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            拖動(dòng)滑塊完成拼圖
        
          
        
          
    
          
    
          
        
          
        
          
    
          

          














          
    
    
          
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                  		最新專利技術(shù)
                  	
                  
          
                
          
                
          
                    
            
					
						
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								      本發(fā)明公開了壓裂過程不同壓裂事件識別方法、裝置、電子設(shè)備及介質(zhì)。該方法包括：利用數(shù)據(jù)采集模塊收集壓裂過程中的壓裂數(shù)據(jù)；基于數(shù)據(jù)特征強(qiáng)化模塊對壓裂數(shù)據(jù)進(jìn)行特征強(qiáng)化，得到目標(biāo)數(shù)據(jù)；根據(jù)數(shù)據(jù)預(yù)處理模塊對目標(biāo)數(shù)據(jù)進(jìn)行預(yù)處理，得到預(yù)處理數(shù)據(jù)；利用數(shù)據(jù)...
								
            
							
            
							
						
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								      本申請?zhí)峁┝艘环N課件美化方法、裝置、電子設(shè)備和存儲介質(zhì)，該方法包括：對待美化的課件頁的文本元素進(jìn)行層級分類，得到上述文本元素的文本層級；根據(jù)上述文本層級，確定上述課件頁中目標(biāo)文本層級的文本元素的語義信息，并根據(jù)上述語義信息，確定上述目標(biāo)文本...
								
            
							
            
							
						
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								      本發(fā)明公開了一種網(wǎng)頁圖片拼接的方法和裝置，涉及軟件測試技術(shù)領(lǐng)域。該方法的一具體實(shí)施方式包括：響應(yīng)于接收到圖片拼接請求，獲取待拼接網(wǎng)頁的首屏圖和非首屏圖，首屏圖和非首屏圖有部分重疊；分別識別出首屏圖中各個(gè)圖片組成元素的首屏位置信息和非首屏圖中...
								
            
							
            
							
						
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								      本發(fā)明公開了一種圖像對比的方法和裝置，涉及計(jì)算機(jī)技術(shù)領(lǐng)域。該方法的一具體實(shí)施方式包括：響應(yīng)于接收到圖像對比請求，獲取基準(zhǔn)網(wǎng)頁圖和實(shí)驗(yàn)網(wǎng)頁圖；分別從基準(zhǔn)網(wǎng)頁圖和實(shí)驗(yàn)網(wǎng)頁圖中提取出基準(zhǔn)圖片和實(shí)驗(yàn)圖片；對比基準(zhǔn)圖片和實(shí)驗(yàn)圖片之間的相似度，并在相似...
								
            
							
            
							
						
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								      本發(fā)明涉及民航應(yīng)急指揮災(zāi)備，公開了民航系統(tǒng)飛行用應(yīng)急指揮和災(zāi)備服務(wù)系統(tǒng)，包括智能預(yù)測與預(yù)警模塊，用于分析歷史數(shù)據(jù)、天氣預(yù)報(bào)信息，預(yù)測潛在的飛行危險(xiǎn)和挑戰(zhàn)，并提供實(shí)時(shí)的預(yù)警和建議；應(yīng)急指揮模塊，與所述智能預(yù)測與預(yù)警模塊連接，用于處理飛行中的緊...
								
            
							
            
							
						
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								      本申請公開了半導(dǎo)體結(jié)構(gòu)的形成方法、半導(dǎo)體結(jié)構(gòu)及電子裝置，該方法通過在基底上保形的形成掩膜疊層，該掩膜疊層包括掩膜層和位于掩膜層上的掩膜保護(hù)層，且掩膜層的厚度大于位于基底的襯底內(nèi)的零層標(biāo)記的深度，進(jìn)而以該掩膜疊層為掩膜在襯底的器件區(qū)形成溝道結(jié)...
								
            
							
            
							
						
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								      本發(fā)明實(shí)施例提供一種半導(dǎo)體結(jié)構(gòu)的形成方法，包括：提供基底，所述基底上具有柵極結(jié)構(gòu)，所述柵極結(jié)構(gòu)兩側(cè)的基底內(nèi)具有源漏摻雜區(qū)，所述柵極結(jié)構(gòu)露出所述源漏摻雜區(qū)；對所述柵極結(jié)構(gòu)至少一側(cè)的源漏摻雜區(qū)進(jìn)行改性處理，以使所述柵極結(jié)構(gòu)兩側(cè)的源漏摻雜區(qū)表面形...
								
            
							
            
							
						
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								      本公開實(shí)施例提供一種發(fā)光基板、定位裝置、點(diǎn)膠設(shè)備和顯示裝置。發(fā)光基板包括發(fā)光區(qū)和邊框區(qū)，在基底一側(cè)依次疊層設(shè)置有第一金屬層、第一鈍化層、第一有機(jī)層、第二金屬層和第二有機(jī)層，第一金屬層包括位于發(fā)光區(qū)的第一金屬走線，第二金屬層包括位于發(fā)光區(qū)的第...
								
            
							
            
							
						
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								      本申請請求保護(hù)一種電源管理電路。該電源管理電路具有至少兩條充電路徑，其中一者是耦接在總線端子與儲能端子之間的預(yù)充電電路，另一者為耦接在總線端子與儲能端子之間的開關(guān)充電電路。該電源管理電路至少具有常規(guī)工作模式和旁路模式，在所述常規(guī)工作模式下，...
								
            
							
            
							
						
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								      提供了一種用于無線通信的方法、終端設(shè)備及網(wǎng)絡(luò)設(shè)備，以便于終端設(shè)備在傳輸時(shí)延較長的NTN系統(tǒng)中執(zhí)行基于半雙工模式的無線通信。該方法包括：第一終端設(shè)備根據(jù)第一指示信息確定與半雙工通信相關(guān)的第一資源；其中，所述第一資源用于所述第一終端設(shè)備在NTN...
								
            
							
            
							
						
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								      本發(fā)明實(shí)施例提供半導(dǎo)體裝置。半導(dǎo)體裝置包括基板、柵極結(jié)構(gòu)、第一層間介電層、漏極結(jié)構(gòu)、第二層間介電層以及第一場板。柵極結(jié)構(gòu)設(shè)置于基板上。第一層間介電層設(shè)置于基板上，且部分覆蓋基板以及柵極結(jié)構(gòu)。漏極結(jié)構(gòu)設(shè)置于基板上，且位于柵極結(jié)構(gòu)的第一側(cè)。漏極...
								
            
							
            
							
						
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								      一種鏈型半導(dǎo)體器件及其制造方法，本發(fā)明涉及于功率半導(dǎo)體器件，為解決目前蔽柵溝槽型場效應(yīng)管器件結(jié)構(gòu)長條狀接觸孔與柵電極的距離的不一致導(dǎo)致閾值電壓的一致性，本發(fā)明通過增設(shè)第三類溝槽，并將的第一類溝槽、第二類溝槽和第三類溝槽組成鏈型溝槽結(jié)構(gòu)，使得...
								
            
							
            
							
						
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								      本揭示內(nèi)容提供一種半導(dǎo)體結(jié)構(gòu)。半導(dǎo)體結(jié)構(gòu)包括基板、氮化鎵層、介電層、鈍化氧化物層及貫穿氮化鎵通孔。氮化鎵層在基板上。介電層在氮化鎵層上。鈍化氧化物層在介電層上。貫穿氮化鎵通孔貫穿氮化鎵層及介電層，其中貫穿氮化鎵通孔具有平坦側(cè)表面，平坦側(cè)表面...
								
            
							
            
							
						
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								      本申請公開了半導(dǎo)體器件的形成方法、半導(dǎo)體器件及電子裝置，該方法先對設(shè)置在基底的第一區(qū)域上的第一鰭結(jié)構(gòu)覆蓋掩膜層以僅暴露基底的第二區(qū)域上的第二鰭結(jié)構(gòu)，接著去除第二鰭結(jié)構(gòu)中的第一納米材料層而保留其中的第二納米材料層，并在各第二納米材料層的外表面...
								
            
							
            
							
						
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								      一種半導(dǎo)體結(jié)構(gòu)及其形成方法，半導(dǎo)體結(jié)構(gòu)包括：隔斷結(jié)構(gòu)，位于鰭部的延長線上且位于相鄰鰭部之間的襯底上，隔斷結(jié)構(gòu)覆蓋鰭部的端部，且隔斷結(jié)構(gòu)的頂部與鰭部的頂部相齊平。由于隔斷結(jié)構(gòu)位于鰭部延長線上且位于相鄰鰭部之間的襯底上，隔斷結(jié)構(gòu)覆蓋鰭部端部，且...
								
            
							
            
							
						
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								      本發(fā)明公開了一種圖像傳感器及電子設(shè)備，圖像傳感器具有像素區(qū)、位于像素區(qū)外圍的外圍邏輯區(qū)以及位于像素區(qū)和外圍邏輯區(qū)之間的過渡區(qū)，其中：像素區(qū)內(nèi)設(shè)有第一金屬格柵，外圍邏輯區(qū)內(nèi)設(shè)有外圍遮光金屬塊，過渡區(qū)設(shè)有應(yīng)力阻斷結(jié)構(gòu)或/和應(yīng)力漸變結(jié)構(gòu)，應(yīng)力阻斷...
								
            
							
            
							
						
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								      本發(fā)明提供了一種太陽能電池的制備方法和太陽能電池，所述方法包括：確定目標(biāo)硅片的第一表面對應(yīng)的主柵線圖案和細(xì)柵線圖案；第一表面為目標(biāo)硅片中需要印刷電極的表面；根據(jù)主柵線圖案和細(xì)柵線圖案，確定第一表面對應(yīng)的電極圖案；按照電極圖案，在第一表面印刷...
								
            
							
            
							
						
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								      本公開屬于半導(dǎo)體技術(shù)領(lǐng)域，提供了一種Micro?LED及其制備方法。Micro?LED包括外延結(jié)構(gòu)、n型電極、p型電極，金屬場板與n型電極的第一區(qū)域或p型電極的第二區(qū)域相連，并覆蓋整個(gè)側(cè)壁表面的鈍化層或延伸至側(cè)壁表面對應(yīng)有源區(qū)的鈍化層處。制...
								
            
							
            
							
						
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								      [技術(shù)問題]為了實(shí)現(xiàn)更高的分辨率并且提高拍攝圖像的圖像質(zhì)量。[解決方案]光檢測裝置包括：多個(gè)像素，各所述像素累積與入射光的光量相對應(yīng)的電荷；多個(gè)第一像素電路，各所述第一像素電路包括在同一時(shí)刻保持與累積在所述多個(gè)像素中的電荷相對應(yīng)的電壓信號的...
								
            
							
            
							
						
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								      本發(fā)明提供一種智慧移動(dòng)收納柜，其主要包括:一柜體、一處理器及一用戶端電子裝置，該柜體底部設(shè)一移動(dòng)裝置，該處理器設(shè)于該柜體，其具有一控制單元、一通訊模組及一電源模組，該電源模組、該通訊模組及該移動(dòng)裝置分別與該控制單元電性連接，該用戶端電子裝置...
								
            
							
            
							
						
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