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                  		最新專利技術(shù)
                  	
                  
          
                
          
                
          
                    
            
					
						
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								      本申請涉及制冷技術(shù)領(lǐng)域，公開一種電卡熱源組件，包括：換熱殼體和電卡芯片。換熱殼體圍合成換熱腔室，換熱殼體設置有與換熱腔室相連通的工質(zhì)入口和工質(zhì)出口。電卡芯片包括電卡膜層和襯底層，且電卡芯片設置于換熱腔室內(nèi)，從工質(zhì)入口流入的換熱工質(zhì)與電卡芯片...
								
            
							
            
							
						
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								      本申請涉及制冷技術(shù)領(lǐng)域，公開一種電卡換熱器件，包括：噴淋殼體，圍合成噴淋腔室，噴淋殼體設置有與噴淋腔室相連通的工質(zhì)入口和工質(zhì)出口；電卡噴淋換熱組件，設置于噴淋腔室內(nèi)，電卡噴淋換熱組件包括電卡制冷元件和向電卡制冷元件噴淋換熱工質(zhì)的噴淋元件，其...
								
            
							
            
							
						
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								      本申請?zhí)峁┮环N透鏡模塊及發(fā)光裝置，透鏡模塊包括透鏡、調(diào)節(jié)支架、基座、彈性抵壓部件、位置調(diào)節(jié)部件和鎖止件，透鏡安裝于調(diào)節(jié)支架，基座包括相連接的安裝座體和側(cè)圍殼體，彈性抵壓部件連接于安裝座體并將調(diào)節(jié)支架往安裝座體抵壓，位置調(diào)節(jié)部件包括第一調(diào)節(jié)件...
								
            
							
            
							
						
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								      本申請?zhí)峁┮环N阻尼組件，包括固定組件、第一彈性件、第一卡持件和阻尼擺臂。固定組件包括第一凸伸部，第一凸伸部包括第一轉(zhuǎn)動面，第一轉(zhuǎn)動面為圓弧面，第一轉(zhuǎn)動面用于確定沿第一方向延伸的軸線；第一卡持件抵持于第一彈性件；阻尼擺臂與第一轉(zhuǎn)動面相互配合，...
								
            
							
            
							
						
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								      本發(fā)明公開了TCR?T細胞的制備方法及其應用。本發(fā)明公開的制備TCR?T細胞的方法，包括：連接41BB的胞內(nèi)結(jié)構(gòu)域、CD3ζ信號域與TCR蛋白，得到重組TCR；將重組TCR的編碼基因?qū)隩細胞中，并使其得到表達，得到TCR?T細胞；其中，重...
								
            
							
            
							
						
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								      本申請?zhí)峁┮环N提高治療性抗體產(chǎn)品質(zhì)量和生產(chǎn)率的發(fā)酵工藝，使用倒置果錐振動生物反應器（IFSB），通過使用倒置果錐振動生物反應器（IFSB），能夠利用表層通氣與液相之間的氣液交換滿足供氣需求，并且無內(nèi)部混勻攪拌槳，通過整體振蕩驅(qū)動產(chǎn)生的渦流滿...
								
            
							
            
							
						
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								      本公開提供了一種車輛和應用于車輛的冷卻系統(tǒng)，其中，冷卻系統(tǒng)包括：控制模塊、駕駛艙制冷模塊、電池模塊和電池冷卻模塊，控制模塊與駕駛艙制冷模塊、電池冷卻模塊連接；控制模塊用于在接收到第一指令時，控制駕駛艙制冷模塊中的第一冷卻回路連通，使駕駛艙制...
								
            
							
            
							
						
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								      本發(fā)明公開工具輸送裝置和熱縮設備。工具輸送裝置包括：支架；一對帶輪，被轉(zhuǎn)動地安裝在支架上；環(huán)形帶，連接在一對帶輪之間；和多個保持工具，連接到環(huán)形帶上并彼此間隔開。保持工具包括：延伸部，適于被夾持在熱縮機的一對輸送帶之間，使得保持工具和環(huán)形帶...
								
            
							
            
							
						
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								      提供了一種富含黃酮類化合物的植物來源的外泌體樣囊泡及其制備方法。還提供了所述外泌體樣囊泡用于改善皮膚狀況的方法和用途，以及包含其的護膚品。
								
            
							
            
							
						
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								      本發(fā)明涉及一種烹飪裝置，該烹飪裝置包括：箱體；內(nèi)膽，內(nèi)膽內(nèi)形成烹飪腔；灶具，間隔地設于內(nèi)膽的上側(cè)；控制板，設于箱體的內(nèi)壁上；第一風道組件，設于內(nèi)膽的頂部與灶具的底部之間，第一風道組件中形成有散熱風路；散熱風路連通內(nèi)膽與灶具之間的區(qū)域和箱體的...
								
            
							
            
							
						
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								      公開了以下技術(shù)：用于使集線器應用能夠代表嵌入式應用執(zhí)行令牌代理，從而恢復針對該嵌入式應用的認證狀態(tài)，該嵌入式應用被嵌入在集線器應用中。執(zhí)行認證登錄事件以利用賬戶認證集線器應用。作為結(jié)果，集線器應用從令牌代理平臺接收第一訪問令牌，該第一訪問令...
								
            
							
            
							
						
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								      提供使用生物催化劑高效地由腈化合物制造酰胺化合物、且制造發(fā)泡性低的酰胺化合物水溶液的方法。在具有腈水合酶活性的生物催化劑的存在下使腈化合物進行水合反應來制造酰胺化合物的方法中，在水合反應的中途使反應液的pH上升。在一例中，與相對于所述反應液...
								
            
							
            
							
						
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								      本發(fā)明實施例提供了一種N型TOPCon電池及其制備方法，其中，本發(fā)明實施例所提供的N型TOPCon電池的制備方法，省去了對硼摻雜處理后硅片進行激光摻雜處理的步驟，但在電極燒結(jié)及光注入之后，對電池片進行激光照射同時施加偏轉(zhuǎn)電，使得激光形成的電...
								
            
							
            
							
						
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								      本揭示內(nèi)容的一些實施方式提供一種半導體元件，包含基板、多個第一導電型摻雜區(qū)、多個第二導電型摻雜區(qū)以及導電觸點。第一導電型摻雜區(qū)設置于基板中。第二導電型摻雜區(qū)設置于基板中。導電觸點設置于基板中，其中第一導電型摻雜區(qū)位于導電觸點與第二導電型摻雜...
								
            
							
            
							
						
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								      提供一種制備半導體裝置的方法，包含：提供基板；形成圖案化遮罩于基板上；使用圖案化遮罩蝕刻基板，以形成溝槽；沉積材料層于圖案化遮罩上與溝槽中，于溝槽中形成通道，其中材料層為寬能隙半導體材料；移除圖案化遮罩與位于圖案化遮罩上的材料層；以及形成多...
								
            
							
            
							
						
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								      本發(fā)明提供一種半導體器件及其制造方法，針對某些晶體管驅(qū)動不足時性能降低、飽和電流退化嚴重的問題，將這些晶體管溝道區(qū)上的柵氧化層由原先的第一柵氧化層和第二柵氧化層堆疊而成的雙層柵氧化層替換為一層更薄且質(zhì)量更致密的第三柵氧化層，且將這些晶體管的...
								
            
							
            
							
						
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								      本發(fā)明提供了一種半導體器件的制備方法，所述制備方法包括：提供半導體襯底，其上包括柵極結(jié)構(gòu)及位于柵極結(jié)構(gòu)兩側(cè)的源漏區(qū)域；在半導體襯底上依次形成第一側(cè)墻結(jié)構(gòu)及第二側(cè)墻結(jié)構(gòu)，第一側(cè)墻結(jié)構(gòu)及第二側(cè)墻結(jié)構(gòu)均包括位于柵極結(jié)構(gòu)側(cè)壁的側(cè)墻部，第一側(cè)墻結(jié)構(gòu)的...
								
            
							
            
							
						
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								      一種半導體結(jié)構(gòu)包括碳化硅基板、碳化硅緩沖層以及磊晶層。碳化硅緩沖層設置在碳化硅基板上。磊晶層設置在碳化硅緩沖層上，其中碳化硅緩沖層的碳摩爾數(shù)與硅摩爾數(shù)的比值沿著碳化硅基板至磊晶層的方向漸增。通過在形成磊晶層之前先形成具有梯度式變化的碳摩爾數(shù)...
								
            
							
            
							
						
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								      本公開提供一種包括半導體堆疊的晶體管裝置，半導體堆疊包括具有第一導電類型的漂移層、漂移層上方且具有第一導電類型的第一摻雜區(qū)域，以及漂移層上方且具有第二導電類型的第二摻雜區(qū)域，其中第二摻雜區(qū)域的深度大于第一摻雜區(qū)域的深度。晶體管裝置包括嵌入半...
								
            
							
            
							
						
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								      一種制造半導體裝置的方法，包含：提供基板，其中基板包含碳化硅材料；形成第一氧化物層，在第一溫度和氧氣的存在下，經(jīng)由熱氧化工藝在基板上形成第一氧化物層，其中第一溫度高于1000℃；形成第二氧化物層，在第二溫度下，經(jīng)由沉積工藝在第一氧化物層上形...
								
            
							
            
							
						
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