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								      本申請(qǐng)實(shí)施例提供了一種光伏電池片以及光伏組件。所述光伏電池片包括：硅基底，所述硅基底包括沿第一方向背離設(shè)置的第一表面和第二表面，以及連接第一表面和第二表面的側(cè)表面，側(cè)表面包括切割面；其中，切割面包括：鄰近第一表面的切割邊緣、鄰近第二表面的斷...
								
            
							
            
							
						
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								      本發(fā)明涉及太陽(yáng)電池領(lǐng)域，公開(kāi)一種異質(zhì)結(jié)太陽(yáng)電池及其制備方法、光伏組件。包括：硅基底；設(shè)于硅基底的受光面的第一本征鈍化層，第一本征鈍化層分為第一區(qū)域、第二區(qū)域以及位于兩個(gè)區(qū)域之間的隔離區(qū)域；圖形化的第一摻雜層，第一摻雜層設(shè)于第一區(qū)域的第一本征...
								
            
							
            
							
						
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								      本發(fā)明公開(kāi)了一種太陽(yáng)能電池和光伏組件，涉及太陽(yáng)能電池技術(shù)領(lǐng)域，以解決如何提高太陽(yáng)能電池的光電轉(zhuǎn)換效率的問(wèn)題。所述太陽(yáng)能電池包括：第一鈍化接觸結(jié)構(gòu)形成在半導(dǎo)體基底的第一面；第一匯流電極和第一集電電極形成在第一鈍化接觸結(jié)構(gòu)上方；至少部分第一匯流...
								
            
							
            
							
						
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								      本公開(kāi)涉及太陽(yáng)能電池技術(shù)領(lǐng)域，公開(kāi)了一種背接觸太陽(yáng)能電池及其制備方法。電池包括：基底層；第一摻雜區(qū)和第二摻雜區(qū)，交替設(shè)置于基底層的背光面一側(cè)；隔離凹槽，位于相鄰的第一摻雜區(qū)和第二摻雜區(qū)之間并深入基底層內(nèi)；隔離凹槽的至少一個(gè)側(cè)壁包括第一斷面、...
								
            
							
            
							
						
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								      本發(fā)明涉及光電探測(cè)器技術(shù)領(lǐng)域，公開(kāi)了一種氧化鎵硅基集成日盲紫外圖像傳感器及其制備方法。氧化鎵硅基集成日盲紫外圖像傳感器的制備方法，包括以下步驟：S100、制備硅基底電極；S200、在硅基底電極的像素區(qū)的電極上磁控濺射沉積氧化鎵薄膜，以實(shí)現(xiàn)低...
								
            
							
            
							
						
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								      本公開(kāi)涉及太陽(yáng)能電池技術(shù)領(lǐng)域，公開(kāi)了背接觸太陽(yáng)能電池及其制備方法、電池組件。背接觸太陽(yáng)能電池包括：基底層、第一極性結(jié)構(gòu)、第二極性結(jié)構(gòu)和隔離凹槽，基底層包括相對(duì)設(shè)置的受光面和背光面；第一極性結(jié)構(gòu)和第二極性結(jié)構(gòu)交替形成于基底層的背光面一側(cè)；隔離...
								
            
							
            
							
						
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								      本公開(kāi)的實(shí)施例提供一種半導(dǎo)體器件和芯片，涉及半導(dǎo)體技術(shù)領(lǐng)域，用于實(shí)現(xiàn)增強(qiáng)型和耗盡型的單片集成；該半導(dǎo)體器件包括襯底、溝道層、勢(shì)壘層、柵極層、第一帽層和第二帽層；溝道層和勢(shì)壘層層疊設(shè)置于襯底上，勢(shì)壘層相比溝道層遠(yuǎn)離襯底；柵極層設(shè)于勢(shì)壘層遠(yuǎn)離溝...
								
            
							
            
							
						
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								      本發(fā)明提供了一種Fin Fet器件及其制造方法，涉及半導(dǎo)體器件技術(shù)領(lǐng)域，包括自下而上設(shè)置的：襯底；外延層，位于襯底的上面；鰭狀阱區(qū)，位于外延層的上面，鰭狀阱區(qū)包括沿著第一方向并排形成的多個(gè)鰭片且其鰭片向第二方向延伸，第二方向與第一方向垂直，...
								
            
							
            
							
						
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								      本公開(kāi)提供一種半導(dǎo)體器件、功率模組和電子設(shè)備，涉及半導(dǎo)體技術(shù)領(lǐng)域，用于在提升半導(dǎo)體器件擊穿電壓的同時(shí)降低其動(dòng)態(tài)導(dǎo)通電阻；該半導(dǎo)體器件包括襯底、緩沖層、溝道層、勢(shì)壘層、勢(shì)壘調(diào)制層、柵極、源極和漏極；其中，緩沖層中摻雜受主元素，緩沖層包括第一受...
								
            
							
            
							
						
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								      本申請(qǐng)?zhí)峁┝艘环NGaN HEMT器件，包括：低阻的第二摻雜類型的襯底；接地的背面接地金屬，形成在襯底的背側(cè)；第一摻雜類型的緩沖層；?GaN HEMT結(jié)構(gòu)層，GaN HEMT結(jié)構(gòu)層包括有源區(qū)和高阻區(qū)；第一深孔，自所述高阻區(qū)的上表面向下形成，且...
								
            
							
            
							
						
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								      本申請(qǐng)公開(kāi)了一種高速精密組裝設(shè)備。該高速精密組裝設(shè)備包括：基臺(tái)；多軸運(yùn)動(dòng)臺(tái)安裝于基臺(tái)上，包括Y軸運(yùn)動(dòng)機(jī)構(gòu)和至少一個(gè)X軸運(yùn)動(dòng)機(jī)構(gòu)；至少一個(gè)貼裝頭安裝于對(duì)應(yīng)的X軸運(yùn)動(dòng)機(jī)構(gòu)上，包括Z軸運(yùn)動(dòng)機(jī)構(gòu)、壓力傳感器、重力平衡件和吸附件，壓力傳感器設(shè)置于Z軸...
								
            
							
            
							
						
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								      本申請(qǐng)涉及一種多循環(huán)模式換熱裝置，多循環(huán)模式換熱裝置包括外殼體、功率元件的散熱基板、蒸發(fā)段和冷凝段，蒸發(fā)段密封罩設(shè)于散熱基板的一側(cè)，散熱基板、蒸發(fā)段和冷凝段共同圍設(shè)形成內(nèi)層換熱腔，內(nèi)層換熱腔設(shè)有第一工質(zhì)，液態(tài)的第一工質(zhì)能夠吸收散熱基板的熱量...
								
            
							
            
							
						
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								      本發(fā)明公開(kāi)了一種液冷系統(tǒng)、液冷機(jī)柜和電子設(shè)備，應(yīng)用于液冷機(jī)柜冷卻技術(shù)領(lǐng)域，液冷系統(tǒng)包括：多個(gè)分水/匯水組件，分水/匯水組件上設(shè)有組件接口，組件接口用于與冷板上的冷板接口導(dǎo)通，以向冷板內(nèi)提供介質(zhì)；接頭組件，用于導(dǎo)通并鎖止組件接口與冷板接口，或...
								
            
							
            
							
						
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								      本申請(qǐng)公開(kāi)了液冷散熱系統(tǒng)、液冷散熱系統(tǒng)的工作方法及電子設(shè)備，涉及散熱技術(shù)領(lǐng)域，系統(tǒng)應(yīng)用于電子設(shè)備，包括紅外熱成像組件、管理控制模組和散熱管路；紅外熱成像組件用于采集電子設(shè)備的熱像圖，并將電子設(shè)備的熱像圖上傳至管理控制模組；管理控制模組包括散...
								
            
							
            
							
						
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								      本發(fā)明公開(kāi)了一種數(shù)據(jù)中心用相變液冷循環(huán)散熱裝置，涉及數(shù)據(jù)中心散熱技術(shù)領(lǐng)域，包括有箱體和控制器，所述箱體內(nèi)部安裝有散熱組件、循環(huán)組件和多組機(jī)柜，所述散熱組件與循環(huán)組件相配合，所述箱體側(cè)面分別開(kāi)設(shè)有散熱窗，所述循環(huán)組件與機(jī)柜相配合，所述散熱組件...
								
            
							
            
							
						
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								      本發(fā)明公開(kāi)了一種提高ANPC拓?fù)涠虝r(shí)過(guò)載能力的相變集成散熱改造方法。針對(duì)現(xiàn)有ANPC拓?fù)涮嵘^(guò)載能力需依賴附加靜態(tài)冗余容量和額外器件，導(dǎo)致成本高、兼容性差的問(wèn)題，本發(fā)明根據(jù)器件在不同位置的損耗特性，選擇相變材料集成器件與常規(guī)器件組合。通過(guò)利...
								
            
							
            
							
						
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								      本申請(qǐng)公開(kāi)了一種服務(wù)器及服務(wù)器機(jī)柜，涉及服務(wù)器技術(shù)領(lǐng)域，服務(wù)器包括：服務(wù)器殼體，包括容納腔和開(kāi)口部；硬盤支撐模塊，包括間隔設(shè)置的多個(gè)安裝腔，多個(gè)安裝腔呈矩形陣列布置，以一一對(duì)應(yīng)地裝載多個(gè)硬盤組件，各個(gè)硬盤組件均包括沿第二方向依次設(shè)置的多個(gè)硬...
								
            
							
            
							
						
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								      本發(fā)明公開(kāi)了一種汽車傳感器生產(chǎn)裝配設(shè)備及其裝配方法，涉及汽車傳感器生產(chǎn)用具技術(shù)領(lǐng)域，包括旋轉(zhuǎn)支撐機(jī)構(gòu)，包括臺(tái)體，所述臺(tái)體底部固定有箱體，所述臺(tái)體上安裝有旋轉(zhuǎn)件，所述旋轉(zhuǎn)件上固定有轉(zhuǎn)盤，所述轉(zhuǎn)盤頂部開(kāi)設(shè)有環(huán)槽；固定機(jī)構(gòu)，固定于旋轉(zhuǎn)支撐機(jī)構(gòu)和箱...
								
            
							
            
							
						
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								      本申請(qǐng)?zhí)峁┝艘环N多層電路板、過(guò)孔結(jié)構(gòu)優(yōu)化方法及電子設(shè)備，可以應(yīng)用于電子設(shè)備技術(shù)領(lǐng)域。該多層電路板包括：多層信號(hào)層；至少一個(gè)第一差分過(guò)孔結(jié)構(gòu)，沿相對(duì)于多層電路板的法向偏移第一鉆孔角度的方向，鉆設(shè)于多層電路板中，以使多層電路板中的多層信號(hào)層中至...
								
            
							
            
							
						
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								      本申請(qǐng)公開(kāi)了一種基于PCB的單端信號(hào)串?dāng)_抑制方法、裝置、設(shè)備、介質(zhì)及產(chǎn)品，涉及印刷電路技術(shù)領(lǐng)域，該方法包括確定目標(biāo)PCB中的第一單端信號(hào)線和第二單端信號(hào)線；其中，所述第一單端信號(hào)線與所述第二單端信號(hào)線存在信號(hào)串?dāng)_現(xiàn)象；確定所述第一單端信號(hào)線...
								
            
							
            
							
						
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