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								      本發(fā)明涉及具有可電控光學性質(zhì)的復合玻璃板，所述復合玻璃板包含可電控功能元件(10)，所述可電控功能元件(10)以指定順序具有第一載體膜(12)、第一平面(surface)電極(14)、具有可電控光學性質(zhì)的活性層(11)或?qū)有蛄小⒌诙矫骐姌O...
								
            
							
            
							
						
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								      一種粒子束裝置，其具備：傳輸路徑，將向被照射體照射的粒子束引導至照射部；射束調(diào)整部，調(diào)整粒子束的射束尺寸及射束位置；運算部；存儲部；及優(yōu)化處理部，探索射束調(diào)整部的參數(shù)候選值，運算部使用通過優(yōu)化處理部探索到的參數(shù)候選值來調(diào)整射束調(diào)整部。
								
            
							
            
							
						
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								      公開了一種ICE成像系統(tǒng)，其包括具有縱軸線、近端和遠端的心內(nèi)超聲心動圖(ICE)導管。ICE導管對應于基于微機電(MEMS)或其他換能器的相控陣列超聲導管，外徑為6French或更小，用于通過內(nèi)部頸靜脈、鎖骨下靜脈、腋靜脈、無名靜脈系統(tǒng)輸送...
								
            
							
            
							
						
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								      卷盤配置裝置具備：機械手；卷盤保持架，其能夠收容多個部件卷盤，該多個部件卷盤分別具有向沿載帶的寬度方向排列的多個饋送器供給的多個載帶；以及控制部，其使機械手保持部件卷盤，使機械手將所保持的部件卷盤配置于卷盤保持架的第一位置。控制部使機械手將...
								
            
							
            
							
						
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								      本發(fā)明涉及一種用于保護低壓電路的保護開關設備（SG），具有：?殼體（GEH），具有至少一個電網(wǎng)側接頭和至少一個負載側接頭，?機械分離觸點單元（MK），其與電子中斷單元（EU）串聯(lián)連接，其中串聯(lián)電路一方面與至少一個電網(wǎng)側接頭連接，另一方面與至...
								
            
							
            
							
						
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								      本公開提出一種信息處理設備(100)，為了引誘并監(jiān)測從與網(wǎng)絡連接的信息處理系統(tǒng)展開的網(wǎng)絡攻擊，其與核心系統(tǒng)(101)可通信地連接，并控制具有特定功能的嵌入式設備，其中，核心系統(tǒng)(101)與網(wǎng)絡可通信地連接，信息處理設備(100)具有：正常端...
								
            
							
            
							
						
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								      公開了一種顏色變化傳感器組件，其在激活后根據(jù)溫度或時間改變顏色。傳感器組件包括基于氣體濃度改變顏色的指示器。該組件包括多孔材料，該多孔材料包含濃度高于大氣中發(fā)現(xiàn)的氣體濃度的氣體，并且該組件被配置成控制氣體例如二氧化碳擴散到顏色變化指示器中。...
								
            
							
            
							
						
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								      本發(fā)明涉及一種用于培養(yǎng)組織切片(4)的裝置，所述裝置具有：具有環(huán)繞的輪廓的框架(3)以及由環(huán)繞的輪廓形成的在中部的自由空間，其中，框架(3)包括兩個框架?構件(1、2)，它們分別具有環(huán)繞的構件?輪廓(100、110、200、210)以及由環(huán)...
								
            
							
            
							
						
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								      一種用于通過鍍膜源材料的近空間升華(CSS)來將膜層(可選地多層膜層)連續(xù)沉積至基底上的裝置，所述裝置包括用于將所述膜層沉積至所述基底上的CSS源，以及用于將膜層源材料進料至所述CSS源的進料系統(tǒng)，其中所述進料系統(tǒng)包括布置為在所述膜層沉積期...
								
            
							
            
							
						
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								      本發(fā)明涉及一種用于處理用于電解器(2)的水的處理裝置(1)，包括：用于提供前水(4)的前水供給器(3)；蒸汽壓縮蒸餾器(5)、尤其是機械蒸汽壓縮蒸餾器(5)，用于對所提供的前水(4)進行預凈化，其中，蒸汽壓縮蒸餾器(5)被配置為從所提供的前...
								
            
							
            
							
						
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								      本發(fā)明涉及一種用于涂漆機動車(100)或機動車部件(102)的方法，該方法包括以下步驟：?將附著促進層(62)涂覆到待涂漆的構件(52)上，?通過陰極浸漬涂漆(18)將打底部(64)涂覆到附著促進層(62)上，?干燥打底部(64)，?將基礎...
								
            
							
            
							
						
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								      各系統(tǒng)和各方法可用于治療軟組織。該系統(tǒng)可包括激光器，該激光器被配置為發(fā)射脈沖激光能量，該脈沖激光能量可被調(diào)制以在軟組織的切割、切開或切除期間最大化消融效率，同時優(yōu)化止血并減少繼發(fā)性不良反應，諸如組織炭化和瘢痕形成。根據(jù)某些方面，凝固激光模式...
								
            
							
            
							
						
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								      本申請公開了一種顯示面板及顯示裝置，涉及顯示技術領域。該顯示面板包括襯底基板，多個像素單元，彩色濾光層，第一調(diào)光層，第二調(diào)光層以及第三調(diào)光層。彩色濾光層包括黑矩陣以及和多個像素單元對應的色阻塊。像素單元發(fā)出的光線從色阻塊向第一調(diào)光層出射時，...
								
            
							
            
							
						
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								      提供一種顯示面板。顯示面板包括交替布置的多個第一區(qū)域和多個第二區(qū)域；位于多個第二區(qū)域的多個像素驅(qū)動電路；多個第一信號線；以及多個第二信號線。多個第一區(qū)域中的各個第一區(qū)域包括一個或多個導線。一個或多個導線存在于相應第一區(qū)域，而不存在于多個第二...
								
            
							
            
							
						
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								      碳化硅晶體管可以形成有溝道，所述溝道包括位于n摻雜源極區(qū)域和漏極區(qū)域之間的p摻雜區(qū)域。可以在柵極氧化物正下方的溝道的頂部處形成反摻雜區(qū)域。替代使用用于p摻雜區(qū)域的常規(guī)摻雜水平，摻雜濃度可以增加至大于約1e18cm3。晶...
								
            
							
            
							
						
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								      提供了供第一裝置執(zhí)行無線通信的方法和支持所述方法的裝置。所述方法可以包括以下步驟：獲取與多個資源池相關的信息；對與多個資源池當中的至少一個資源池相關的波束失敗進行檢測；在多個資源池當中選擇第一資源池；以及在第一資源池上生成許可。例如，第一資...
								
            
							
            
							
						
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								      提供了一種用于關閉標識的開放式無線電接入網(wǎng)絡(O?RAN)云(O?Cloud)節(jié)點的方法、系統(tǒng)和設備。該方法可以包括：由聯(lián)合O?Cloud編排和管理(FOCOM)，接收來自rApp的用以關閉標識的O?Cloud節(jié)點的推薦；由FOCOM向網(wǎng)絡...
								
            
							
            
							
						
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								      本公開提供一種投影儀的對焦方法及投影儀，屬于投影儀技術領域，其可解決現(xiàn)有的投影畫面邊緣區(qū)域由于距離投影畫面的中心較遠而失焦，進而引起投影畫面模糊不清的問題。本公開提供的投影儀的對焦方法包括：根據(jù)光學鏡頭與成像平面之間的相對位置參數(shù)，獲取多組...
								
            
							
            
							
						
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								      本公開提供了一種移相器、天線及通信設備，包括：第一基板；可調(diào)電抗結構，位于第一基板的一側；可調(diào)電抗結構包括：位于第一基板一側的第一接地層，位于第一接地層背離第一基板一側的可調(diào)電介質(zhì)層，以及位于可調(diào)電介質(zhì)層背離第一基板一側的負載線層；第二基板...
								
            
							
            
							
						
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								      提供防止蝕刻時的氧化硅膜部分的形狀的劣化、相對于氧化硅膜以高的選擇比對氮化硅膜高精度地進行蝕刻的方法。干式蝕刻方法在對處理室內(nèi)供給處理用的氣體且不使用等離子的狀態(tài)下對預先形成于配置于處理室內(nèi)的晶片上的、氮化硅膜被氧化硅膜上下夾著而層疊的膜層...
								
            
							
            
							
						
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