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								      一種積層陶瓷電容包含積層磚及第一與第二端電極。積層磚包含陶瓷體及第一與第二內電極。陶瓷體具上下表面及相對的第一與第二端面。第一與第二內電極交替嵌在陶瓷體中。第一內電極自第一端面朝第二端面延伸。第二內電極自第二端面朝第一端面延伸。第一與第二內...
								
            
							
            
							
						
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								      本發明屬于電化學儲能技術領域，本發明與現有現有技術方案不同，提出了一種三嗪高分子聚合物高性能材料制備方法。該方法具有步驟簡單，制作流程高效等優點。所得三嗪高分子材料可以直接作為超級電容器的電極材料，能夠保持三嗪分子的穩定性和其聚合而成的高分...
								
            
							
            
							
						
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								      一種利于滅弧的大開距框架斷路器或隔離開關，它包括機構主軸，所述機構主軸通過連桿機構能夠帶動動觸頭繞其自身的轉動中心轉動，所述動觸頭轉動過程中與靜觸頭的接觸和分離控制斷路器或隔離開關的通斷，所述動觸頭上的動銀點與靜觸頭上的靜銀點在所述動觸頭轉...
								
            
							
            
							
						
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								      一種框架斷路器或隔離開關滅弧室和觸頭系統的布局結構，其特征在于：它包括動觸頭和靜觸頭，所述動觸頭和靜觸頭布置在殼體內位于滅弧室下方位置，所述動觸頭和靜觸頭分斷時候產生的電弧能夠被引導進入滅弧室被熄滅，所述動觸頭上的動銀點與靜觸頭上的靜銀點在...
								
            
							
            
							
						
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								      一種框架斷路器或隔離開關用靜觸頭引弧角，所述靜觸頭引弧角a設置在滅弧柵片組一側端的外側方，所述靜觸頭引弧角一端與靜觸頭連接，另一端延伸到所述滅弧柵片組一端的外側方，所述靜觸頭引弧角另一端的端點位于所述滅弧柵片組高度的3/5～4/5位置處。框...
								
            
							
            
							
						
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								      本發明涉及調節雙腔體系統中偏置發生器之間相位延遲的設備和方法，雙腔體系統包括：第一腔體裝置，包括：包括第一卡盤的第一腔體和與該第一卡盤相連接的第一偏置發生器；第二腔體裝置，包括：包括第二卡盤的第二腔體和與該第二卡盤相連接的第二偏置發生器，其...
								
            
							
            
							
						
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								      本申請實施例公開了一種電子設備、電子器件及其制作方法，涉及金剛石技術領域，解決了現有金剛石在半導體異質材料成膜時生長界面的結合力差，導致容易脫膜失效的問題。該電子器件包括緩沖層、鈍化層、金剛石層及半導體器件層。其中，緩沖層具有相對設置的第一...
								
            
							
            
							
						
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								      本發明提供一種清潔方法及半導體設備，半導體設備包括傳輸腔室、及用于對傳輸腔室抽真空的抽氣泵組和高抽速泵，傳輸腔室的腔壁上設有出氣口及多個充氣口，出氣口和多個充氣口的分布方式配置成使傳輸腔室的各個拐角區域均能夠被氣體吹掃；抽氣泵組的抽速低于高...
								
            
							
            
							
						
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								      本發明提供一種壓環組件、半導體工藝腔室及其控制方法。壓環組件包括環形本體；在環形本體內沿其周向環繞設置有環形負壓通道，環形負壓通道在環形本體上形成有抽入口和抽出口；環形本體可升降地在第一位置和第二位置之間移動，在環形本體處于第一位置的情況下...
								
            
							
            
							
						
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								      本申請實施例公開了一種電子電路器件及電子設備。該電子電路器件包括本體結構和接口焊點，該本體結構包括有機材料，接口焊點與本體結構電連接；在本體結構的外周表面包覆有防潮層，防潮層包括無機膜層，且接口焊點外露于防潮層，以構建相應的電連接。如此設置...
								
            
							
            
							
						
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								      本申請實施方式提供一種功率模組及功率變換裝置。功率模組包括第一基板、第一芯片、互連件、第一阻擋結構、連接物及封裝體，第一芯片與第一基板層疊設置，第一阻擋結構設于互連件的外表面，第一芯片與互連件之間通過連接物連接，第一阻擋結構、連接物、第一芯...
								
            
							
            
							
						
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								      本申請實施例提供了一種封裝結構、電子設備和封裝結構的制備方法，涉及電子設備技術領域。其中，封裝結構包括第一芯片、第一布線層、第二布線層、第一封裝層、第一連接部和第二芯片。第一布線層設于第一芯片的第一表面所在一側且與第一芯片電連接。第二布線層...
								
            
							
            
							
						
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								      本申請實施例提供了一種基板、封裝結構、電子設備和基板的制備方法，涉及電子設備技術領域。其中，基板包括層疊結構、導電芯、磁性件和導磁件。層疊結構包括多層布線層和多層介質層，布線層和介質層交替層疊設置。導電芯嵌設在層疊結構中，且貫穿至少一層介質...
								
            
							
            
							
						
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								      半導體結構包括基板、主動元件、至少一放電結構、柵極接墊、多層互連金屬層以及熔絲結構。基板具有主動區和虛設區。主動元件設置于基板的主動區。放電結構設置于基板的虛設區。柵極接墊設置于主動元件與放電結構上方。多層互連金屬層設置于基板上方并位于柵極...
								
            
							
            
							
						
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								      本公開涉及一種預鋰化鋰離子電池負極片及其制備方法和鋰離子電池。所述方法包括以下步驟：S1、將金屬鋰與基質材料混合，進行球磨處理，得到預鋰化前驅體，基質材料選自硅和氧化亞硅中的一種或兩種；S2、將預鋰化前驅體與電解液混合，進行穩定化處理，得到...
								
            
							
            
							
						
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								      本公開涉及一種具有核殼結構的三元正極材料及其制備方法和應用，該方法包括以下步驟：S1、將鋰源與鎳鈷錳氫氧化物三元前驅體混合，將得到的混合物在第一含氧氣氛下進行第一熱處理，得到第一物料；S2、將所述第一物料與含有銨鹽的溶液接觸并進行浸漬，將得...
								
            
							
            
							
						
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								      本公開涉及一種預鋰化負極材料及其制備方法、負極和含鋰電池。包括以下步驟：S1、將第一含硅基質與有機碳源接觸，進行碳包覆處理，得到碳包覆含硅基質；S2、將金屬鋰與第二含硅基質接觸，進行第一球磨處理，得到預鋰前驅體；S3、將預鋰前驅體與第一有機...
								
            
							
            
							
						
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								      本申請涉及一種氟氮共摻雜的碳包覆正極材料及其制備方法，通過在正極活性物質表面設置氟氮共摻雜的碳包覆層，有效改善了正極材料的循環性能。將本申請的正極材料應用到電池體系中，能夠提高電池的循環壽命。
								
            
							
            
							
						
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								      本申請涉及一種二次電池、凝膠電解質前驅液、制備方法和用電裝置。該二次電池包括電極極片；任一個電極極片獨立地包括電極活性材料層；二次電池包括凝膠電解質，凝膠電解質包括第一凝膠電解質和第二凝膠電解質，第一凝膠電解質位于電極活性材料層的內部，第二...
								
            
							
            
							
						
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								      本發明涉及新能源領域，尤其涉及電池散熱領域。一種彈性電池水冷散熱器，包括由散熱芯內部安裝彈片形成的彈性結構，或者由兩列散熱芯將彈片夾在中間形成的彈性結構，或者由兩列散熱芯和彈片交替安裝形成的彈性結構。電池放置在散熱芯的外側，由彈片的彈力保持...
								
            
							
            
							
						
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