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          • X射線生成裝置包括:X射線生成管、包括電子發射部分的陰極、以及包括靶的陽極;被配置為驅動X射線生成管的驅動電路,以及被配置為容納X射線生成管和驅動電路的容納容器。容納容器限定存儲驅動電路的第一空間、以及從第一空間突出并且存儲X射線生成管的至...
          • 本公開涉及一類新穎的可用于蛋白質的靶向或選擇性降解的雙官能分子。
          • 描述了一種服裝再造系統,該服裝再造系統包括:數據庫,數據庫包含用于改造衣物的基本原理和規則;用于輸入一系列用戶參數的裝置,其中,用戶可以從數據庫中的列表中選擇服裝;用于與本發明的一組規則相結合來選擇數據庫中的改造,使得用戶可選擇將要制造哪個...
          • 提供了一種包括存儲區和非存儲區的單一集成電路。存儲區包括第一導電結構、設于第一導電結構上的存儲元件以及設于存儲元件上的第一通孔。非存儲區包括第二導電結構以及設于第二導電結構上的第二通孔。第一導電結構和第二導電結構通過包括第一光掩模的第一光刻...
          • 描述消息處理設施。所述設施接收用戶輸入,所述用戶輸入定義希望給收件人服務主體的文本消息。在發送所述所定義的文本消息之前,所述設施分析所述所定義的文本消息以確定多個文本消息類別當中所述所定義的文本消息所屬的文本消息類別。
          • 晶片上的半導體器件單片陣列包括占據晶片上的第一器件區域的第一半導體器件,所述第一器件區域位于所述晶片中的第一多孔區上方。第一多孔區具有第一結構、第一孔隙率和第一尺寸。第二半導體器件占據晶片上的第二器件區域。第一半導體器件和第二半導體器件具有...
          • 控制器包括處理器和存儲指令的存儲器,該指令配置為使得處理器:接收測試氣溶膠化系統的排放測試數據,該排放測試數據對應于所述測試氣溶膠化系統的測試氣溶膠化器的測試氣溶膠化器功率或測試氣溶膠化器功率范圍以及測試濃度或測試濃度范圍,接收對應于操作持...
          • 一種軟件,其可存儲在電子處理資源(10)中并由電子處理資源(10)執行,并且被設計成在被執行時使電子處理資源(10)配置為實時檢測和/或預測對象在清醒(W)階段、困倦(D)階段和睡眠(S)階段之中的一個或多個行為狀態和/或轉變。所述軟件被設...
          • 描述了一種漿包壓機(1、101)、漿包加壓方法以及漿包生產線或系統。該漿包壓機(1、101)用于壓縮漿包(12、14)并且包括:底座(2、102);與底座(2、102)相對定位并連接到底座(2、102)的頂部(4、104);以及配置為在底座...
          • 本公開提供了復合物及使用方法。在一些實施方案中,本文所述的復合物是包含陽離子聚合物、陰離子聚合物和單體RNA分子的復合物,其中所述陽離子聚合物和所述單體RNA分子形成被所述陰離子聚合物包封的核心復合物。在一些實施方案中,復合物包含線性陽離子...
          • 本發明提供一種固定組件,其包括:長形柔性構件,該長形柔性構件在自由端部與止擋端部之間延伸;夾頭,該夾頭具有本體,該本體包括夾緊表面、相對的固定表面、夾緊表面和固定表面沿著其交會的邊緣以及孔口,柔性構件兩次穿過該孔口,以在本體的相對側上分別提...
          • 用于實現生物和/或化學材料的安全處理的設備,該設備包括:外殼,該外殼封閉工作空間,其中,外殼包括用于進入工作空間的開口;框格,該框格安裝到外殼,該框格構造成在關閉位置和打開位置之間移動,在關閉位置中,框格覆蓋工作空間的開口,在打開位置中,框...
          • 本發明涉及一種用于輸送制冷劑的管材,所述管材包括制冷劑阻隔層和隔水層,其中所述隔水層包圍所述制冷劑阻隔層,其中所述制冷劑阻隔層包含塑料、特別是熱塑性的塑料。所述隔水層具有至少45或60或75或90重量%的聚烯烴含量。
          • 能夠提供一種自動地給送膜的膜傳送機。從上游側向下游側給送膜(83)的膜傳送機包括給送機構(70),該給送機構包括:第一上輥(UR71)和第一下輥(LR71),設于膜傳送路徑的上游;第一向上/向下驅動源,使第一上輥和第一下輥相對地移動以使得它...
          • 一種用于基板處理的方法,包括:使一種或多種工藝反應性氣體流入處理腔室的上容積中;使清潔氣體流入該處理腔室的下容積中;測量該處理腔室的該下容積的內表面的溫度;以及基于測量的溫度來調整該處理腔室的該下容積的該內表面的溫度。
          • 本發明提出通過使用適當的反應性的焦炭而能夠降低還原材料比的高爐的操作方法。一種高爐的操作方法,其是從高爐的爐頂將鐵系原料和焦炭以層狀裝入、并從高爐的風口向所述高爐的內部吹入含氧氣體和包含烴類氣體的還原材料的高爐的操作方法,其中,在所述含氧氣...
          • 一種通過原子層沉積(ALD)或ALD樣工藝沉積含硅和氮的介電膜的方法。該方法包括以下步驟:a)將至少一個襯底提供到反應器中和將反應器加熱至約25℃至約600℃范圍的至少一個溫度,并任選地將反應器保持在約100托或更低的壓力下;b)將形成含硅...
          • 公開了根據各種實施例的電子裝置和電子裝置的操作方法,該電子裝置包括:通信電路,用于支持通過地面網絡和非地面網絡的蜂窩通信;存儲器,用于存儲映射數據,其中,非地面網絡的識別信息和由非地面網絡支持的服務被映射;以及通信處理器,其中,通信處理器可...
          • 本公開內容的實施例大體上涉及用于基板處理腔室中的預熱環以及相關方法。包括黑石英(諸如由黑石英形成)的預熱環促進材料特性,從而可促進加熱。在一個或多個實施例中,適用于半導體處理腔室的預熱環包括一個或多個環形段。一個或多個環形段包括限定內尺寸的...
          • 本發明公開一種單軸取向聚乙烯膜,包括具有內表面層(I)、外表面層(O)和核心層(C)的多個層,其中,所述內表面層(I)和所述外表面層(O)中的至少一個由包含多峰線性低密度乙烯(LLDPE)三元共聚物組分(PE1)的組合物制成,該組分的密度在...
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