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								      本發明提供一種柵極側墻制作方法及半導體器件，在NMOS區域上的第一柵極結構和在PMOS區域的第二柵極結構的側壁形成柵極側墻時，先形成均包括第一膜層、第二膜層和第三膜層的側墻，其中，第二膜層的K值小于第一膜層和第三膜層的K值，而后去除所述第二...
								
            
							
            
							
						
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								      一種用層間電偶極子調控金屬?半導體接觸的方法，包括以下步驟：提供一二維范德華超晶格金屬材料和二維半導體；測試二維范德華超晶格金屬材料表面偶極子方向；根據需要通過機械剝離切換二維范德華超晶格金屬材料的終止面；將需要的二維范德華超晶格金屬材料與...
								
            
							
            
							
						
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								      一種具有高低壓元件及電容的半導體集成結構的制造方法，包括：形成底部熱氧化層于基板上；形成化學氣相沉積氧化層完全覆蓋底部熱氧化層；形成多晶硅硬屏蔽層完全覆蓋化學氣相沉積氧化層；蝕刻多晶硅硬屏蔽層，而同時形成高壓多晶硅硬屏蔽于高壓元件區與第一電...
								
            
							
            
							
						
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								      本申請提供了制備工程化和非工程化Vδ1T細胞的方法及其用途。Vδ1T細胞可用于治療各種癌癥、傳染病和免疫障礙。本申請還提供了用于將工程化和非工程化Vδ1T細胞群擴增至治療有用量的方法。工程化Vδ1T細胞可以是通用供體，并且可以施用于具有任何...
								
            
							
            
							
						
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								      雷達裝置具備：等間隔地配置的多個發送天線和等間隔地配置的多個接收天線；Ns個發送電路；Nr個接收電路；以及控制部。Ns和Nr分別為2以上的整數。多個發送天線和多個接收天線被配置為：在虛擬天線的群組之間虛擬位置重疊且發送電路和接收電路的組合不...
								
            
							
            
							
						
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								      根據本公開的實施例的電池模塊可以包括：殼體，該殼體形成外觀；電池單體，該電池單體容納在殼體的內部；電路單元，該電路單元位于殼體的內表面與電池單體之間，并且與電池單體連接以發送和接收電信號；溫度測量單元，該溫度測量單元位于電路單元的面對電池單...
								
            
							
            
							
						
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								      本發明公開了一種機器人多用焊接頭及其使用方法，包括安裝在所述機械臂上的視覺識別部以及轉換部，所述轉換部上安裝有弧焊部和點焊部，所述轉換部用于切換兩組焊接工作狀態。本發明能夠根據焊接需要快速切換焊接槍，避免切換焊接槍的繁瑣，提高生產效率；同時...
								
            
							
            
							
						
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								      本公開提供了一種處理器驗證方法、裝置、設備、存儲介質以及程序產品，涉及計算機技術領域，尤其涉及處理器技術、處理器驗證、芯片技術領域。具體實現方案為：響應于針對處理器的驗證請求，生成驗證文件，驗證文件包括中斷函數、目標數據和功能指令；在中斷函...
								
            
							
            
							
						
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								      本申請公開了一種技能施放漏洞的呈現方法及相關設備，可以展示技能可視化界面；響應于對技能施放歷史文件的讀取操作，對記錄的技能施放歷史文件進行解析，得到技能施放關鍵點的時序信息和參數信息；基于時序信息在技能關鍵點展示區域展示對應技能施放關鍵點的...
								
            
							
            
							
						
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								      本公開實施例涉及一種應用程序的繪制檢測方法、裝置、設備及介質，其中該方法包括：獲取目標應用程序從測試頁面切換到參考頁面之后的目標繪制數據，其中，目標繪制數據包括視圖繪制數據和繪制調用棧數據；基于視圖繪制數據和繪制調用棧數據確定測試頁面的繪制...
								
            
							
            
							
						
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								      公開一種信息處理裝置、信息處理方法和計算機可讀存儲介質。信息處理裝置可以包括確定單元，被配置成在從輸入數據提取的第一關鍵詞不包括在預定數據集中的與所述第一關鍵詞對應的第一子集中的情況下，確定需要針對所述輸入數據的輔助信息；以及輔助信息獲取單...
								
            
							
            
							
						
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								      本申請公開了一種基于分類模型的分類任務執行方法、裝置及設備，涉及人工智能技術領域。該方法包括：獲取與第一分類任務相關的第一文本；將第一文本與無語義字符進行結合，得到第一輸入信息；通過分類模型，根據第一輸入信息，得到多個子網絡分別對應的輸出信...
								
            
							
            
							
						
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								      本發明公開了一種結合圖神經網絡和提示調優的低資源文本分類方法，可以以雙管齊下的方式解決低資源文本分類問題，該方法包含以下步驟：導入數據集，其中包括低資源文本數據和圖；多模態特征提取，使用雙編碼器架構，通過一個transformer文本編碼器...
								
            
							
            
							
						
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								      本申請實施例公開一種文本分類方法、裝置、計算機設備及存儲介質。包括：通過獲取初始文本，通過預設的知識圖譜中的實體以及實體關系對初始文本進行文本匹配，得到目標文本；基于目標文本進行提示文本編寫，得到目標文本對應的提示文本；將目標文本和提示文本...
								
            
							
            
							
						
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								      本發明公開了一種面向司法領域的多跳問答方法，根據法律文本構建出多粒度圖，使用圖注意Transformer模型對多粒度圖進行建模，同時兼顧多粒度圖中的圖結構信息和遠節點的信息，并將圖信息融入文本信息中，對文本信息進行增強，提高模型的推理能力，...
								
            
							
            
							
						
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								      一種修復晶圓的方法包含研磨晶圓，以在晶圓的表面形成損傷層，執行第一退火工藝，以將損傷層的下部轉換成再生長層，且再生長層在晶圓上，在損傷層上形成金屬層，以及執行第二退火工藝，以將損傷層與金屬層轉換成合金層，且合金層在再生長層上。此方法可消除由...
								
            
							
            
							
						
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								      本申請提供一種半導體裝置及其形成方法。半導體裝置包括具有第一導電類型的襯底、形成于襯底上且具有第一導電類型的一外延層、具有第二導電類型的多個摻雜部、溝槽結構、具有第二導電類型的阱區以及形成于外延層上且對應阱區的一柵極結構。外延層包括形成于襯...
								
            
							
            
							
						
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								      本發明公開了一種具有半共形結構的二維材料/硅異質結光電探測器及其制備方法，所述的異質結光電器件包括金字塔硅、二氧化硅層、鉻/金電極、單層二維材料、原位生長的二維材料。所述制備方法具體步驟為：采用光刻和等離子刻蝕技術在硅/二氧化硅片上刻蝕出硅...
								
            
							
            
							
						
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								      本發明提供一種紅外和可見光芯片集成封裝結構及制作方法，將紅外芯片和可見光芯片集成在同一平面，紅外芯片和可見光芯片之間設有微流道，冷卻液通過微流道能夠對可見光芯片進行降溫，避免可見光芯片感光過程中產生的熱量對紅外芯片靈敏度產生影響，同時冷卻液...
								
            
							
            
							
						
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								      本發明涉及顯示領域，具體提供一種發光面板及制備方法以及顯示面板，旨在解決現有發光面板在最外圍區域存在暗淡的問題。為此目的，本發明的發光面板包括基板、擋墻和發光元件，基板包括第一區、圍繞第一區的第三區和位于第三區和第一區之間的第二區；擋墻設置...
								
            
							
            
							
						
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