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          • 用于卷曲材料片材(1)的設(shè)備,該設(shè)備包括波紋表面(12)、使材料片材橫穿波紋表面的輸送機(jī)構(gòu)、以及加壓空氣出口(20),加壓空氣出口配置成朝向材料片材施加加壓空氣(21),以便使材料片材壓靠波紋表面,并且由此卷曲材料片材,其中波紋表面具有與材...
          • 本發(fā)明提供了一種太陽(yáng)電池及其制備方法與光伏組件。該太陽(yáng)電池包括電池基片以及保護(hù)層,電池基片具有切割面,保護(hù)層設(shè)置于切割面上;保護(hù)層的材料包括附著于切割面上的共聚物材料,共聚物材料為經(jīng)偶聯(lián)劑改性的有機(jī)半導(dǎo)體材料。本發(fā)明中,位于切割面之上的有機(jī)...
          • 本申請(qǐng)涉及太陽(yáng)電池領(lǐng)域,尤其涉及一種圖形化鈍化接觸結(jié)構(gòu)的制備方法、太陽(yáng)電池及光伏組件。制備方法包括:提供太陽(yáng)電池初始結(jié)構(gòu),使用帶有鏤空?qǐng)D形的掩膜板遮蓋太陽(yáng)電池初始結(jié)構(gòu)的Poly層,使Poly層表面形成暴露區(qū)域和非暴露區(qū)域;在臭氧氛圍下對(duì)Po...
          • 本申請(qǐng)涉及數(shù)據(jù)處理技術(shù)領(lǐng)域,提供一種數(shù)據(jù)管理方法、裝置、電子設(shè)備、介質(zhì)及產(chǎn)品,應(yīng)用于計(jì)算節(jié)點(diǎn),方法包括:接收到加密數(shù)據(jù)與所述加密數(shù)據(jù)對(duì)應(yīng)的私鑰分片;私鑰分片為基于沙密爾Shamir秘密分享算法對(duì)加密數(shù)據(jù)的私鑰進(jìn)行分片得到多個(gè)私鑰分片之一;對(duì)...
          • 本發(fā)明公開(kāi)了一種改善自熱效應(yīng)的納米片場(chǎng)效應(yīng)晶體管及其制備方法,方法包括:在Si襯底上外延生長(zhǎng)第一SiGe層及多個(gè)由SiGe層和Si層構(gòu)成的堆疊層納米片結(jié)構(gòu);刻蝕形成鰭狀的堆疊層納米片結(jié)構(gòu);淀積氧化物隔離結(jié)構(gòu)STI;淀積多晶硅柵極和柵極側(cè)墻,...
          • 一種晶圓盒及其限位裝置,所述晶圓盒包含一底座、一儲(chǔ)存框架及一蓋體,所述限位裝置包括一基座、多個(gè)活動(dòng)板體、至少二擋板及一抵靠組件;所述基座包含一橫桿及二延伸臂,每一活動(dòng)板體包含一轉(zhuǎn)軸及一固定桿。本發(fā)明利用擋板限制活動(dòng)板體的翻轉(zhuǎn)路徑,使得抵靠組...
          • 本申請(qǐng)公開(kāi)了一種音頻播放方法、裝置、計(jì)算機(jī)設(shè)備及計(jì)算機(jī)可讀存儲(chǔ)介質(zhì),屬于人工智能領(lǐng)域。本申請(qǐng)可以獲取包括至少兩個(gè)對(duì)話文本的目標(biāo)文本,至少兩個(gè)對(duì)話文本分屬不同的對(duì)話角色;對(duì)目標(biāo)文本進(jìn)行內(nèi)容分析,得到角色圖譜和至少兩個(gè)對(duì)話標(biāo)注信息,角色圖譜包括...
          • 本發(fā)明提供一種文字識(shí)別的方法,包括:S1.通過(guò)攝像頭獲取輸入圖像,獲取兩路不同尺寸的圖像;S2.將第二圖像送入文字偵測(cè)模型,偵測(cè)得到圖像中文本分布的熱圖;S3.將第二圖像得到的熱圖,按照縮放比例resize_rate,放大至第一圖像的尺寸;...
          • 本申請(qǐng)公開(kāi)了一種圖像處理方法、裝置、移動(dòng)載體、存儲(chǔ)介質(zhì)及產(chǎn)品,方法包括:獲取實(shí)際相機(jī)在世界坐標(biāo)系下的第一位姿信息以及虛擬相機(jī)在世界坐標(biāo)系的第二位姿信息,并獲取實(shí)際相機(jī)的圖像;根據(jù)所述第二位姿信息將所述世界坐標(biāo)系變換至虛擬相機(jī)坐標(biāo)系,并基于所...
          • 本申請(qǐng)的實(shí)施例涉及地圖領(lǐng)域和人工智能技術(shù)領(lǐng)域。本申請(qǐng)的實(shí)施例揭示了旅行行程制定方法及裝置、設(shè)備、存儲(chǔ)介質(zhì)、程序產(chǎn)品。該方法包括:根據(jù)檢測(cè)到的行程創(chuàng)建指令進(jìn)行行程信息的編輯處理;若檢測(cè)到行程優(yōu)化指令,根據(jù)已編輯的行程信息確定待優(yōu)化的初始行程,...
          • 本申請(qǐng)公開(kāi)了一種刷掌支付方法、裝置、計(jì)算機(jī)設(shè)備及存儲(chǔ)介質(zhì),可應(yīng)用于線上購(gòu)物場(chǎng)景、線下實(shí)體店支付場(chǎng)景、轉(zhuǎn)賬支付場(chǎng)景等各種場(chǎng)景,方法包括:獲取來(lái)自于目標(biāo)聲源方向的目標(biāo)語(yǔ)音信號(hào);基于目標(biāo)語(yǔ)音信號(hào),生成待支付訂單;獲取來(lái)自于目標(biāo)聲源方向的刷掌支付請(qǐng)...
          • 本發(fā)明提供一種壓驅(qū)注水裂縫長(zhǎng)度實(shí)時(shí)擴(kuò)展及未來(lái)預(yù)測(cè)的定量表征方法,包括:步驟1,收集注水井基礎(chǔ)資料,計(jì)算注水井底流壓Pw;步驟2,繪制壓驅(qū)前Pw/Q?1/Q注水指示曲線,計(jì)算壓驅(qū)注水前的儲(chǔ)層平均壓力...
          • 本公開(kāi)提供了一種文章分類(lèi)方法、裝置、設(shè)備及介質(zhì),涉及人工智能技術(shù)領(lǐng)域,該方法包括:獲取多篇待分類(lèi)的領(lǐng)域文章,根據(jù)每篇領(lǐng)域文章的內(nèi)容標(biāo)識(shí)和內(nèi)容信息,通過(guò)網(wǎng)絡(luò)模型確定第一類(lèi)型的每篇領(lǐng)域文章的第一向量,根據(jù)每篇領(lǐng)域文章的特征向量,與預(yù)先構(gòu)建的向量...
          • 本發(fā)明提供皮帶輪靜平衡檢測(cè)及調(diào)節(jié)裝置,包括支撐箱體,支撐箱體上部?jī)蓚?cè)壁上分別設(shè)置有調(diào)心滾子軸承和深溝球軸承,調(diào)心滾子軸承和深溝球軸承套裝有旋轉(zhuǎn)軸,旋轉(zhuǎn)軸穿過(guò)支撐箱體,旋轉(zhuǎn)軸一端套裝有連接套和定位環(huán),連接套位于定位環(huán)內(nèi)側(cè),連接套外周連接有皮帶...
          • 本發(fā)明公開(kāi)了一種多聯(lián)機(jī)空調(diào)通訊系統(tǒng),包括:阻抗匹配電路,其用于匹配通訊信號(hào)傳輸過(guò)程中的阻抗,且包括:第一終端阻抗,其設(shè)置在所述發(fā)信側(cè)系統(tǒng)的發(fā)信側(cè);第二終端阻抗,其設(shè)置在所述收信側(cè)系統(tǒng)的收信側(cè);分布電容,其設(shè)置在Homebus總線上;第一終端...
          • 本發(fā)明提供一種有機(jī)鉬鹽及其制備方法與應(yīng)用,所述有機(jī)鉬鹽失重20wt%溫度(T20)≥200℃,失重40wt%溫度(T40)≥260℃,失重60wt%溫度(T60)≥320℃,...
          • 本發(fā)明的目的在于提供可得到長(zhǎng)期不易變形的成形物的熱膨脹性微球及其用途。一種熱膨脹性微球,其包含含有熱塑性樹(shù)脂的外殼以及上述外殼中所內(nèi)包且將通過(guò)加熱而氣化的發(fā)泡劑,上述熱塑性樹(shù)脂是包含選自含羧基單體、(甲基)丙烯酸酯系單體、苯乙烯系單體及(甲...
          • 本發(fā)明公開(kāi)一種鍵合結(jié)構(gòu),包括電路基板以及若干LED芯片,電路基板上設(shè)有若干焊盤(pán),LED芯片包括第一電極以及第二電極,電路基板與LED芯片之間設(shè)有導(dǎo)電膠膜層,導(dǎo)電膠膜層包括絕緣膠層,絕緣膠層具有第一面以及與第一面相對(duì)的第二面,絕緣膠層上設(shè)置有...
          • 本申請(qǐng)實(shí)施例提供了一種發(fā)光二極管芯片及制作方法、顯示模組和顯示裝置。發(fā)光二極管芯片包括襯底層;外延結(jié)構(gòu),位于襯底層的一側(cè),包括沿遠(yuǎn)離襯底層方向依次設(shè)置的第一半導(dǎo)體層、有源層以及第二半導(dǎo)體層;電極層,位于外延結(jié)構(gòu)的背離襯底層的一側(cè),包括第一電...
          • 本申請(qǐng)涉及半導(dǎo)體技術(shù)領(lǐng)域,特別涉及一種半導(dǎo)體器件及其制備方法,半導(dǎo)體器件包括襯底,具有絕緣層;位于絕緣層一側(cè)并沿第一方向依次鄰接的第一阱區(qū)、第二阱區(qū)和第三阱區(qū),第一阱區(qū)和第三阱區(qū)的導(dǎo)電類(lèi)型相同,第一阱區(qū)和第二阱區(qū)的導(dǎo)電類(lèi)型相異;形成于第一阱...
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