層的背光面一側(cè);隔離...
          • 本發(fā)明涉及光電探測器技術(shù)領(lǐng)域,公開了一種氧化鎵硅基集成日盲紫外圖像傳感器及其制備方法。氧化鎵硅基集成日盲紫外圖像傳感器的制備方法,包括以下步驟:S100、制備硅基底電極;S200、在硅基底電極的像素區(qū)的電極上磁控濺射沉積氧化鎵薄膜,以實現(xiàn)低...
          • 本公開涉及太陽能電池技術(shù)領(lǐng)域,公開了一種背接觸太陽能電池及其制備方法。電池包括:基底層;第一摻雜區(qū)和第二摻雜區(qū),交替設(shè)置于基底層的背光面一側(cè);隔離凹槽,位于相鄰的第一摻雜區(qū)和第二摻雜區(qū)之間并深入基底層內(nèi);隔離凹槽的至少一個側(cè)壁包括第一斷面、...
          • 本發(fā)明公開了一種太陽能電池和光伏組件,涉及太陽能電池技術(shù)領(lǐng)域,以解決如何提高太陽能電池的光電轉(zhuǎn)換效率的問題。所述太陽能電池包括:第一鈍化接觸結(jié)構(gòu)形成在半導(dǎo)體基底的第一面;第一匯流電極和第一集電電極形成在第一鈍化接觸結(jié)構(gòu)上方;至少部分第一匯流...
          • 本發(fā)明涉及太陽電池領(lǐng)域,公開一種異質(zhì)結(jié)太陽電池及其制備方法、光伏組件。包括:硅基底;設(shè)于硅基底的受光面的第一本征鈍化層,第一本征鈍化層分為第一區(qū)域、第二區(qū)域以及位于兩個區(qū)域之間的隔離區(qū)域;圖形化的第一摻雜層,第一摻雜層設(shè)于第一區(qū)域的第一本征...
          • 本申請實施例提供了一種光伏電池片以及光伏組件。所述光伏電池片包括:硅基底,所述硅基底包括沿第一方向背離設(shè)置的第一表面和第二表面,以及連接第一表面和第二表面的側(cè)表面,側(cè)表面包括切割面;其中,切割面包括:鄰近第一表面的切割邊緣、鄰近第二表面的斷...
          • 本公開涉及太陽能電池技術(shù)領(lǐng)域,公開了背接觸太陽能電池和電池組件。電池包括具有受光面和背光面的電池基體,背光面包括交替排布的第一極性區(qū)和第二極性區(qū),第一極性區(qū)和第二極性區(qū)之間具有隔離區(qū),電池基體還包括:由第一極性區(qū)和/或第二極性區(qū)的表面朝向隔...
          • 本發(fā)明公開了一種電極降溫裝置及帶長條狀電極結(jié)構(gòu)的LED芯片,屬于半導(dǎo)體芯片技術(shù)領(lǐng)域,包括吸熱片、P型降溫半導(dǎo)體、散熱片、進電組件、N型降溫半導(dǎo)體、導(dǎo)電組件和出電組件,進電組件上端側(cè)邊安裝有N型降溫半導(dǎo)體,進電組件右表面上安裝有散熱片,出電組...
          • 本申請涉及柔性有機太陽能電池技術(shù)領(lǐng)域,其具體地公開了一種柔性O(shè)PV卷對卷生產(chǎn)高光譜在線監(jiān)測與智能調(diào)控方法及系統(tǒng),融合快照式高光譜成像、干燥速度量化與雙機器學(xué)習(xí)模型,實現(xiàn)柔性O(shè)PV卷對卷生產(chǎn)的干燥過程智能調(diào)控。通過單幀高光譜圖像同步捕獲濕膜/...
          • 本發(fā)明提出一種光憶阻器及基于光憶阻器的智能監(jiān)控方法,該方法通過在不同監(jiān)控區(qū)域搭建若干邊緣節(jié)點,并在每個邊緣節(jié)點部署多模態(tài)傳感器陣列、光憶阻器陣列、GCN模型以及分類器;通過多模態(tài)傳感器陣列采集多模態(tài)數(shù)據(jù),并建立圖結(jié)構(gòu);將圖結(jié)構(gòu)輸入至GCN模...
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