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								      本申請實施例提供一種顯示裝置的驅動方法、顯示裝置和顯示設備，涉及顯示技術領域，降低了顯示裝置的功耗。具體方案為：獲取顯示裝置的狀態(tài)信息，狀態(tài)信息包括顯示亮度和/或工作溫度，根據(jù)狀態(tài)信息向多組柵極驅動電路中的第一柵極驅動電路輸出柵極電壓，第一...
								
            
							
            
							
						
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								      在本公開提供的顯示面板的補償方法、補償裝置及顯示設備中，顯示面板在第N(N為正整數(shù))幀的刷新率與第N+1幀的刷新率不相等，第N幀的極性與第N+1幀的極性相反；補償方法包括：自時序控制器正常工作的第一幀開始，以至少一幀為單位累計一次數(shù)據(jù)極性時...
								
            
							
            
							
						
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								      本公開的實施例涉及一種用于混合音頻的方法、裝置、設備、介質(zhì)和程序產(chǎn)品。該方法包括獲取針對多個音軌中的第一音軌的目標人聲和針對多個音軌中的第二音軌的目標背景音樂。該方法還包括確定針對與人聲有關的第一組音軌的第一組聲音特征和針對與背景音樂有關的...
								
            
							
            
							
						
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								      本申請公開了一種語音降噪方法、裝置及相關裝置，屬于音頻處理技術領域。所述方法包括：通過麥克風采集第一麥克信號，第一麥克信號包括第一講話人的語音信號；基于第一講話人的語音特征，運行TSE算法以對第一麥克信號進行降噪；在檢測到TSE算法的運行停...
								
            
							
            
							
						
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								      本申請實施例公開了一種存儲控制器、存儲芯片、存儲系統(tǒng)和電子設備，屬于存儲技術領域。該存儲控制器與存儲芯片連接，存儲芯片包括外圍電路和多個存儲單元，每個存儲單元包括存儲器件和選通器件。其中，存儲控制器用于：控制外圍電路向待讀取的至少一個存儲單...
								
            
							
            
							
						
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								      本申請實施例公開一種存儲器系統(tǒng)、操作方法及可讀存儲介質(zhì)。其中，該存儲器系統(tǒng)包括：存儲器裝置以及與所述存儲器裝置耦接的存儲器控制器；其中，所述存儲器控制器，被配置為：響應于讀取命令，確定所述讀取命令對應的待讀取數(shù)據(jù)的寫入和讀出的時間差所屬的時...
								
            
							
            
							
						
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								      本申請實施例公開一種存儲器裝置、編程方法及存儲器系統(tǒng)。該存儲器裝置，包括：存儲單元陣列；所述存儲單元陣列包括存儲塊；所述存儲塊包括多個存儲單元以及與所述多個存儲單元偶接的多個字線；以及，外圍電路，與所述多個字線耦接，且被配置為：響應于對所述...
								
            
							
            
							
						
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								      本發(fā)明實施例公開了一種存儲器系統(tǒng)及其控制方法、電子設備。該存儲器系統(tǒng)包括一個或多個存儲器裝置和存儲器控制器。存儲器控制器與所述存儲器裝置耦接，且被配置為：存儲響應于暫停指令所執(zhí)行的暫停操作的次數(shù)，以及，在接收所述暫停指令后，判斷當前執(zhí)行操作...
								
            
							
            
							
						
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								      本公開提供了一種存儲器裝置及其操作方法、存儲器系統(tǒng)、計算機可讀存儲介質(zhì)，該存儲器裝置包括：存儲器陣列以及與所述存儲器陣列耦接的外圍電路；所述存儲器陣列包括多個存儲單元串以及與所述存儲單元串的一端耦接的導電線；所述外圍電路被配置為：在第一編程...
								
            
							
            
							
						
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								      本申請實施例公開一種存儲器裝置及存儲器系統(tǒng)。其中，該存儲器裝置包括：第一堆疊；其中，所述第一堆疊包括：第一溝道結構；沿所述第一溝道結構的長度方向形成的多個第一存儲單元；與所述多個第一存儲單元一一耦接的多個第一字線；與所述多個第一字線一一耦接...
								
            
							
            
							
						
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								      本發(fā)明提供了一種基于深度學習的超材料微波吸收器的設計方法，包括數(shù)據(jù)的獲取和卷積神經(jīng)網(wǎng)絡的訓練。首先搭建了一個正向預測的卷積神經(jīng)網(wǎng)絡模型，即由超材料微波吸收器的結構預測其對應的吸收率和紅外發(fā)射率；對于逆向設計模型，加入了自編碼器來進行數(shù)據(jù)降維...
								
            
							
            
							
						
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								      本申請?zhí)峁┮环N微笑模擬的交互方法、系統(tǒng)及電子設備，包括：顯示第一界面，第一界面包括第一用戶管理或查看牙齒診療信息的操作界面，第一界面包括第一控件，第一控件用于觸發(fā)微笑模擬導引功能；響應于第一控件的操作，顯示第二界面，第二界面用于生成跳轉信息...
								
            
							
            
							
						
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								      本申請涉及一種參數(shù)設置方法和醫(yī)學設備。該方法包括：獲取醫(yī)學設備的用戶交互界面中設置當前協(xié)議參數(shù)，并對當前協(xié)議參數(shù)進行合理性校驗，得到參數(shù)校驗結果，進而根據(jù)參數(shù)校驗結果輸出參數(shù)設置提示信息。其中，參數(shù)設置提示信息用于指示對醫(yī)學設備當前協(xié)議參數(shù)...
								
            
							
            
							
						
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								      本申請涉及一種無鹵阻燃絕緣線纜及其制備方法，包括內(nèi)芯、包覆于內(nèi)芯的粘結層以及包覆于粘結層的防護層；防護層包括：聚乙烯樹脂、第一礦物粉、玻璃粉、硅酸鋁纖維、阻燃劑、成陶助劑、粘結劑以及相容劑；粘結層包括：乙烯?醋酸乙烯酯共聚物、共聚酰胺、增粘...
								
            
							
            
							
						
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								      本公開涉及一種含Ce釹鐵硼磁體，其中，含Ce釹鐵硼磁體包含薄殼層晶粒、反殼層晶粒和厚殼層晶粒；反殼層晶粒的核部的HRE含量高于殼部的HRE含量；厚殼層晶粒的殼部的HRE含量高于核部的HRE含量；薄殼層晶粒的殼部的HRE含量高于核部的HRE含...
								
            
							
            
							
						
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								      本發(fā)明提供一種壓力控制器以及注塑工裝的新技術方案。壓力控制器包括氣箱組件和控制組件，控制組件包括基座和罩體，罩體罩設于基座，氣箱組件包括氣箱主體；基座的部分位于罩體外，基座與氣箱主體的支撐面固定連接，支撐面的與基座接觸的位置與支撐面的邊緣形...
								
            
							
            
							
						
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								      本發(fā)明提供了一種金屬?絕緣體?金屬電容器的制造方法，包括：提供襯底；形成第一電極層，其在第一類金屬線上方具有第一開口；形成介電層及形成第二電極層，其在第二類金屬線上方具有第二開口；依次交替形成剩余的介電層及電極層，其中奇數(shù)電極層依次位于第一...
								
            
							
            
							
						
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								      本申請?zhí)峁┝艘环N三維無源器件及其制備方法，三維無源器件包括第一無源元件和第二無源元件，第一無源元件的兩個電極和第二無源元件的第一電極設置于玻璃基板的第一面，第二無源元件的第二電極設置于玻璃基板的第二面，第二面的表面粗糙度小于或等于5nm。本...
								
            
							
            
							
						
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								      本申請?zhí)峁┝艘环N芯片封裝結構及其制作方法、電子設備。其中，芯片封裝結構包括：基板；芯片，芯片設于基板上；封裝層，封裝層設于基板上且環(huán)繞芯片，封裝層上形成有至少一個第一倒角結構，第一倒角結構設于封裝層上相鄰的兩個側壁之間。本申請能夠降低芯片封...
								
            
							
            
							
						
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								      本申請?zhí)峁┝艘环N鋰離子電池及用電裝置。鋰離子電池包括正極極片、負極極片和電解液；其中，所述正極極片包括包括正極活性材料，所述正極活性材料的鋰離子固相擴散特征時間常數(shù)為Tp，所述負極極片包括負極活性材料，所述負極活性材料的鋰離子固相擴散特征時...
								
            
							
            
							
						
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