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								      本發(fā)明實施例提供了一種太陽能電池及其制備方法，其中，本發(fā)明實施例所提供的太陽能電池中，通過第一導電層的連接，將疊層鈣鈦礦電池結(jié)構(gòu)設置在N型TOPCon電池結(jié)構(gòu)背面，不僅能夠保證N型TOPCon電池衰減較小的優(yōu)勢，提升N型TOPCon電池的光...
								
            
							
            
							
						
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								      本發(fā)明實施例提供了一種太陽能電池及其制備方法，其中，本發(fā)明實施例所提供的太陽能電池中，通過第一導電層的連接，將疊層鈣鈦礦電池結(jié)構(gòu)設置在N型TOPCon電池結(jié)構(gòu)背面，并對與N型TOPCon電池結(jié)構(gòu)正面電極接觸的硼摻雜區(qū)進行高濃度摻雜，不僅能夠...
								
            
							
            
							
						
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								      本公開提出一種成膜工藝的優(yōu)化方法及裝置，涉及成膜工藝技術(shù)領域。其中，方法包括：確定太陽能板上第一自清潔薄膜的多個成膜工藝參數(shù)；對多個成膜工藝參數(shù)進行組合，獲得多個成膜工藝參數(shù)組；通過優(yōu)化算法在成膜工藝參數(shù)的參數(shù)變化區(qū)間內(nèi)進行迭代搜索，計算每...
								
            
							
            
							
						
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								      本發(fā)明實施例提供了一種N型TOPCon電池及其制備方法，其中，本發(fā)明實施例所提供的N型TOPCon電池的制備方法，在形成正面柵線的銀漿中省卻了鋁粉，但在燒結(jié)并進行光注入后進行激光誘導，能夠引發(fā)銀硅互擴散，從而顯著降低接觸電阻，提高了電池的填...
								
            
							
            
							
						
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								      本發(fā)明提供一種圖像傳感器及其制備方法、電子設備，制備方法包括在半導體基底中通過不同的步驟形成第一溝槽和第二溝槽，并基于不同的工藝步驟在第一溝槽中形成吸光材料層，在第二溝槽中形成透光材料層。本發(fā)明的結(jié)構(gòu)及工藝可以同時兼顧相同顏色高感光度和不同...
								
            
							
            
							
						
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								      本發(fā)明實施例公開了一種顯示基板及顯示裝置，通過將采用LTPO技術(shù)制作的像素驅(qū)動電路中的低溫多晶硅晶體管、氧化物晶體管、存儲電容與第一電壓輸入焊盤集成在柔性襯底的兩側(cè)，形成垂直堆疊的驅(qū)動背板結(jié)構(gòu)，這樣可以縮減像素驅(qū)動電路占用的面積，提高像素密...
								
            
							
            
							
						
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								      本發(fā)明提供一種外延結(jié)構(gòu)及其形成方法，通過在溝槽底部形成SiAs外延層，以阻擋磷元素向襯底擴散，同時，溝槽側(cè)壁沒有SiAs外延層或者形成的SiAs外延層相對較薄，不會影響磷元素向溝道的橫向擴散，從而可以提高器件性能。
								
            
							
            
							
						
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								      本申請?zhí)峁┝擞糜谠诙鄠€信道之間分配調(diào)度周期的系統(tǒng)和方法。該方法包括從第一信道接收第一信號和從第二信道接收第二信號。第一信號包括第一通信請求，第二信號包括第二通信請求。該方法包括確定對應于第一通信請求的第一優(yōu)先級和對應于第二通信請求的第二優(yōu)先...
								
            
							
            
							
						
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								      本公開提供一種多流業(yè)務識別方法，獲取待識別業(yè)務類型的數(shù)據(jù)流的流量特征，利用第一識別模型，根據(jù)待識別業(yè)務類型的數(shù)據(jù)流的流量特征初步識別各所述數(shù)據(jù)流的業(yè)務類型，針對初步識別結(jié)果中為第一類型或第二類型的目標數(shù)據(jù)流，根據(jù)各目標數(shù)據(jù)流所屬業(yè)務的流數(shù)量...
								
            
							
            
							
						
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								      本申請實施例涉及一種智能設備的配網(wǎng)方法、裝置、電子設備及存儲介質(zhì)，上述方法包括：確定待配網(wǎng)智能設備列表，其中，所述待配網(wǎng)智能設備列表中的待配網(wǎng)智能設備按照配網(wǎng)概率降序排列；顯示所述待配網(wǎng)智能設備列表；檢測針對所述待配網(wǎng)智能設備列表中的待配網(wǎng)...
								
            
							
            
							
						
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								      一種高穩(wěn)定性鈉離子電池錳基復合正極材料、制備方法及其用途，屬于鈉離子電池正極材料技術(shù)領域。正極材料的化學通式表示為：NaxNiaMnbTicM...
								
            
							
            
							
						
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								      本公開實施例公開了一種電子器件、電子系統(tǒng)以及供電電路，所述電子器件包括：供電結(jié)構(gòu)，所述供電結(jié)構(gòu)包括節(jié)點，且通過所述節(jié)點提供電壓；以及第一電路，所述第一電路的一端經(jīng)過第一電阻耦接于所述節(jié)點，另一端接地；封裝結(jié)構(gòu)，所述封裝結(jié)構(gòu)包括：第二電路和芯...
								
            
							
            
							
						
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								      本公開提出一種煙火斷路器，包括殼體；導電排，相對于殼體固定安裝，導電排沿第一方向延伸，包括在第一方向上設置在導電排兩端的兩個導電端部，還包括至少兩個位于兩個導電端部之間的沿第一方向間隔開的沖斷體，導電端部伸出殼體外；沖頭，配置為相對于殼體沿...
								
            
							
            
							
						
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								      本發(fā)明公開了一種顯示像素信號處理方法、顯示像素驅(qū)動電路及顯示裝置，所述顯示像素信號處理方法包括：在數(shù)據(jù)驅(qū)動電路中增設子像素等化器，將共享同一控制單元的至少兩個子像素的數(shù)字灰階信號或/和數(shù)字電壓信號在空間和/或時間上按預設比例等化處理。本發(fā)明...
								
            
							
            
							
						
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								      本申請公開了一種題目批改方法、裝置、設備及介質(zhì)。其中，該方法包括：獲取待批改答題信息，待批改答題信息包括題目文本以及題目文本對應的待批改作答信息；對題目文本進行分類，得到題目文本對應的題型分類結(jié)果；基于題型分類結(jié)果，按照對應的預設推理路徑對...
								
            
							
            
							
						
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								      本申請?zhí)峁┝艘环N渲染方法、基于渲染服務渲染幀的裝置和電子設備，該渲染方法包括：渲染線程同步第一變化節(jié)點的繪制信息，第一變化節(jié)點是應用的下一幀相對于應用的當前幀繪制信息發(fā)生變化的節(jié)點，繪制信息包括渲染屬性信息和繪制指令；渲染線程在第一畫布上回...
								
            
							
            
							
						
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								      本發(fā)明提供一種基于北斗定位與雷達測距的導線弧垂監(jiān)測方法及系統(tǒng)，應用于輸電線路運維檢修技術(shù)領域。基于北斗定位與雷達測距的導線弧垂監(jiān)測方法包括：獲取輸電線路弧垂的北斗定位數(shù)據(jù)序列和雷達測距數(shù)據(jù)序列；根據(jù)北斗定位數(shù)據(jù)序列，確定輸電線路的抖動程度；...
								
            
							
            
							
						
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								      本發(fā)明提出了一種熔融合金封隔器，包括中心管，所述中心管為管狀的結(jié)構(gòu)；設置在所述中心管上的鉍基合金環(huán)，所述鉍基合金環(huán)采用鋁熱劑加熱融化凝固實現(xiàn)對地層縫隙及環(huán)空的封堵；以及設置在所述中心管上的預制緊固結(jié)構(gòu)，所述預制緊固結(jié)構(gòu)啟動后推動融化后的鉍基...
								
            
							
            
							
						
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								      本發(fā)明半導體晶片的處理方法，包括導體晶片置于反應腔室，向所述反應腔室通入H2和SiH4氣體以在所述半導體晶片表面形成沉積層；以及向所述反應腔室通入硼摻雜氣體，使所述半導體晶片表面摻雜硼原子。本發(fā)明...
								
            
							
            
							
						
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								      本發(fā)明提供了一種高鐵鋁土礦中鋁鐵分離的方法，所述方法包括：將高鐵鋁土礦進行磨礦，得到鋁土礦粒；將堿液與所得鋁土礦?；旌线M行第一溶出，分離后得到富鐵礦和第一含鋁溶液；將所得富鐵礦進行焙燒，得到焙燒精礦；將所得焙燒精礦和所得第一含鋁溶液混合進行...
								
            
							
            
							
						
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