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								      本申請(qǐng)?zhí)峁┮环N半導(dǎo)體器件及其制作方法、電子設(shè)備，涉及半導(dǎo)體技術(shù)領(lǐng)域。半導(dǎo)體器件包括基于GaN的HEMT器件，其中HEMT器件包括：襯底、寄生溝道層、外延層和電極層；寄生溝道層和外延層沿襯底的厚度方向且遠(yuǎn)離襯底的方向依次設(shè)置于襯底上；電極層設(shè)...
								
            
							
            
							
						
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								      本申請(qǐng)?zhí)峁┝艘环N數(shù)據(jù)處理方法、電子設(shè)備及可讀存儲(chǔ)介質(zhì)，涉及數(shù)據(jù)處理技術(shù)領(lǐng)域。本申請(qǐng)?zhí)峁┑臄?shù)據(jù)處理方法中，在第一模型的第一網(wǎng)絡(luò)層對(duì)其輸入數(shù)據(jù)進(jìn)行第一運(yùn)算的過(guò)程中，如果第一運(yùn)算得到的運(yùn)算結(jié)果超出電子設(shè)備采用的浮點(diǎn)格式所對(duì)應(yīng)的數(shù)據(jù)范圍，則將第一運(yùn)...
								
            
							
            
							
						
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								      本申請(qǐng)公開(kāi)了一種文本處理方法、裝置、設(shè)備、存儲(chǔ)介質(zhì)及程序產(chǎn)品，涉及計(jì)算機(jī)技術(shù)領(lǐng)域。該方法包括：獲取限制詞庫(kù)；基于限制詞庫(kù)對(duì)待分析文本進(jìn)行查找，從待分析文本中匹配得到文本限制詞匯；根據(jù)限制詞匯在限制詞組中表達(dá)的情感狀態(tài)，對(duì)文本限制詞匯進(jìn)行負(fù)向...
								
            
							
            
							
						
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								      本發(fā)明提供了一種基于知識(shí)挖掘技術(shù)的高效縫洞型油藏知識(shí)管理系統(tǒng)及方法，該系統(tǒng)包括知識(shí)獲取模塊、知識(shí)存儲(chǔ)模塊、應(yīng)用輔助模塊、應(yīng)用管理模塊和可視化展示模塊，知識(shí)存儲(chǔ)模塊包括專(zhuān)業(yè)詞詞庫(kù)，提供設(shè)定開(kāi)發(fā)工藝和配套工藝的多類(lèi)型專(zhuān)業(yè)詞匯，為系統(tǒng)實(shí)現(xiàn)文件處理...
								
            
							
            
							
						
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								      本申請(qǐng)公開(kāi)了一種機(jī)器人交互控制方法、服務(wù)器、客戶端和機(jī)器人，屬于人工智能技術(shù)領(lǐng)域。方法包括：客戶端接收用戶行為信息，將用戶行為信息發(fā)送至服務(wù)器；服務(wù)器根據(jù)用戶行為信息識(shí)別交互的場(chǎng)景類(lèi)型，將與場(chǎng)景類(lèi)型匹配的提示信息和用戶行為信息輸入至預(yù)設(shè)的語(yǔ)...
								
            
							
            
							
						
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								      本發(fā)明是一種基于多池注意力機(jī)制的預(yù)訓(xùn)練問(wèn)答事件抽取方法。該方法包括以下步驟：獲取事件提及描述，得到事件類(lèi)型分類(lèi)，并檢索事件類(lèi)型對(duì)應(yīng)的所有事件角色；通過(guò)構(gòu)建預(yù)訓(xùn)練問(wèn)答文本，并使用預(yù)訓(xùn)練模型對(duì)其編碼；使用多池注意力機(jī)制獲取特征向量；使用特征向量...
								
            
							
            
							
						
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								      本發(fā)明提供一種離子儲(chǔ)存材料及其制備方法和應(yīng)用，所述離子儲(chǔ)存材料包括式(I)所示的化合物：SnxAyMzOmRn；通過(guò)將特定的M元素...
								
            
							
            
							
						
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								      本發(fā)明屬于藥物輸送技術(shù)領(lǐng)域，尤其涉及一種鹽酸米托蒽醌脂質(zhì)體及其制備方法與應(yīng)用。本發(fā)明提供的鹽酸米托蒽醌脂質(zhì)體，以單價(jià)磺酸鹽為內(nèi)水相，將鹽酸米托蒽醌高效、穩(wěn)定地包封在脂質(zhì)體內(nèi)水相中，通過(guò)調(diào)節(jié)內(nèi)水相中磺酸鹽的濃度，可使所制備的鹽酸米托蒽醌脂質(zhì)體...
								
            
							
            
							
						
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								      本發(fā)明涉及一種有機(jī)光電子二極管和顯示裝置，有機(jī)光電子二極管包括：彼此面對(duì)的陽(yáng)極和陰極、位于陽(yáng)極和陰極之間的發(fā)光層、位于陽(yáng)極和發(fā)光層之間的空穴傳輸層以及位于空穴傳輸層和發(fā)光層之間的空穴傳輸輔助層，其中空穴傳輸輔助層包括與空穴傳輸層鄰近的第一空...
								
            
							
            
							
						
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								      提供能夠在將鐵芯片一體化后可靠地調(diào)整層疊高度的層疊鐵芯的制造方法。層疊多個(gè)鐵芯片(3)，層疊的鐵芯片(3)由通過(guò)遍及突起(15)間的第一焊接形成的第一焊接部(5)結(jié)合而被一體化，測(cè)定被一體化的鐵芯片(3)的層疊高度，基于測(cè)定的層疊高度，在被...
								
            
							
            
							
						
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								      本公開(kāi)涉及一種敏感度檢測(cè)系統(tǒng)，該敏感度檢測(cè)系統(tǒng)準(zhǔn)確高效地確定基于用戶瀏覽活動(dòng)的信息何時(shí)無(wú)意地揭露了關(guān)于所述用戶的私有或其他敏感信息。例如，敏感度檢測(cè)系統(tǒng)生成和利用機(jī)器學(xué)習(xí)模型來(lái)檢測(cè)敏感度，以準(zhǔn)確地檢測(cè)敏感用戶信息何時(shí)從諸如用戶簡(jiǎn)檔等用戶信息...
								
            
							
            
							
						
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								      一種顯示面板，包括：襯底、多個(gè)子像素、多條數(shù)據(jù)線、多個(gè)柵極驅(qū)動(dòng)電路、第一組數(shù)據(jù)扇出線、第二組數(shù)據(jù)扇出線、第一組控制信號(hào)線、第二組控制信號(hào)線、第一組靜電釋放電路和第二組靜電釋放電路。第一組數(shù)據(jù)扇出線與第一組控制信號(hào)線在襯底的正投影存在交疊，第...
								
            
							
            
							
						
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								      顯示模組包括電路板、油墨層、LED芯片和封裝層。油墨層的材料至少包括丙烯酸脂、環(huán)氧樹(shù)脂和有機(jī)顏料，油墨膜片貼附于電路板，油墨層具有開(kāi)窗；LED芯片，固晶于開(kāi)窗；封裝層覆蓋于電路板、油墨層及LED芯片。
								
            
							
            
							
						
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								      一種半導(dǎo)體結(jié)構(gòu)單元及其形成方法、半導(dǎo)體結(jié)構(gòu)，半導(dǎo)體結(jié)構(gòu)單元包括：襯底，包括第一區(qū)和第二區(qū)；位于襯底上的若干第一柵極結(jié)構(gòu)和若干第二柵極結(jié)構(gòu)，第一柵極結(jié)構(gòu)位于相鄰的第二柵極結(jié)構(gòu)之間；位于第一區(qū)第一柵極結(jié)構(gòu)上和第二柵極結(jié)構(gòu)上的若干第一金屬層，第一...
								
            
							
            
							
						
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								      本公開(kāi)實(shí)施例提供一種半導(dǎo)體器件及其制備方法，所述方法包括：在襯底上形成柵極層；在所述柵極層上形成第一掩膜層；利用所述第一掩膜層對(duì)所述柵極層進(jìn)行刻蝕，形成柵極；對(duì)所述襯底進(jìn)行離子摻雜，以在所述柵極兩側(cè)形成源/漏區(qū)；去除所述第一掩膜層；形成覆蓋...
								
            
							
            
							
						
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								      本公開(kāi)提供了一種半導(dǎo)體器件及其制作方法、集成電路、存儲(chǔ)系統(tǒng)，涉及半導(dǎo)體芯片技術(shù)領(lǐng)域，旨在解決低電壓晶體管背柵漏電的問(wèn)題。所述半導(dǎo)體器件包括襯底、第一絕緣層、第二絕緣層、半導(dǎo)體層、第一晶體管和第二晶體管。第一絕緣層設(shè)置于襯底一側(cè)，包括第一部分...
								
            
							
            
							
						
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								      本發(fā)明涉及一種薄膜晶體管、像素陣列基板、顯示裝置及其制造方法。所述薄膜晶體管的制造方法包括以下步驟：在基板上形成第一金屬層以及覆蓋于第一金屬層上的絕緣層；在絕緣層上形成非晶態(tài)半導(dǎo)體薄膜；對(duì)非晶態(tài)半導(dǎo)體薄膜進(jìn)行熱處理，以使非晶態(tài)半導(dǎo)體薄膜轉(zhuǎn)換...
								
            
							
            
							
						
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								      本發(fā)明公開(kāi)一種薄膜晶體管、像素陣列基板、顯示裝置及其制造方法。所述薄膜晶體管的制造方法包括以下步驟：在基板上形成第一金屬層以及覆蓋于第一金屬層上的絕緣層；在絕緣層上形成非晶態(tài)半導(dǎo)體薄膜；對(duì)非晶態(tài)半導(dǎo)體薄膜進(jìn)行離子注入，以將3A族離子注入非晶...
								
            
							
            
							
						
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								      提供半導(dǎo)體裝置及其形成方法。半導(dǎo)體裝置包括碳化硅基板、外延層、第一電極、分離柵極結(jié)構(gòu)以及源極接觸。碳化硅基板具有第一、第二以及第三區(qū)，且具有第一導(dǎo)電類(lèi)型。外延層設(shè)置于碳化硅基板的頂面上。外延層具有第一導(dǎo)電類(lèi)型。第一電極設(shè)置于第一區(qū)的外延層中...
								
            
							
            
							
						
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								      本發(fā)明提供半導(dǎo)體裝置及其形成方法。半導(dǎo)體裝置包括碳化硅基板、外延層、阱區(qū)、柵極結(jié)構(gòu)、第一絕緣柱、一對(duì)第一介電間隔物以及接觸部件。碳化硅基板具有第一區(qū)以及第二區(qū)，且具有第一導(dǎo)電類(lèi)型。外延層設(shè)置于碳化硅基板上且具有第一導(dǎo)電類(lèi)型。阱區(qū)位于外延層中...
								
            
							
            
							
						
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