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一種離子儲存材料及其制備方法和應用

本發(fā)明提供一種離子儲存材料及其制備方法和應用，所述離子儲存材料包括式(I)所示的化合物：Sn_xA_yM_zO_mR_n；通過將特定的M元素...

2025-09-20
一種鹽酸米托蒽醌脂質體及其制備方法與應用

本發(fā)明屬于藥物輸送技術領域，尤其涉及一種鹽酸米托蒽醌脂質體及其制備方法與應用。本發(fā)明提供的鹽酸米托蒽醌脂質體，以單價磺酸鹽為內水相，將鹽酸米托蒽醌高效、穩(wěn)定地包封在脂質體內水相中，通過調節(jié)內水相中磺酸鹽的濃度，可使所制備的鹽酸米托蒽醌脂質體...

2025-09-20
有機光電子二極管和顯示裝置

本發(fā)明涉及一種有機光電子二極管和顯示裝置，有機光電子二極管包括：彼此面對的陽極和陰極、位于陽極和陰極之間的發(fā)光層、位于陽極和發(fā)光層之間的空穴傳輸層以及位于空穴傳輸層和發(fā)光層之間的空穴傳輸輔助層，其中空穴傳輸輔助層包括與空穴傳輸層鄰近的第一空...

2025-09-20
層疊鐵芯的制造方法以及層疊鐵芯

提供能夠在將鐵芯片一體化后可靠地調整層疊高度的層疊鐵芯的制造方法。層疊多個鐵芯片(3)，層疊的鐵芯片(3)由通過遍及突起(15)間的第一焊接形成的第一焊接部(5)結合而被一體化，測定被一體化的鐵芯片(3)的層疊高度，基于測定的層疊高度，在被...

2025-09-20
利用機器學習模型來檢測泄漏的敏感瀏覽信息

本公開涉及一種敏感度檢測系統(tǒng)，該敏感度檢測系統(tǒng)準確高效地確定基于用戶瀏覽活動的信息何時無意地揭露了關于所述用戶的私有或其他敏感信息。例如，敏感度檢測系統(tǒng)生成和利用機器學習模型來檢測敏感度，以準確地檢測敏感用戶信息何時從諸如用戶簡檔等用戶信息...

2025-09-20
顯示面板及顯示裝置

一種顯示面板，包括：襯底、多個子像素、多條數(shù)據(jù)線、多個柵極驅動電路、第一組數(shù)據(jù)扇出線、第二組數(shù)據(jù)扇出線、第一組控制信號線、第二組控制信號線、第一組靜電釋放電路和第二組靜電釋放電路。第一組數(shù)據(jù)扇出線與第一組控制信號線在襯底的正投影存在交疊，第...

2025-09-20
一種顯示模組、顯示裝置及顯示模組成型方法

顯示模組包括電路板、油墨層、LED芯片和封裝層。油墨層的材料至少包括丙烯酸脂、環(huán)氧樹脂和有機顏料，油墨膜片貼附于電路板，油墨層具有開窗；LED芯片，固晶于開窗；封裝層覆蓋于電路板、油墨層及LED芯片。

2025-09-20
半導體結構單元及其形成方法、半導體結構

一種半導體結構單元及其形成方法、半導體結構，半導體結構單元包括：襯底，包括第一區(qū)和第二區(qū)；位于襯底上的若干第一柵極結構和若干第二柵極結構，第一柵極結構位于相鄰的第二柵極結構之間；位于第一區(qū)第一柵極結構上和第二柵極結構上的若干第一金屬層，第一...

2025-09-20
一種半導體器件及其制備方法

本公開實施例提供一種半導體器件及其制備方法，所述方法包括：在襯底上形成柵極層；在所述柵極層上形成第一掩膜層；利用所述第一掩膜層對所述柵極層進行刻蝕，形成柵極；對所述襯底進行離子摻雜，以在所述柵極兩側形成源/漏區(qū)；去除所述第一掩膜層；形成覆蓋...

2025-09-20
半導體器件及其制作方法、集成電路、存儲系統(tǒng)

本公開提供了一種半導體器件及其制作方法、集成電路、存儲系統(tǒng)，涉及半導體芯片技術領域，旨在解決低電壓晶體管背柵漏電的問題。所述半導體器件包括襯底、第一絕緣層、第二絕緣層、半導體層、第一晶體管和第二晶體管。第一絕緣層設置于襯底一側，包括第一部分...

2025-09-20
薄膜晶體管、像素陣列基板、顯示裝置及其制造方法

本發(fā)明涉及一種薄膜晶體管、像素陣列基板、顯示裝置及其制造方法。所述薄膜晶體管的制造方法包括以下步驟：在基板上形成第一金屬層以及覆蓋于第一金屬層上的絕緣層；在絕緣層上形成非晶態(tài)半導體薄膜；對非晶態(tài)半導體薄膜進行熱處理，以使非晶態(tài)半導體薄膜轉換...

2025-09-20
薄膜晶體管、像素陣列基板、顯示裝置及其制造方法

本發(fā)明公開一種薄膜晶體管、像素陣列基板、顯示裝置及其制造方法。所述薄膜晶體管的制造方法包括以下步驟：在基板上形成第一金屬層以及覆蓋于第一金屬層上的絕緣層；在絕緣層上形成非晶態(tài)半導體薄膜；對非晶態(tài)半導體薄膜進行離子注入，以將3A族離子注入非晶...

2025-09-20
半導體裝置及其形成方法

提供半導體裝置及其形成方法。半導體裝置包括碳化硅基板、外延層、第一電極、分離柵極結構以及源極接觸。碳化硅基板具有第一、第二以及第三區(qū)，且具有第一導電類型。外延層設置于碳化硅基板的頂面上。外延層具有第一導電類型。第一電極設置于第一區(qū)的外延層中...

2025-09-20
半導體裝置及其形成方法

本發(fā)明提供半導體裝置及其形成方法。半導體裝置包括碳化硅基板、外延層、阱區(qū)、柵極結構、第一絕緣柱、一對第一介電間隔物以及接觸部件。碳化硅基板具有第一區(qū)以及第二區(qū)，且具有第一導電類型。外延層設置于碳化硅基板上且具有第一導電類型。阱區(qū)位于外延層中...

2025-09-20
一種注塑成型含前或后端蓋的定子組件及其工藝

本發(fā)明適用于電機制造技術領域，提供了一種注塑成型含前或后端蓋的定子組件及其工藝，包括集成前端蓋或集成后端蓋，所述集成前端蓋或集成后端蓋內設有定子鐵芯和定子繞組，所述集成前端蓋或集成后端蓋采用可塑性材質成型；其中，所述定子繞組置于所述定子鐵芯...

2025-09-20
一種O3型鈉離子電池鎳錳基層狀氧化物正極材料、制備方法和用途

一種O3型鈉離子電池鎳錳基層狀氧化物正極材料、制備方法和用途屬于電極材料領域。化學通式表示為：Na_x(Ni_yMn_1?y)_1?βM_β...

2025-09-20
一種多芯片的封裝結構、光模塊和光通信系統(tǒng)

本申請?zhí)峁┝耍环N多芯片的封裝結構、光模塊和光通信系統(tǒng)，包括：基板，基板的頂面配置有多個芯片，多個芯片包括至少一個電芯片和光芯片；其中，基板的頂面包括第一區(qū)域和第二區(qū)域，第一區(qū)域與基板的底面的距離大于第二區(qū)域與基板的底面的距離，第一區(qū)域用于...

2025-09-20
一種利用空氣腔增強氧化鎵外延質量的制備方法

本發(fā)明提供了一種利用空氣腔增強氧化鎵外延質量的制備方法，該方法通過降低位錯密度來提高薄膜質量。在具體實施過程中，我們采用光刻技術在襯底上形成具有特定圖案的光刻膠，隨后對帶有光刻膠圖案的襯底進行熱回流處理。接著，在熱回流后的襯底上進行非晶態(tài)或...

2025-09-20
問答處理的方法、裝置、電子設備、介質及程序產品

本發(fā)明實施例提供了問答處理的方法、裝置、電子設備、介質及程序產品，所述方法包括：獲取用戶輸入的問題文本，并生成所述問題文本對應的第二向量；采用所述第二向量，在預先構建的向量庫中進行向量匹配，得到目標第一向量，并確定所述目標第一向量對應的目標...

2025-09-20
一種基于生成式人工智能技術的電廠設計專題報告生成方法及其系統(tǒng)

本發(fā)明提供了一種基于生成式人工智能技術的電廠設計專題報告生成方法，其特征在于，包括以下步驟：(1)數(shù)據(jù)采集與處理；(2)自然語言處理與信息提取；(3)生成式人工智能模型訓練；(4)報告生成與內容組織；(5)報告輸出與定制化；(6)質量評估與...

2025-09-20

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