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								      本發(fā)明公開了一種硅基鍺外延窗口結(jié)構(gòu)的制備方法及半導體器件，方法包括：在SOI的頂層硅層的裸露表面上形成第一溝槽；在所述頂層硅層的裸露表面上形成介質(zhì)層，并將所述第一溝槽填滿；在所述介質(zhì)層的表面上形成第二溝槽，并使所述第二溝槽的底部嵌套于所述第...
								
            
							
            
							
						
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								      本披露提供了制備凍干的雙特異性分子組合物的方法，該方法包括(a)在暴露于約?18℃至約?10℃的第一溫度約60分鐘至約270分鐘的小瓶中的雙特異性分子濃度為至少約10mg/ml的液體蛋白質(zhì)組合物中誘導冰成核；(b)將(a)的小瓶暴露于約?2...
								
            
							
            
							
						
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								      本申請?zhí)峁┮环N實驗室信息化管理系統(tǒng)，包括：測試管理模塊，包括：倉庫管理單元，用于獲取待測機臺的生產(chǎn)編號，并根據(jù)待測機臺的生產(chǎn)編號獲取待測機臺的機臺信息和測試信息；測試執(zhí)行單元，用于將測試信息和機臺信息發(fā)送至至少一個實驗室，并統(tǒng)計至少一個實驗...
								
            
							
            
							
						
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								      本發(fā)明提供一種長期耐彎折性優(yōu)異的電磁波屏蔽膜。本發(fā)明的電磁波屏蔽膜的特征在于，其具備保護層、導電性粘接劑層、以及設置于上述保護層和上述導電性粘接劑層之間的金屬蒸鍍層，所述電磁波屏蔽膜的拉伸模量為2.1GPa以上且4.0GPa以下，斷裂伸長率...
								
            
							
            
							
						
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								      本申請涉及一種發(fā)光芯片鍵合基板及其制作方法和發(fā)光器件，發(fā)光芯片鍵合基板包括：基材；設于基材一側(cè)的第一導電層，第一導電層包括用于設置發(fā)光芯片的鍵合區(qū)域；以及完全覆蓋鍵合區(qū)域的第二導電層，第二導電層為黑色且具有垂直方向上導電，水平方向上不導電的...
								
            
							
            
							
						
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								      根據(jù)本文所述的一個或多個實施方案，氧載體材料可以包含氧化還原活性金屬氧化物和含堿金屬的組合物。該含堿金屬的組合物可以具有式NauKvLiw(SixAl<...
								
            
							
            
							
						
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								      一種自動分析裝置的噴嘴的清洗方法，所述自動分析裝置具有：反應容器，其收容分析對象的檢體與用于該分析的試劑的混合液；以及噴嘴，其吸引反應容器的混合液，所述噴嘴的清洗方法具有：準備工序，向反應容器分注噴嘴的清洗液；以及清洗工序，通過噴嘴進行反應...
								
            
							
            
							
						
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								      一種聲波裝置包含壓電層和叉指式電極結(jié)構(gòu)。所述叉指式電極結(jié)構(gòu)包含在寬度方向上延伸的多個第一電極指和第二電極指。所述多個第一電極指和所述多個第二電極指沿著長度方向彼此交錯，所述長度方向不同于所述寬度方向。所述多個第一電極指或所述多個第二電極指中...
								
            
							
            
							
						
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								      計算系統(tǒng)包括處理器以及存儲指令的存儲器，當該指令由處理器執(zhí)行時，使該處理器執(zhí)行數(shù)個動作。動作包括在支持群組對話的消息收發(fā)應用中從多個用戶接收多個消息，其中多個消息被包括在群組對話中。動作還包括向生成模型提供提示，其中該提示包括多個消息。動作...
								
            
							
            
							
						
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								      本發(fā)明提供一種更有效地抑制圖案不良且高頻特性也優(yōu)異的印刷電路板的制造方法。該印刷電路板的制造方法包含以下的工序：準備具備粗糙面的絕緣基材；對絕緣基材的粗糙面進行化學鍍，形成化學鍍層，該化學鍍層具有峰頂密度Sds為0.90μm－2<...
								
            
							
            
							
						
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								      本申請公開了一種半導體器件、制備方法及電子設備，半導體器件包括：半導體襯底、絕緣材料層以及柵極結(jié)構(gòu)，柵極結(jié)構(gòu)包括高k金屬柵極和金屬覆蓋層，金屬覆蓋層設置于高k金屬柵極背向半導體襯底的一側(cè)，高k金屬柵極包括柵極金屬層、高k介質(zhì)層以及、柵氧化層...
								
            
							
            
							
						
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								      提供能夠高效地對照射對象部進行激光照射的激光照射裝置。具備：產(chǎn)生激光的激光光源10；光纖探頭20，其對在激光光源10中產(chǎn)生的激光進行傳輸，并且沿與前端側(cè)延伸的方向不同的方向出射激光；和作為偏振狀態(tài)調(diào)整部的光出射部22，其對從光纖探頭20出射...
								
            
							
            
							
						
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								      一種切削刀片(10)，包括前面(21)、上表面(22)、側(cè)面(24)、前切刃(23)以及側(cè)切刃(25)，上表面(22)包括第一前區(qū)域(221)、第二前區(qū)域(222)、第一側(cè)區(qū)域(225)、第二側(cè)區(qū)域(226)，第一前區(qū)域(221)與前切刃(...
								
            
							
            
							
						
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								      本發(fā)明涉及一種用于制造包括限定在薄層和載體襯底之間的多個腔體的結(jié)構(gòu)體的方法，該方法包括以下步驟：a)提供供體襯底和載體襯底；b)將第一輕物質(zhì)注入到供體襯底中，以便形成均勻的掩埋弱化平面，該均勻的掩埋弱化平面與供體襯底的正面一起界定要轉(zhuǎn)移的薄...
								
            
							
            
							
						
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								      本申請?zhí)峁嵤├龑儆陲@示技術，提供一種顯示裝置及其制備方法，顯示裝置包括基板、遮光組件、粘接件以及多個發(fā)光器件，基板包括凹槽區(qū)和安裝區(qū)，凹槽區(qū)與安裝區(qū)呈間隔設置；多個發(fā)光器件呈陣列排布于基板的安裝區(qū)，發(fā)光器件所發(fā)出的光束包括目標光和干擾光，...
								
            
							
            
							
						
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								      披露了一種沖擊扳手(10)，該沖擊扳手包括工具配件(14)，該工具配件安裝在驅(qū)動軸(28)上，用于接納工具、特別是旋擰工具，其中，該驅(qū)動軸(28)能夠借助于能夠經(jīng)由驅(qū)動器(24)驅(qū)動的旋轉(zhuǎn)沖擊驅(qū)動器(22)而被置于切向撞擊運動，并且其中，該...
								
            
							
            
							
						
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								      一種全人源ACE2?Fc融合蛋白、包含其的藥物組合物與制劑和試劑盒，以及包含所述融合蛋白的鼻噴劑。還涉及所述融合蛋白用于廣譜預防冠狀病毒感染，例如冠狀病毒SARS?CoV?2、其已知的和未知的變異株，包括但不限于原始型Hu?1、阿爾法、貝塔...
								
            
							
            
							
						
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								      本發(fā)明涉及用于聚合烯烴的方法，該方法包括使烯烴在催化劑體系存在下反應，其中該催化劑體系包含載體材料，所述載體材料載帶：a.茂金屬化合物；b.助催化劑；和c.抗靜電劑；其中，所述茂金屬化合物為根據(jù)式(I)的化合物，其中：?Z為選自ZrX
							
            
							
						
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								      本發(fā)明的課題在于提供一種能夠制作具有黏接強度及低透濕性的密封材料的液晶密封劑。解決上述課題的液晶密封劑包含固化性化合物及固化劑，所述固化性化合物包含由特定的化學式所表示的環(huán)化聚合性化合物。
								
            
							
            
							
						
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								      本公開涉及能夠進一步提高配線設計的自由度的固態(tài)成像裝置、固態(tài)成像裝置的制造方法以及電子設備。固態(tài)成像裝置包括：第一半導體層，其包括光電轉(zhuǎn)換部和電荷存儲部，在電荷存儲部中存儲有在光電轉(zhuǎn)換部中產(chǎn)生的信號電荷；和第二半導體層，在第二半導體層上形成...
								
            
							
            
							
						
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