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          • 本發(fā)明公開了一種基于茶葉與現(xiàn)代生物萎凋技術(shù)的大白茶加工裝置及其使用方法,屬于茶葉加工領(lǐng)域,一種基于茶葉與現(xiàn)代生物萎凋技術(shù)的大白茶加工裝置,包括基座裝置,基座裝置包括底座,底座上端固定連接有第一支架,第一支架上端固定連接有六個(gè)第一環(huán)體,六個(gè)第...
          • 本發(fā)明涉及農(nóng)業(yè)栽培技術(shù)領(lǐng)域,具體是一種利用青稞秸稈制備大球蓋菇栽培基質(zhì)及制備方法,包括青稞秸稈、改性膨潤(rùn)土、改性β?環(huán)糊精、麥麩、干牛糞、過磷酸鈣、磷酸二氫鉀和石膏。本發(fā)明中改性膨潤(rùn)土吸附酚類物質(zhì),改性β?環(huán)糊精表面的硼酸基團(tuán)與鄰二酚羥基形...
          • 本發(fā)明提供一種葡萄種植用立體智慧養(yǎng)護(hù)裝置及方法,涉及灌溉施肥技術(shù)領(lǐng)域,其包括調(diào)節(jié)臺(tái),所述調(diào)節(jié)臺(tái)頂部轉(zhuǎn)動(dòng)配合有中心桿,所述中心桿周側(cè)面設(shè)置有兩螺紋軌,兩所述螺紋軌周側(cè)面均螺紋配合有螺紋塊,兩所述螺紋塊之間配合有折疊機(jī)構(gòu)。通過將灌溉座向葡萄株的...
          • 本發(fā)明公開了一種園林綠化用自適應(yīng)施肥方法,屬于農(nóng)業(yè)智能灌溉與精準(zhǔn)施肥技術(shù)領(lǐng)域。該方法解決了傳統(tǒng)施肥技術(shù)因缺乏實(shí)時(shí)監(jiān)測(cè)導(dǎo)致的施肥不精準(zhǔn)問題。其技術(shù)方案通過網(wǎng)格化部署的土壤多參數(shù)傳感網(wǎng)絡(luò)實(shí)時(shí)獲取作物根系層的氮磷鉀數(shù)據(jù),每個(gè)節(jié)點(diǎn)覆蓋2~5米區(qū)域并...
          • 本發(fā)明公開了一種柔性生物憶阻器及其制備方法,制備方法包括以下步驟:將第一濾膜和第二濾膜的非電極區(qū)域封堵;通過真空抽濾頂電極材料溶液的方式將頂電極材料抽濾到第一濾膜的電極區(qū)域,通過真空抽濾底電極材料溶液的方式將底電極材料抽濾到第二濾膜的電極區(qū)...
          • 本申請(qǐng)涉及太陽能電池技術(shù)領(lǐng)域,特別是涉及一種電子傳輸層及其制備方法、鈣鈦礦太陽能電池。電子傳輸層的制備方法包括:S1、在鈣鈦礦吸收層的表面制備第一金屬氧化物層;其中,第一金屬氧化物層的厚度為1nm~3nm;S2、在第一金屬氧化物層的表面真空...
          • 本發(fā)明屬于深紫外LED芯片技術(shù)領(lǐng)域,具體涉及一種高效率深紫外LED芯片,芯片包括外延片結(jié)構(gòu)、刻蝕區(qū)、N接觸電極、P接觸電極、加厚電極、鈍化層、P厚金層和N厚金層,n個(gè)刻蝕區(qū)分別刻蝕在外延片結(jié)構(gòu)上,N接觸電極生長(zhǎng)在刻蝕區(qū)內(nèi),P接觸電極生長(zhǎng)在外...
          • 本發(fā)明屬于LED芯片技術(shù)領(lǐng)域,具體涉及一種低粗糙度n型電極LED芯片制備方法,將AlGaN紫外LED芯片的常規(guī)第一n型接觸電極作為犧牲電極,在第一n型接觸電極高溫退火合金化形成n型歐姆接觸,此時(shí)外延片勢(shì)壘已形成,采用濕法腐蝕的方法去掉第一n...
          • 本申請(qǐng)實(shí)施例提供了一種光伏電池片以及光伏組件。所述光伏電池片包括:硅基底,硅基底包括沿第一方向背離設(shè)置的背光面和受光面,以及連接背光面和受光面的側(cè)表面,側(cè)表面包括切割面和非切割面;其中,背光面上設(shè)置有第一導(dǎo)電區(qū),第一導(dǎo)電區(qū)與切割面之間具有第...
          • 本公開實(shí)施例涉及光伏領(lǐng)域,提供一種太陽能電池片及其制作方法、疊層電池、光伏組件,其中,太陽能電池片包括:提供基底,基底包括相對(duì)的第一表面和第二表面,第一表面包括交替排布的第一區(qū)及第二區(qū);形成保護(hù)層,保護(hù)層位于第一表面;刻蝕位于第二區(qū)的保護(hù)層...
          • 本申請(qǐng)涉及太陽能電池技術(shù)領(lǐng)域,尤其涉及一種光伏組件。光伏組件至少包括匯流條、電池串和第一焊帶,在第一方向上,匯流條位于電池串的至少一側(cè),第一焊帶的兩側(cè)分別與匯流條和電池串焊接固定,連接膠分別與匯流條和第一焊帶粘接固定。第一焊帶包括焊接表面和...
          • 本發(fā)明公開了一種功率半導(dǎo)體器件,包括:第一半導(dǎo)體本體,用于形成耗盡型晶體管;第二半導(dǎo)體本體,位于第一半導(dǎo)體本體的第一表面;第二半導(dǎo)體本體用于形成增強(qiáng)型晶體管,且與耗盡型晶體管串聯(lián)連接;禁帶寬度低于第二半導(dǎo)體本體的第三半導(dǎo)體本體,位于第二半導(dǎo)...
          • 本發(fā)明公開了一種半導(dǎo)體器件,包括:第一半導(dǎo)體本體,包括導(dǎo)電類型不同且位于第一表面的第一歐姆接觸區(qū)和第二歐姆接觸區(qū),和與第二歐姆接觸區(qū)導(dǎo)電類型相同且位于第一歐姆接觸區(qū)和第二歐姆接觸區(qū)靠近第二表面一側(cè)的埋層;第二半導(dǎo)體本體,位于第一表面上,包括...
          • 本發(fā)明屬于銅插片送料技術(shù)領(lǐng)域,具體地涉及一種應(yīng)用于電子元器件裝配線的龍門機(jī)送料裝置,其包括支架梁和支撐臺(tái),支架梁上固定安裝基臺(tái),基臺(tái)一側(cè)安裝墊塊,墊塊上安裝滑臺(tái)氣缸,滑臺(tái)氣缸輸出端連接推板座,推板座上固定安裝連接座,連接座上安裝雙動(dòng)氣爪;所...
          • 本發(fā)明涉及飛輪儲(chǔ)能電磁抑制技術(shù)領(lǐng)域,具體為一種用于數(shù)據(jù)中心飛輪儲(chǔ)能系統(tǒng)的電磁輻射抑制方法,包括以下步驟,獲取接地電位數(shù)據(jù)生成響應(yīng)節(jié)點(diǎn)集,比對(duì)轉(zhuǎn)速與功率事件構(gòu)建同步拓?fù)洌R(shí)別耦合路徑生成路徑圖譜,調(diào)節(jié)磁屏蔽組件,監(jiān)測(cè)磁通變化生成電磁兼容狀態(tài)報(bào)...
          • 本發(fā)明提供一種配置微通道強(qiáng)化換熱的液冷冷板裝置,屬于液冷冷板技術(shù)領(lǐng)域,其包括有外殼,外殼頂部設(shè)有導(dǎo)熱板,外殼內(nèi)設(shè)有隔熱板,導(dǎo)熱板與隔熱板之間有冷卻板;冷卻板包括有上板與下板,上板與下板之間形成有冷卻流道;外殼兩端均設(shè)有集流塊,集流塊內(nèi)設(shè)有集...
          • 本發(fā)明提供一種數(shù)據(jù)中心用變壓循環(huán)式風(fēng)液同源散熱設(shè)備,一種數(shù)據(jù)中心用變壓循環(huán)式風(fēng)液同源散熱設(shè)備,包括安裝組件,設(shè)置在數(shù)據(jù)中心機(jī)柜的內(nèi)部;升降散熱循環(huán)機(jī)構(gòu),設(shè)置在安裝組件上,且用于升降改變散熱位置;風(fēng)液循環(huán)機(jī)構(gòu),設(shè)置在升降散熱循環(huán)機(jī)構(gòu)上方,且用...
          • 本發(fā)明涉及電路板蝕刻技術(shù)領(lǐng)域,具體為一種高頻高速板蝕刻裝置,包括工作臺(tái)以及固定安裝于工作臺(tái)頂部的激光蝕刻裝置,所述工作臺(tái)的頂部轉(zhuǎn)動(dòng)安裝有多根均勻分布的傳送輥,所述工作臺(tái)的內(nèi)部固定安裝有氣缸一,所述氣缸一的伸縮軸端固定安裝有升降底座,多塊所述...
          • 本申請(qǐng)?zhí)峁┝艘环N電路板加工方法及電路板,電路板的加工方法包括:對(duì)電路板進(jìn)行第一次鉆孔,以形成多個(gè)通孔;獲取多個(gè)通孔中目標(biāo)通孔的水平位置信息;根據(jù)目標(biāo)通孔的水平位置信息,對(duì)目標(biāo)通孔所對(duì)應(yīng)的目標(biāo)信號(hào)層在豎直方向上的位置進(jìn)行量測(cè),并獲取目標(biāo)信號(hào)層...
          • 本發(fā)明公開了一種雙工位的電路板斜邊機(jī),涉及電路板加工設(shè)備技術(shù)領(lǐng)域,包括第一底座和第一刀座,所述第一刀座通過刀座位移組件支撐在第一底座上,所述刀座位移組件包括第一左右平移模組、第一高度調(diào)節(jié)模組、對(duì)稱設(shè)置的兩個(gè)第一前后位移模組,通過第一左右平移...
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