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            拖動滑塊完成拼圖
        
          
        
          
    
          
    
          
        
          
        
          
    
          

          














          
    
    
          
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								      一種高離子電導(dǎo)率聚合物電解質(zhì)組合物，所述聚合物電解質(zhì)組合物包括聚合物基底和納米顆粒填料，所述納米顆粒填料包括超小納米顆粒，所述超小納米顆粒表面接枝有導(dǎo)離子聚合物短鏈分子，所述超小納米顆粒的粒徑小于導(dǎo)離子聚合物短鏈分子的回轉(zhuǎn)半徑。本發(fā)明的納米...
								
            
							
            
							
						
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								      本發(fā)明提供了一種電池。本發(fā)明的電池包括負極和電解液，其中，電解液包括環(huán)狀腈類化合物，以電解液的總質(zhì)量為基準，環(huán)狀腈類化合物的質(zhì)量含量為x wt％，負極包括負極集流體和在負極集流體任意一側(cè)表面的負極活性物質(zhì)層，負極活性物質(zhì)層含有凹部，凹部的寬...
								
            
							
            
							
						
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								      本發(fā)明公開了一種全電扣式電池的制作方法，包括以下步驟：A1、殼體制作：殼體采用全金屬或金屬加塑料進行制作；A2、正、負極漿料制作；A3、正、負極蓋組制作；A4、填充；A5、干燥加工；A6、壓合；A7、浸泡；A8、隔膜加工；A9、成型。本發(fā)明...
								
            
							
            
							
						
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								      本申請?zhí)峁┮环N正極活性材料及其制備方法、正極極片、二次電池和用電裝置，正極活性材料包括鋰過渡金屬氧化物和包覆于所述鋰過渡金屬氧化物至少部分表面的導(dǎo)離子層，所述導(dǎo)離子層包含稀土溴化物固態(tài)電解質(zhì)。本申請?zhí)峁┑恼龢O活性材料可提升全固態(tài)電池的庫倫效...
								
            
							
            
							
						
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								      本公開提供了一種封裝芯片及其制作方法、電子設(shè)備，封裝芯片包括基板、芯片和封裝部，基板包括設(shè)置于基板的表面的電連接部和接地部，電連接部與接地部間隔設(shè)置，芯片設(shè)置于基板的表面并與電連接部接觸。封裝部包括覆蓋芯片的絕緣層，以及覆蓋絕緣層的屏蔽層，...
								
            
							
            
							
						
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								      一種半導(dǎo)體結(jié)構(gòu)及其形成方法，形成方法包括：提供基底；在基底上形成互連金屬層；形成覆蓋互連金屬層的平坦化層，平坦化層與互連金屬層電連接；在平坦化層頂部形成互連通孔結(jié)構(gòu)，互連通孔結(jié)構(gòu)與平坦化層電連接。本發(fā)明有利于保障半導(dǎo)體結(jié)構(gòu)的性能。
								
            
							
            
							
						
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								      一種半導(dǎo)體結(jié)構(gòu)及其形成方法、封裝結(jié)構(gòu)及方法，半導(dǎo)體結(jié)構(gòu)包括：基底，基底中形成有多個相間隔的互連層；互連焊墊，位于互連層上且與互連層電連接；導(dǎo)電層，位于基底中，導(dǎo)電層包括相連的多個環(huán)狀結(jié)構(gòu)，環(huán)狀結(jié)構(gòu)環(huán)繞互連焊墊。本發(fā)明有利于提高半導(dǎo)體結(jié)構(gòu)的形...
								
            
							
            
							
						
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								      一種半導(dǎo)體結(jié)構(gòu)及其形成方法，其中形成方法包括：提供第一襯底；在所述第一襯底上形成剝離層；在所述剝離層表面形成第一互連層，所述互連層包括與所述剝離層相接觸的剝離面；提供第二晶圓；將所述第一襯底與所述第二晶圓鍵合，使所述第一互連層與所述第二晶圓...
								
            
							
            
							
						
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								      一種半導(dǎo)體結(jié)構(gòu)及其形成方法，其中，形成方法包括：提供初始襯底；對所述初始襯底進行預(yù)埋處理以形成第一晶圓，所述第一晶圓包括基底、位于所述基底上的剝離層以及位于所述剝離層上的有源層；提供第二晶圓，所述第二晶圓包括襯底以及所述襯底上的第一器件層；...
								
            
							
            
							
						
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								      本申請實施例提供了一種承載裝置及半導(dǎo)體工藝設(shè)備，涉及半導(dǎo)體工藝技術(shù)領(lǐng)域，其中，所述承載裝置包括：基座、支撐機構(gòu)和夾持機構(gòu)；支撐機構(gòu)沿豎直方向穿設(shè)于基座，夾持機構(gòu)設(shè)于基座的外周，基座能夠相對支撐機構(gòu)升降；在基座由第一位置升高至第二位置的情況下...
								
            
							
            
							
						
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								      本發(fā)明提供一種硅片溫度控制方法及硅片傳送裝置、存儲介質(zhì)。硅片溫度控制方法中，并行執(zhí)行步驟A和步驟B，且控制承片臺不晚于上片轉(zhuǎn)移機構(gòu)到達上片交接位置，可以保證上片轉(zhuǎn)移機構(gòu)到達上片交接位置后第一時間便將硅片交接給承片臺。相較于現(xiàn)有技術(shù)中按序執(zhí)行...
								
            
							
            
							
						
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								      本發(fā)明提供了一種晶圓解鍵合方法和晶圓解鍵合裝置，涉及半導(dǎo)體設(shè)備技術(shù)領(lǐng)域，提供待解鍵合晶圓，所述待解鍵合晶圓包括相貼合的第一晶圓和第二晶圓，所述第一晶圓和所述第二晶圓之間形成所述待解鍵合晶圓的鍵合層，卡盤組件吸附所述待解鍵合晶圓；利用噴頭將流...
								
            
							
            
							
						
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								      本申請?zhí)峁┮环N驅(qū)動機構(gòu)，涉及配電設(shè)備技術(shù)領(lǐng)域。該驅(qū)動機構(gòu)應(yīng)用于旋轉(zhuǎn)開關(guān)。該驅(qū)動機構(gòu)包括轉(zhuǎn)軸模塊、鎖扣、操作件、第一彈性件和第二彈性件。其中，鎖扣轉(zhuǎn)動連接于轉(zhuǎn)軸模塊。操作件安裝于轉(zhuǎn)軸模塊。第一彈性件抵接操作件和轉(zhuǎn)軸模塊。第二彈性件抵接操作件和...
								
            
							
            
							
						
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								      本申請?zhí)峁┮环N驅(qū)動機構(gòu)、旋轉(zhuǎn)開關(guān)及配電系統(tǒng)，涉及電氣設(shè)備技術(shù)領(lǐng)域。該驅(qū)動機構(gòu)中轉(zhuǎn)軸模塊在第一位置時，殼體鎖定轉(zhuǎn)軸模塊的第一鎖定部。鎖扣連接于轉(zhuǎn)軸模塊或殼體。第一彈性件的第一端固定連接于轉(zhuǎn)軸模塊，第二端能夠在操作軸的帶動下動作，以被鎖扣鎖定。...
								
            
							
            
							
						
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								      本申請實施例提供一種驅(qū)動機構(gòu)。該驅(qū)動機構(gòu)包括轉(zhuǎn)軸模塊、鎖扣、操作件、第一彈性件和第二彈性件。鎖扣連接于轉(zhuǎn)軸模塊。操作件安裝于轉(zhuǎn)軸模塊。第一彈性件抵接操作件和轉(zhuǎn)軸模塊。第二彈性件抵接操作件和轉(zhuǎn)軸模塊。旋轉(zhuǎn)開關(guān)處于分閘狀態(tài)時，操作件能夠從第一位...
								
            
							
            
							
						
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								      本申請公開了一種搭扣結(jié)構(gòu)及旋轉(zhuǎn)開關(guān)，涉及電氣開關(guān)技術(shù)領(lǐng)域，該搭扣結(jié)構(gòu)包括相互配合的鎖扣件和跳扣件。鎖扣件與跳扣件處于第一搭扣狀態(tài)時，跳扣件對鎖扣件施加第一作用力，第一作用力產(chǎn)生的第一力矩能夠使鎖扣件鎖定跳扣件。鎖扣件與跳扣件處于第二搭扣狀態(tài)...
								
            
							
            
							
						
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								      本申請實施例提供一種信息處理方法、裝置和系統(tǒng)。信息處理方法由計算機執(zhí)行，包括：獲取對象在預(yù)設(shè)時間段內(nèi)生命體征相關(guān)參數(shù)的數(shù)值；確定所述生命體征相關(guān)參數(shù)的數(shù)值處于預(yù)設(shè)數(shù)值區(qū)間內(nèi)的時間長度；以及根據(jù)所述預(yù)設(shè)數(shù)值區(qū)間對應(yīng)的所述時間長度以及所述預(yù)設(shè)數(shù)...
								
            
							
            
							
						
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								      本申請實施例公開一種存儲器裝置的編程方法、存儲器裝置及存儲器系統(tǒng)。該編程方法包括：對選定字線施加編程電壓；對與所述選定字線相鄰的第一字線施加第一通過電壓；及對與所述選定字線相鄰的第二字線施加第二通過電壓；其中，所述第一通過電壓與所述第二通過...
								
            
							
            
							
						
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								      本公開提供一種新型無電容動態(tài)隨機存儲裝置，包括：N型寫晶體管、P型讀晶體管以及設(shè)置在N型寫晶體管和P型讀晶體管之間的互連結(jié)構(gòu)，N型寫晶體管設(shè)置在P型讀晶體管的上方；N型寫晶體管的端口包括N管源極WBL端、N管漏極以及N管柵極WWL端，N型寫...
								
            
							
            
							
						
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								      本發(fā)明公開了一種熱輔助磁頭，其包括滑塊以及設(shè)于滑塊的光源單元，通過提供中轉(zhuǎn)焊盤，且滑塊的第一光源焊盤與滑塊的第二光源焊盤并排設(shè)置于同一直線上，中轉(zhuǎn)焊盤不在該直線上，并使光源單元的第一極與第一光源焊盤電氣連接，光源單元的第二極與第二光源焊盤分...
								
            
							
            
							
						
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