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								      本申請涉及一種電池單體、電池及用電裝置。該電池單體包括電解液以及正極極片，所述電解液中含有電解質(zhì)鹽，所述電解質(zhì)鹽包括能夠在電池單體使用過程中釋放游離的鹵素離子的鹽，所述電解液中所述電解質(zhì)鹽的濃度A為0.5mol/L~2mol/L；所述正極極...
								
            
							
            
							
						
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								      本申請涉及一種電池單體、電池及用電裝置。該電池單體包括電解液，所述電解液中含有電解質(zhì)鹽，所述電解質(zhì)鹽包括能夠在電池單體使用過程中釋放游離的鹵素離子的鹽；及正極極片，所述正極極片包括復(fù)合集流體及設(shè)于所述復(fù)合集流體的至少一側(cè)的正極膜層；所述復(fù)合...
								
            
							
            
							
						
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								      本申請公開了一種電池單體、電池和用電裝置，電池單體包括電極組件和電解液，電極組件包括負(fù)極極片，負(fù)極極片包括負(fù)極集流體以及位于負(fù)極集流體至少一側(cè)的負(fù)極膜層，負(fù)極膜層包括負(fù)極活性材料，負(fù)極活性材料包括硅碳復(fù)合材料，硅碳復(fù)合材料包括具有孔結(jié)構(gòu)的碳...
								
            
							
            
							
						
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								      本發(fā)明提供一種電化學(xué)裝置和用電裝置，屬于二次電池技術(shù)領(lǐng)域，所述電化學(xué)裝置包括負(fù)極極片，所述負(fù)極極片包括負(fù)極集流體和負(fù)極活性物質(zhì)層，所述負(fù)極活性物質(zhì)層涂覆在所述負(fù)極集流體沿厚度方向的至少一面上；所述負(fù)極活性物質(zhì)層包括負(fù)極材料，所述負(fù)極材料包括...
								
            
							
            
							
						
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								      本公開提供了一種用于固結(jié)箔片堆的方法。該方法包括組合電池單元中電極堆的箔片以形成組合箔片堆。另外，該方法包括使用加熱壓模熱壓該組合箔片堆以形成固結(jié)箔片堆。此外，該方法包括使用激光焊機(jī)將固結(jié)箔片堆激光焊接至端子引線。
								
            
							
            
							
						
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								      本發(fā)明屬于電池領(lǐng)域，具體為一種大容量電池的制備方法。克服現(xiàn)有大容量電池，開包過程存在的選材難度較大、開包效率較低以及操作難度較大的技術(shù)問題。首先，將多個殼體第一區(qū)域上具有磁性開包組件的單體電池沿X方向排布，多個單體電池共用至少一個沿x方向延...
								
            
							
            
							
						
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								      本申請?zhí)峁┝艘环N石墨負(fù)極活性材料及其制備方法、二次電池和用電裝置，其中，所述石墨負(fù)極活性材料的石墨化度小于等于93％，且所述石墨負(fù)極活性材料滿足：La/Lc≥4.5，其中，La為通過XRD獲得的a軸方向的微晶尺寸，Lc為通過XRD獲得的c軸...
								
            
							
            
							
						
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								      本申請?zhí)峁┝艘环N硬碳材料及其制備方法、二次電池及用電裝置，所述硬碳材料的XRD衍射圖譜包含第一衍射峰，所述第一衍射峰位于2θ為26±0.5°處。所述硬碳材料作為二次電池的負(fù)極材料時，具有提高的可逆克容量和改善的首次庫倫效率。
								
            
							
            
							
						
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								      本申請涉及固態(tài)電池技術(shù)領(lǐng)域，進(jìn)一步涉及固態(tài)電池材料、正極活性材料層、正極膜、固體電解質(zhì)膜、固態(tài)電池、用電裝置和應(yīng)用。該固態(tài)電池材料包括包覆顆粒，包覆顆粒包括顆粒本體以及位于顆粒本體表面至少一部分的儲氧層，儲氧層包括儲氧材料；其中，包覆顆粒為...
								
            
							
            
							
						
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								      本申請?zhí)峁┝艘环N正極材料及其制備方法。所述正極材料包括尖晶石正極材料和碳包覆的磷酸鹽正極材料；其中，所述碳包覆的磷酸鹽正極材料的濁度值為1NTU至60NTU。本申請的正極材料的過渡金屬離子的溶出量低，兼具優(yōu)異的循環(huán)性能。
								
            
							
            
							
						
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								      本申請涉及一種正極活性層組合物、正極活性包覆顆粒、正極膜、固態(tài)電池、用電裝置和應(yīng)用。該正極活性層組合物包括正極活性包覆顆粒和正極電解質(zhì)顆粒；正極活性包覆顆粒包括正極活性本體以及包覆于正極活性本體至少一部分表面上的包覆層，包覆層包括第二包覆子...
								
            
							
            
							
						
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								      本申請涉及一種復(fù)合正極材料及其制備方法、正極、電池和用電裝置，復(fù)合正極材料包括核體和包覆層，核體含有富鋰錳基正極材料；包覆層包覆于所述核體的至少部分表面，所述包覆層包括鈣鈦礦材料和快離子導(dǎo)體材料。
								
            
							
            
							
						
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								      本申請?zhí)峁┝艘环N正極極片、及其制備方法、二次電池和用電裝置。本申請的正極極片具有較高的壓實密度。
								
            
							
            
							
						
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								      一種負(fù)極片、電池單體、電池及用電裝置，屬于電池技術(shù)領(lǐng)域；通過使設(shè)于內(nèi)層的第一負(fù)極活性材料層的體積容量密度大于設(shè)于外層的第二負(fù)極活性材料層的體積容量密度，也即內(nèi)層的高容量材料的添加量高于外層，從而降低其應(yīng)用作為電池時高容量材料和電解液接觸的概...
								
            
							
            
							
						
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								      一種極片、電極組件、電池單體及其制備方法、電池、用電裝置，屬于電池技術(shù)領(lǐng)域。極片的至少端部表面設(shè)置有保護(hù)層，保護(hù)層包括氧化硅，保護(hù)層的剪切強(qiáng)度G滿足：G≥110MPa。本申請的技術(shù)方案有利于提高電池單體的可靠性。
								
            
							
            
							
						
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								      一種極片、電極組件、電池單體及其制備方法、電池、用電裝置，屬于電池技術(shù)領(lǐng)域。極片的至少端部表面設(shè)置有保護(hù)層，保護(hù)層包括氧化硅；基于極片的第一位置的所有元素的總質(zhì)量計，Si元素的質(zhì)量含量A滿足：A<0.01wt％，第一位置為距離端部表面...
								
            
							
            
							
						
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								      一種極片、電極組件、電池單體及其制備方法、電池、用電裝置，屬于電池技術(shù)領(lǐng)域。極片的至少端部表面設(shè)置有保護(hù)層，保護(hù)層包括氧化鋁或氧化硅，保護(hù)層的最小電阻R滿足：R≥25Ω。本申請的技術(shù)方案中的保護(hù)層較為致密，有利于提高電池單體的可靠性。
								
            
							
            
							
						
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								      本申請?zhí)峁┝艘环N正極極片，正極極片包括正極膜層，正極膜層包含添加劑，添加劑包括酸性物質(zhì)、脫鋰物質(zhì)中的一種或多種；和/或，正極膜層包括正極活性材料，正極活性材料包括尖晶石結(jié)構(gòu)的含鋰錳復(fù)合氧化物，正極活性材料的結(jié)構(gòu)通式包括：Li1+a...
								
            
							
            
							
						
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								      本申請?zhí)峁┝艘环N鋰離子電池及用電裝置。鋰離子電池包括正極極片、負(fù)極極片和電解液；其中，所述正極極片包括包括正極活性材料，所述正極活性材料的鋰離子固相擴(kuò)散特征時間常數(shù)為Tp，所述負(fù)極極片包括負(fù)極活性材料，所述負(fù)極活性材料的鋰離子固相擴(kuò)散特征時...
								
            
							
            
							
						
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								      本申請?zhí)峁┝艘环N芯片封裝結(jié)構(gòu)及其制作方法、電子設(shè)備。其中，芯片封裝結(jié)構(gòu)包括：基板；芯片，芯片設(shè)于基板上；封裝層，封裝層設(shè)于基板上且環(huán)繞芯片，封裝層上形成有至少一個第一倒角結(jié)構(gòu)，第一倒角結(jié)構(gòu)設(shè)于封裝層上相鄰的兩個側(cè)壁之間。本申請能夠降低芯片封...
								
            
							
            
							
						
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