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								      本申請?zhí)峁┮环N渲染效果測試方法、裝置、設備及程序產(chǎn)品，該方法包括：向移動終端發(fā)送攜帶目標路口的渲染任務的指令；接收所述移動終端返回的圖片，所述圖片至少包括第一圖片，所述第一圖片中記錄了按照一組車道級路口渲染參數(shù)渲染的且包含了所述目標路口的車...
								
            
							
            
							
						
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								      本公開提供一種問答任務處理方法、裝置、電子設備、介質(zhì)及程序產(chǎn)品，涉及智能問答技術領域，包括：獲取問答大模型針對目標問題輸出的待校驗答案；將待校驗答案輸入第一檢測模塊，獲得第一檢測結果；若第一檢測結果表征待校驗答案不存在幻覺現(xiàn)象，將待校驗答案...
								
            
							
            
							
						
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								      本申請?zhí)峁┮环N文本生成方法、服務器、存儲介質(zhì)和程序產(chǎn)品。本申請的方法，根據(jù)給定的主題信息確定待生成的目標文本的大綱，獲取大綱的相關素材，基于大綱的相關素材對預訓練模型進行微調(diào)訓練獲得文本生成模型，可以將大綱的大量相關素材包含的領域知識以參數(shù)...
								
            
							
            
							
						
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								      本申請?zhí)峁┝艘环N話題推薦方法、裝置、電子設備、計算機可讀存儲介質(zhì)及計算機程序產(chǎn)品；方法包括：獲取用于表征社交網(wǎng)絡的異構圖神經(jīng)網(wǎng)絡；對異構圖神經(jīng)網(wǎng)絡進行對象維度的采樣操作，得到對象子圖集合，并對異構圖神經(jīng)網(wǎng)絡進行話題維度的采樣操作，得到話題子...
								
            
							
            
							
						
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								      本申請涉及一種模型的訓練方法及裝置。模型的訓練方法為：基于預設規(guī)則對語料庫中的文本進行處理，獲得多個樣本，多個樣本包括多個正樣本以及多個區(qū)分樣本；構建多個批次訓練集；每個批次訓練集包括多個所述正樣本和多個所述區(qū)分樣本，每個批次訓練集中的所述...
								
            
							
            
							
						
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								      本申請?zhí)峁┝艘环N虛擬場景的測試方法、裝置、電子設備和存儲介質(zhì)，其中，該方法包括：對第一版本的虛擬場景和第二版本的虛擬場景進行凍結處理，并基于預先生成的測試點位在第一凍結虛擬場景和第二凍結虛擬場景中采集多個第一場景截圖和第二場景截圖，最后根據(jù)...
								
            
							
            
							
						
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								      本發(fā)明涉及一種用于紅外機芯的異常檢測及顯示方法，屬于嵌入式軟件領域。包括：建立小字庫點陣數(shù)組以及小字庫字符編碼，建立編碼索引表；當紅外機芯程序發(fā)生異常時對紅外機芯進行硬件及軟件檢測返回異常信息；通過編碼索引表從小字庫點陣數(shù)組中獲取異常信息中...
								
            
							
            
							
						
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								      本發(fā)明涉及一種用于紅外機芯程序異常的檢測方法與存儲介質(zhì)，屬于嵌入式軟件領域。包括：在紅外機芯軟核代碼中設置引導信息結構，所述引導信息結構包括標志頭、運行地址、代碼長度、校驗碼；通過判斷屏幕數(shù)據(jù)檢測外部存儲器是否正常，通過讀取非易失性芯片數(shù)據(jù)...
								
            
							
            
							
						
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								      本申請公開一種柔性電磁超材料生化傳感器及其制備方法，所述柔性電磁超材料至下依次包括：金屬微結構層、介質(zhì)層、金屬反射層；其中，所述金屬微結構層由周期排列的單元結構組成；所述單元結構為橢圓形；所述介質(zhì)層為聚酰亞胺薄膜。本申請一種可穿戴非侵入方式...
								
            
							
            
							
						
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								      本發(fā)明提供一種空氣調(diào)節(jié)機的室外設備及空氣調(diào)節(jié)機，該空氣調(diào)節(jié)機的室外設備具備：壓縮機，其對制冷劑進行壓縮；室外換熱器，其進行所述制冷劑和室外的空氣之間的熱交換；以及室外機框體，其收容所述室外換熱器及所述壓縮機，所述室外機框體具備底板，所述室外...
								
            
							
            
							
						
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								      本發(fā)明公開了一種用于輔助井筒環(huán)空液面檢測的井口遮擋裝置及使用方法，在井筒的兩側增設了封堵板，封堵板在驅(qū)動組件的驅(qū)動下移動，在封堵板上開設有弧形凹槽，兩個封堵板的水平高度不同，當空井的時候，需要對井口進行封堵時，驅(qū)動兩個封堵板向井口移動，兩個...
								
            
							
            
							
						
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								      本申請屬于獸用生物制品技術領域，具體涉及一種CATHAY拓撲型截短口蹄疫病毒樣顆粒抗原及其應用。CATHAY拓撲型截短口蹄疫病毒結構蛋白前體蛋白P1與野生型口蹄疫病毒結構蛋白前體蛋白P1相比，其N端截短了10～40個氨基酸。在保留了全長野生...
								
            
							
            
							
						
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								      本發(fā)明提供一種智慧移動收納柜，其主要包括:一柜體、一處理器及一用戶端電子裝置，該柜體底部設一移動裝置，該處理器設于該柜體，其具有一控制單元、一通訊模組及一電源模組，該電源模組、該通訊模組及該移動裝置分別與該控制單元電性連接，該用戶端電子裝置...
								
            
							
            
							
						
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								      [技術問題]為了實現(xiàn)更高的分辨率并且提高拍攝圖像的圖像質(zhì)量。[解決方案]光檢測裝置包括：多個像素，各所述像素累積與入射光的光量相對應的電荷；多個第一像素電路，各所述第一像素電路包括在同一時刻保持與累積在所述多個像素中的電荷相對應的電壓信號的...
								
            
							
            
							
						
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								      本公開屬于半導體技術領域，提供了一種Micro?LED及其制備方法。Micro?LED包括外延結構、n型電極、p型電極，金屬場板與n型電極的第一區(qū)域或p型電極的第二區(qū)域相連，并覆蓋整個側壁表面的鈍化層或延伸至側壁表面對應有源區(qū)的鈍化層處。制...
								
            
							
            
							
						
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								      本發(fā)明提供了一種太陽能電池的制備方法和太陽能電池，所述方法包括：確定目標硅片的第一表面對應的主柵線圖案和細柵線圖案；第一表面為目標硅片中需要印刷電極的表面；根據(jù)主柵線圖案和細柵線圖案，確定第一表面對應的電極圖案；按照電極圖案，在第一表面印刷...
								
            
							
            
							
						
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								      本發(fā)明公開了一種圖像傳感器及電子設備，圖像傳感器具有像素區(qū)、位于像素區(qū)外圍的外圍邏輯區(qū)以及位于像素區(qū)和外圍邏輯區(qū)之間的過渡區(qū)，其中：像素區(qū)內(nèi)設有第一金屬格柵，外圍邏輯區(qū)內(nèi)設有外圍遮光金屬塊，過渡區(qū)設有應力阻斷結構或/和應力漸變結構，應力阻斷...
								
            
							
            
							
						
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								      一種半導體結構及其形成方法，半導體結構包括：隔斷結構，位于鰭部的延長線上且位于相鄰鰭部之間的襯底上，隔斷結構覆蓋鰭部的端部，且隔斷結構的頂部與鰭部的頂部相齊平。由于隔斷結構位于鰭部延長線上且位于相鄰鰭部之間的襯底上，隔斷結構覆蓋鰭部端部，且...
								
            
							
            
							
						
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								      本申請公開了半導體器件的形成方法、半導體器件及電子裝置，該方法先對設置在基底的第一區(qū)域上的第一鰭結構覆蓋掩膜層以僅暴露基底的第二區(qū)域上的第二鰭結構，接著去除第二鰭結構中的第一納米材料層而保留其中的第二納米材料層，并在各第二納米材料層的外表面...
								
            
							
            
							
						
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								      本揭示內(nèi)容提供一種半導體結構。半導體結構包括基板、氮化鎵層、介電層、鈍化氧化物層及貫穿氮化鎵通孔。氮化鎵層在基板上。介電層在氮化鎵層上。鈍化氧化物層在介電層上。貫穿氮化鎵通孔貫穿氮化鎵層及介電層，其中貫穿氮化鎵通孔具有平坦側表面，平坦側表面...
								
            
							
            
							
						
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