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          • 本申請公開了一種文本糾錯方法、裝置、設備、存儲介質及程序產品,屬于計算機技術領域,涉及人工智能中的自然語言處理技術。該方法包括:獲取待糾錯的第一文本;對第一文本進行糾錯,得到第二文本;對第二文本中的非必要糾錯內容進行校正,得到第三文本,非必...
          • 一種數據分類管理方法,方法包括:將待分類文本輸入第一分類模型,第一分類模型根據待分類文本確定關鍵信息;根據關鍵信息獲得語義特征;語義特征是包括多個關鍵單詞的詞向量和詞頻特征的特征向量;根據語義特征確定待分類文本的屬性信息,屬性信息包括第一屬...
          • 本發明公開了壓裂過程不同壓裂事件識別方法、裝置、電子設備及介質。該方法包括:利用數據采集模塊收集壓裂過程中的壓裂數據;基于數據特征強化模塊對壓裂數據進行特征強化,得到目標數據;根據數據預處理模塊對目標數據進行預處理,得到預處理數據;利用數據...
          • 本申請提供了一種課件美化方法、裝置、電子設備和存儲介質,該方法包括:對待美化的課件頁的文本元素進行層級分類,得到上述文本元素的文本層級;根據上述文本層級,確定上述課件頁中目標文本層級的文本元素的語義信息,并根據上述語義信息,確定上述目標文本...
          • 本發明公開了一種網頁圖片拼接的方法和裝置,涉及軟件測試技術領域。該方法的一具體實施方式包括:響應于接收到圖片拼接請求,獲取待拼接網頁的首屏圖和非首屏圖,首屏圖和非首屏圖有部分重疊;分別識別出首屏圖中各個圖片組成元素的首屏位置信息和非首屏圖中...
          • 本發明公開了一種圖像對比的方法和裝置,涉及計算機技術領域。該方法的一具體實施方式包括:響應于接收到圖像對比請求,獲取基準網頁圖和實驗網頁圖;分別從基準網頁圖和實驗網頁圖中提取出基準圖片和實驗圖片;對比基準圖片和實驗圖片之間的相似度,并在相似...
          • 本發明涉及民航應急指揮災備,公開了民航系統飛行用應急指揮和災備服務系統,包括智能預測與預警模塊,用于分析歷史數據、天氣預報信息,預測潛在的飛行危險和挑戰,并提供實時的預警和建議;應急指揮模塊,與所述智能預測與預警模塊連接,用于處理飛行中的緊...
          • 本申請公開了半導體結構的形成方法、半導體結構及電子裝置,該方法通過在基底上保形的形成掩膜疊層,該掩膜疊層包括掩膜層和位于掩膜層上的掩膜保護層,且掩膜層的厚度大于位于基底的襯底內的零層標記的深度,進而以該掩膜疊層為掩膜在襯底的器件區形成溝道結...
          • 本發明實施例提供一種半導體結構的形成方法,包括:提供基底,所述基底上具有柵極結構,所述柵極結構兩側的基底內具有源漏摻雜區,所述柵極結構露出所述源漏摻雜區;對所述柵極結構至少一側的源漏摻雜區進行改性處理,以使所述柵極結構兩側的源漏摻雜區表面形...
          • 本公開實施例提供一種發光基板、定位裝置、點膠設備和顯示裝置。發光基板包括發光區和邊框區,在基底一側依次疊層設置有第一金屬層、第一鈍化層、第一有機層、第二金屬層和第二有機層,第一金屬層包括位于發光區的第一金屬走線,第二金屬層包括位于發光區的第...
          • 本申請請求保護一種電源管理電路。該電源管理電路具有至少兩條充電路徑,其中一者是耦接在總線端子與儲能端子之間的預充電電路,另一者為耦接在總線端子與儲能端子之間的開關充電電路。該電源管理電路至少具有常規工作模式和旁路模式,在所述常規工作模式下,...
          • 提供了一種用于無線通信的方法、終端設備及網絡設備,以便于終端設備在傳輸時延較長的NTN系統中執行基于半雙工模式的無線通信。該方法包括:第一終端設備根據第一指示信息確定與半雙工通信相關的第一資源;其中,所述第一資源用于所述第一終端設備在NTN...
          • 本發明實施例提供半導體裝置。半導體裝置包括基板、柵極結構、第一層間介電層、漏極結構、第二層間介電層以及第一場板。柵極結構設置于基板上。第一層間介電層設置于基板上,且部分覆蓋基板以及柵極結構。漏極結構設置于基板上,且位于柵極結構的第一側。漏極...
          • 一種鏈型半導體器件及其制造方法,本發明涉及于功率半導體器件,為解決目前蔽柵溝槽型場效應管器件結構長條狀接觸孔與柵電極的距離的不一致導致閾值電壓的一致性,本發明通過增設第三類溝槽,并將的第一類溝槽、第二類溝槽和第三類溝槽組成鏈型溝槽結構,使得...
          • 本揭示內容提供一種半導體結構。半導體結構包括基板、氮化鎵層、介電層、鈍化氧化物層及貫穿氮化鎵通孔。氮化鎵層在基板上。介電層在氮化鎵層上。鈍化氧化物層在介電層上。貫穿氮化鎵通孔貫穿氮化鎵層及介電層,其中貫穿氮化鎵通孔具有平坦側表面,平坦側表面...
          • 本申請公開了半導體器件的形成方法、半導體器件及電子裝置,該方法先對設置在基底的第一區域上的第一鰭結構覆蓋掩膜層以僅暴露基底的第二區域上的第二鰭結構,接著去除第二鰭結構中的第一納米材料層而保留其中的第二納米材料層,并在各第二納米材料層的外表面...
          • 一種半導體結構及其形成方法,半導體結構包括:隔斷結構,位于鰭部的延長線上且位于相鄰鰭部之間的襯底上,隔斷結構覆蓋鰭部的端部,且隔斷結構的頂部與鰭部的頂部相齊平。由于隔斷結構位于鰭部延長線上且位于相鄰鰭部之間的襯底上,隔斷結構覆蓋鰭部端部,且...
          • 本發明公開了一種圖像傳感器及電子設備,圖像傳感器具有像素區、位于像素區外圍的外圍邏輯區以及位于像素區和外圍邏輯區之間的過渡區,其中:像素區內設有第一金屬格柵,外圍邏輯區內設有外圍遮光金屬塊,過渡區設有應力阻斷結構或/和應力漸變結構,應力阻斷...
          • 本發明提供了一種太陽能電池的制備方法和太陽能電池,所述方法包括:確定目標硅片的第一表面對應的主柵線圖案和細柵線圖案;第一表面為目標硅片中需要印刷電極的表面;根據主柵線圖案和細柵線圖案,確定第一表面對應的電極圖案;按照電極圖案,在第一表面印刷...
          • 本公開屬于半導體技術領域,提供了一種Micro?LED及其制備方法。Micro?LED包括外延結構、n型電極、p型電極,金屬場板與n型電極的第一區域或p型電極的第二區域相連,并覆蓋整個側壁表面的鈍化層或延伸至側壁表面對應有源區的鈍化層處。制...
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