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          • 本發(fā)明公開了一種半控開繞組永磁同步發(fā)電機(jī)系統(tǒng)及其控制方法,涉及電機(jī)驅(qū)動(dòng)拓?fù)浼翱刂萍夹g(shù)領(lǐng)域。該系統(tǒng)包括:第一變換器、第二變換器的交流端分別連接到開繞組永磁同步發(fā)電機(jī)定子繞組的兩側(cè);第一變換器中各相橋臂包括2個(gè)串聯(lián)的自帶續(xù)流二極管的全控開關(guān);第...
          • 本發(fā)明涉及電子元器件技術(shù)領(lǐng)域,揭露了一種多頻多端口陶瓷諧振器處理系統(tǒng),包括:串?dāng)_抑制模塊,用于結(jié)合多頻測(cè)試數(shù)據(jù)、介質(zhì)層介電參數(shù)及多端口阻抗特性,生成陶瓷諧振器的多頻段串?dāng)_抑制結(jié)構(gòu);端口隔離模塊模塊,用于構(gòu)建陶瓷諧振器的電場(chǎng)分布圖,設(shè)置多端口...
          • 本申請(qǐng)涉及一種喚醒器電路,其特征在于,包括第一超截止堆疊結(jié)構(gòu),包括彼此串聯(lián)的第一晶體管和第二晶體管,其中第一晶體管的漏電極電連接至電源,源電極與第二晶體管源電極電連接,第一晶體管的柵電極作為第一信號(hào)輸入端,第二晶體管的柵電極作為第二信號(hào)輸入...
          • 本申請(qǐng)實(shí)施例提供了時(shí)鐘基線傾斜補(bǔ)償方法、分子時(shí)鐘和電子設(shè)備,其中,時(shí)鐘基線傾斜補(bǔ)償方法包括:基于預(yù)選的兩組調(diào)制頻偏,計(jì)算得到兩組誤差信號(hào);根據(jù)所述誤差信號(hào),確定出基線傾斜;根據(jù)所述基線傾斜以及兩組所述誤差信號(hào),進(jìn)行基線補(bǔ)償以計(jì)算得到目標(biāo)誤差...
          • 本發(fā)明公開了一種基于微波光子技術(shù)的微波頻率測(cè)量方法及裝置。該方法包括:S1、對(duì)光頻梳信號(hào)的x偏振態(tài)分量進(jìn)行時(shí)域展寬后與y偏振態(tài)分量重新組合;S2、將待測(cè)微波信號(hào)調(diào)制于重新組合的光頻梳信號(hào)的強(qiáng)度包絡(luò)上;S3、對(duì)調(diào)制光信號(hào)的x偏振態(tài)分量進(jìn)行時(shí)域...
          • 本申請(qǐng)涉及一種設(shè)備接入方法、裝置、電子裝置和存儲(chǔ)介質(zhì),其中,該設(shè)備接入方法包括:獲取目標(biāo)接入設(shè)備的元數(shù)據(jù)通告包信息,根據(jù)元數(shù)據(jù)通告包信息和預(yù)設(shè)特征庫數(shù)據(jù),確定目標(biāo)接入設(shè)備的設(shè)備協(xié)議類型,根據(jù)設(shè)備協(xié)議類型確定協(xié)議解析插件,并加載協(xié)議解析插件以...
          • 本發(fā)明公開了一種基于人工智能驅(qū)動(dòng)的局域網(wǎng)設(shè)備識(shí)別方法及系統(tǒng),涉及人工智能領(lǐng)域,包括:首先獲取目標(biāo)設(shè)備和局域網(wǎng)環(huán)境的通信記錄;從通信記錄中確定目標(biāo)設(shè)備的關(guān)聯(lián)設(shè)備檔案信息;基于關(guān)聯(lián)設(shè)備檔案信息和目標(biāo)設(shè)備構(gòu)建綜合設(shè)備特征圖譜,加載至目標(biāo)設(shè)備識(shí)別模...
          • 本發(fā)明涉及基于光電檢測(cè)的測(cè)試系統(tǒng)領(lǐng)域,特別涉及一種GLink總線測(cè)試方法、系統(tǒng)以及機(jī)箱;該GLink總線測(cè)試方法包括:配置并分配監(jiān)聽卡、交換卡以及第一節(jié)點(diǎn)卡、第二節(jié)點(diǎn)卡ID以使處于同一網(wǎng)絡(luò)域;控制第一節(jié)點(diǎn)卡發(fā)送一次預(yù)設(shè)的自檢測(cè)試數(shù)據(jù),并獲取...
          • 本申請(qǐng)涉及數(shù)據(jù)處理技術(shù)領(lǐng)域,公開了一種大規(guī)模電能數(shù)據(jù)的通信單元數(shù)據(jù)傳輸優(yōu)化方法及系統(tǒng)。該方法包括:通過時(shí)空相關(guān)性分析算法提取電能數(shù)據(jù)特征,構(gòu)建電能數(shù)據(jù)時(shí)序依賴矩陣和空間相關(guān)性矩陣;基于矩陣構(gòu)建EQ?learning智能調(diào)度模型,生成融合電網(wǎng)...
          • 本發(fā)明公開了一種智能變電站通信鏈路故障自愈調(diào)控方法及系統(tǒng),涉及故障自愈調(diào)控技術(shù)領(lǐng)域,包括以下步驟:構(gòu)建反映鏈路質(zhì)量波動(dòng)的鏈路擾動(dòng)強(qiáng)度序列;基于滑動(dòng)窗口機(jī)制對(duì)鏈路擾動(dòng)強(qiáng)度序列進(jìn)行趨勢(shì)擬合與突變識(shí)別,生成鏈路狀態(tài)異動(dòng)指標(biāo);當(dāng)鏈路狀態(tài)異動(dòng)指標(biāo)超出...
          • 本發(fā)明屬于軟件系統(tǒng)技術(shù)領(lǐng)域,公開了一種基于物聯(lián)網(wǎng)的分布式人工影響天氣作業(yè)協(xié)同指令下發(fā)系統(tǒng),采用云邊端三層架構(gòu)。云端平臺(tái)層通過感知模型融合多源氣象數(shù)據(jù),雨云跟蹤預(yù)測(cè)模型分析雨云變化,任務(wù)模型基于大語言模型生成作業(yè)指令;邊緣節(jié)點(diǎn)層處理緩存指令并...
          • 本申請(qǐng)涉及基于層次遺傳算法的數(shù)據(jù)傳輸方法、裝置、設(shè)備和介質(zhì)。所述方法包括:針對(duì)每一迭代過程,獲取物聯(lián)網(wǎng)系統(tǒng)中待調(diào)度設(shè)備對(duì)應(yīng)的當(dāng)前調(diào)度集群以及當(dāng)前調(diào)度集群對(duì)應(yīng)的第一適應(yīng)度;當(dāng)前調(diào)度集群中包括不同調(diào)度對(duì)象的對(duì)象次序;對(duì)當(dāng)前調(diào)度集群中的目標(biāo)調(diào)度對(duì)...
          • 本申請(qǐng)涉及數(shù)據(jù)處理技術(shù)領(lǐng)域,公開了一種多協(xié)議融合的物聯(lián)網(wǎng)設(shè)備智能網(wǎng)關(guān)數(shù)據(jù)轉(zhuǎn)換方法及系統(tǒng)。該方法包括:采集多協(xié)議設(shè)備數(shù)據(jù)包,提取協(xié)議特征構(gòu)建向量庫;基于向量庫識(shí)別協(xié)議類型并解析數(shù)據(jù),構(gòu)建含語義標(biāo)簽的數(shù)據(jù)對(duì)象集合;通過自適應(yīng)學(xué)習(xí)算法分析語義相關(guān)...
          • 本發(fā)明提供了一種具有防護(hù)功能的礦用本安型攝像儀,屬于攝像儀位置控制的技術(shù)領(lǐng)域,包括防護(hù)單元、移位單元以及分配單元,防護(hù)單元包括基座、滑設(shè)于基座的滑座以及固接于滑座的防護(hù)罩,基座開設(shè)有驅(qū)動(dòng)腔,防護(hù)罩包括從外至內(nèi)依次套設(shè)的外撐罩、內(nèi)撐罩以及隔離...
          • 本申請(qǐng)涉一種基于能耗優(yōu)化的安防攝像頭智能休眠喚醒方法及系統(tǒng),其包括通過獲取安防攝像頭在第一監(jiān)測(cè)周期內(nèi)的環(huán)境數(shù)據(jù)和工作狀態(tài)數(shù)據(jù);基于光照強(qiáng)度、移動(dòng)物體檢測(cè)結(jié)果和聲音強(qiáng)度計(jì)算環(huán)境活躍度指數(shù);根據(jù)環(huán)境活躍度指數(shù)與預(yù)設(shè)閾值的比較結(jié)果判斷是否進(jìn)入休眠...
          • 兼容型照明裝置包括A類驅(qū)動(dòng)電路(包括第一整流模塊、火線開關(guān)模塊、零線開關(guān)模塊、第一浪涌保護(hù)模塊及濾波模塊)、火線輸入端、B類驅(qū)動(dòng)電路(包括第二整流模塊、漏電檢測(cè)模塊、第二浪涌保護(hù)模塊及恒流驅(qū)動(dòng)模塊)、零線輸入端及光源。第一整流模塊與火線開關(guān)...
          • 本發(fā)明公開了一種磁屏蔽總成和磁屏蔽系統(tǒng),涉及磁屏蔽技術(shù)領(lǐng)域,磁屏蔽總成包括:磁屏蔽載體,所述磁屏蔽載體的底部支撐有活動(dòng)輪;磁屏蔽罩殼,所述磁屏蔽罩殼可活動(dòng)地安裝于所述磁屏蔽載體的上方,所述磁屏蔽罩殼內(nèi)形成有屏蔽空間;屏蔽線圈結(jié)構(gòu),所述屏蔽線...
          • 本發(fā)明公開了一種超低柵極電荷屏蔽柵MOSFET器件的制備方法及器件,在待刻蝕的晶圓表面沉積一層氧化物,再覆蓋光刻膠,將氧化物刻蝕到晶圓表面;將晶圓表面的氧化物刻蝕掉,在晶圓的溝槽內(nèi)部和表面生長(zhǎng)出一層氧化層,得到作為隔離層的氧化物薄膜;在溝槽...
          • 本發(fā)明提供一種GaN自發(fā)光透鏡Micro?LED及其制備方法,通過將自發(fā)光半導(dǎo)體層的結(jié)構(gòu)設(shè)置成有聚光效果的微透鏡或類微透鏡結(jié)構(gòu),且自發(fā)光半導(dǎo)體層整體被半導(dǎo)體鈍化層包覆,半導(dǎo)體鈍化層上對(duì)應(yīng)于N型半導(dǎo)體層的位置處開設(shè)有鈍化層通孔,半導(dǎo)體鈍化層的...
          • 本發(fā)明公開了一種原位化合物同質(zhì)透鏡Micro?LED器件及制備方法,涉及半導(dǎo)體器件技術(shù)領(lǐng)域,通過材料自然生長(zhǎng)制備出原位化合物同質(zhì)透鏡,其生長(zhǎng)表面天然形成低粗糙度紋理,能夠顯著減少表面光散射損失;并且通過調(diào)節(jié)原位化合物同質(zhì)透鏡的生長(zhǎng)參數(shù),能夠...
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