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          • 本申請公開了廢氣收集恒壓恒流機,涉及恒壓恒流機技術(shù)領(lǐng)域,而本發(fā)明包括箱體,所述箱體的上端固定設(shè)有四個吊孔,所述箱體的上端固定設(shè)有警報設(shè)備,所述箱體的一側(cè)開始有通風口,所述箱體的內(nèi)部設(shè)有集氣機構(gòu),所述箱體的內(nèi)部設(shè)有恒壓機構(gòu),所述箱體的一側(cè)設(shè)有...
          • 本發(fā)明涉及母胎運動檢測技術(shù)領(lǐng)域,公開了一種母胎運動檢測方法、裝置、母胎監(jiān)測設(shè)備及存儲介質(zhì)。本發(fā)明提供了一種母胎運動檢測方法,應用于母胎監(jiān)測設(shè)備,包括:在檢測時段內(nèi),采集母體的腹壁表面電信號,并檢測母體的腹部狀態(tài);識別腹壁表面電信號中的胎動信...
          • 一種咖啡機及其萃取裝置,該萃取裝置包括基座,包括設(shè)有注水口的蓋體;安裝架,與所述基座相鉸接;漏斗,配置為可拆卸插裝于所述安裝架;以及粉碗,設(shè)置在所述漏斗內(nèi),且碗口朝向所述蓋體;其中,所述安裝架配置為能轉(zhuǎn)動至所述蓋體密封所述粉碗的碗口的第一位...
          • 本申請公開一種釀造萃取單元和飲品機,涉及飲品制作技術(shù)領(lǐng)域。該釀造萃取單元包括:萃取支架,包括支架主體和設(shè)置于所述支架主體一端的支撐部;萃取容器,設(shè)有支撐配合部,所述支撐配合部設(shè)置成能自所述支撐部的第一端沿著所述支撐部滑動以與所述支撐部支撐配...
          • 提供了一種圖像編碼/解碼方法和裝置、存儲比特流的記錄介質(zhì)以及傳輸方法。圖像解碼方法包括以下步驟:確定當前塊是否處于幀內(nèi)模板匹配模式;在多個模板形狀候選中確定當前塊的模板形狀;根據(jù)模板形狀,基于當前模板來搜索參考模板;以及基于參考模板來生成當...
          • 本申請實施例提供一種半導體結(jié)構(gòu)及其制備方法,該半導體結(jié)構(gòu)包括:載板;多個發(fā)光單元,位于載板的一側(cè),每個發(fā)光單元包括沿載板的表面間隔設(shè)置、發(fā)光波長不同的第一發(fā)光結(jié)構(gòu)、第二發(fā)光結(jié)構(gòu)以及第三發(fā)光結(jié)構(gòu),第二發(fā)光結(jié)構(gòu)環(huán)繞第一發(fā)光結(jié)構(gòu),第三發(fā)光結(jié)構(gòu)環(huán)繞...
          • 本申請公開了一種光伏組件的貼膜方法及貼膜系統(tǒng),在所公開的貼膜方法中,將第一膜帶裁切成多個第一膜條,多個第一膜條沿第一方向陣列設(shè)置形成第一膜條組,驅(qū)動防護板移動至第一工位,并歸正;將第一膜條組沿第一方向分距鋪設(shè)后、加熱粘貼于位于第一工位的防護...
          • 本申請?zhí)峁┝艘环N固態(tài)成像器件及其加工方法和電子設(shè)備,該固態(tài)成像器件包括晶體管,該晶體管包括:基體材料層;柵極,該柵極位于該基體材料層上;側(cè)壁隔離層,該側(cè)壁隔離層位于該基體材料層上,該側(cè)壁隔離層與該柵極相鄰并位于該柵極兩側(cè);源極和漏極,該源極...
          • 一種標準單元版圖結(jié)構(gòu)、標準單元庫及版圖布線方法。所述標準單元版圖結(jié)構(gòu)包括:第一MOS管版圖結(jié)構(gòu);以及第二MOS管版圖結(jié)構(gòu);其中,所述第一MOS管版圖結(jié)構(gòu)與所述第二MOS管版圖結(jié)構(gòu)具有第一公共柵極區(qū);所述第一公共柵極區(qū)對應于所述第一MOS管版...
          • 本發(fā)明提出了陣列基板及其制作方法、顯示面板。陣列基板包括依次層疊設(shè)置在襯底基板上的第一透明電極、絕緣層和第二透明電極,其中,所述絕緣層的材料包括在形成所述絕緣層的過程中產(chǎn)生氫離子的絕緣材料;以及緩沖層,所述緩沖層設(shè)置在所述第一透明電極和所述...
          • 本申請實施例公開了一種半導體器件、半導體晶圓及制備方法、存儲系統(tǒng),半導體晶圓包括第一半導體基材、第二半導體基材及高K介電層,第二半導體基材與第一半導體基材相對設(shè)置;高K介電層設(shè)于第一半導體基材與第二半導體基材之間。本申請實施例提供的半導體晶...
          • 本申請實施例提供一種半導體器件及制備方法、封裝結(jié)構(gòu)、電子設(shè)備,涉及半導體技術(shù)領(lǐng)域,用于降低半導體器件的亞閾值擺幅以及器件功耗。該半導體器件包括:襯底;半導體層,半導體層設(shè)置在襯底上,半導體層包括源極區(qū)、離化區(qū)、以及設(shè)置在源極區(qū)和離化區(qū)之間的...
          • 本發(fā)明提供一種溝槽柵MOS器件及其制備方法,該溝槽柵MOS器件包括半導體結(jié)構(gòu)、體區(qū)、源區(qū)、第一溝槽結(jié)構(gòu)、第二溝槽結(jié)構(gòu)、源極、柵極及漏極,其中,半導體結(jié)構(gòu)包括層疊的緩沖層及漂移區(qū);體區(qū)位于漂移區(qū)上表層;源區(qū)位于體區(qū)上表層;第一溝槽結(jié)構(gòu)包括第一...
          • 本申請?zhí)峁┮环N半導體器件、制備方法、集成電路及電子設(shè)備,半導體器件包括溝道層、溝道層上方的介質(zhì)層、位于溝道層和介質(zhì)層的相對兩側(cè)的源極區(qū)和漏極區(qū)、以及金屬柵結(jié)構(gòu),介質(zhì)層包括環(huán)形的第一介質(zhì)區(qū)和位于第一介質(zhì)區(qū)的相對兩側(cè)的第二介質(zhì)區(qū),金屬柵結(jié)構(gòu)包裹...
          • 本申請實施例公開一種半導體器件及其制備方法、功率開關(guān)器件、電子設(shè)備,涉及半導體技術(shù)領(lǐng)域。該半導體器件包括襯底、溝道層、勢壘層、柵帽層、第一鈍化層、第二鈍化層、源極和漏極。襯底具有第一表面。溝道層、勢壘層、柵帽層依次層疊設(shè)置在第一表面上。第一...
          • 電子裝置及終端設(shè)備。該電子裝置包括第一殼體、中間部件和第二殼體;該第一殼體和該第二殼體固定連接;該中間部件固定于該第一殼體和該第二殼體形成的空腔內(nèi);該第一殼體包括外表面和內(nèi)表面,該內(nèi)表面為朝向該中間部件的一側(cè)表面,該外表面為與該內(nèi)表面的朝向...
          • 本申請公開了一種通信方法及裝置,其中,該方法包括:接收網(wǎng)絡(luò)設(shè)備發(fā)送的第一下行鏈路控制信息DCI,第一DCI指示半靜態(tài)調(diào)度SPS配置的物理下行鏈路共享信道PDSCH傳輸時機的使用情況。基于該方法,終端設(shè)備可以確定SPS配置的PDSCH傳輸時機...
          • 本申請?zhí)峁┮环N揚聲器保護方法、電子設(shè)備及計算機可讀存儲介質(zhì),涉及終端技術(shù)領(lǐng)域,該方法應用于包括功率放大器和揚聲器的電子設(shè)備,功率放大器與揚聲器連接。該揚聲器保護方法具體包括以下過程:顯示第一界面,第一界面包括用于觸發(fā)啟動揚聲器播放音頻數(shù)據(jù)的...
          • 本申請?zhí)峁┝艘环N自動對焦方法、電子設(shè)備、存儲介質(zhì)及程序產(chǎn)品,屬于電子設(shè)備技術(shù)領(lǐng)域。所述方法包括:啟動RGB圖像傳感器和深度圖像傳感器;RGB圖像傳感器對第N幀的RGB數(shù)據(jù)進行曝光處理,深度圖像傳感器對第N幀對應的深度數(shù)據(jù)進行處理;RGB圖像...
          • 本申請公開了一種頻偏估計方法、終端設(shè)備及存儲介質(zhì),涉及無線通信技術(shù)領(lǐng)域。該方法包括:獲取連續(xù)的M個子幀信號中的第一時隙數(shù)據(jù),并對第一時隙數(shù)據(jù)進行調(diào)制信息消除,得到對應的頻譜數(shù)據(jù);根據(jù)接收時間順序,將對應的頻譜數(shù)據(jù)兩兩分組,在每組頻譜數(shù)據(jù)中添...
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