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          • 本申請(qǐng)實(shí)施例公開(kāi)了一種網(wǎng)絡(luò)設(shè)備的接入方法和通信裝置,涉及通信技術(shù)領(lǐng)域,能夠使得終端設(shè)備根據(jù)網(wǎng)絡(luò)設(shè)備的工作模式確定接入網(wǎng)絡(luò)設(shè)備,以提升終端設(shè)備的數(shù)據(jù)傳輸效率。該方法包括:接收系統(tǒng)信息,系統(tǒng)信息用于指示第一網(wǎng)絡(luò)設(shè)備的工作模式,工作模式為存儲(chǔ)和轉(zhuǎn)...
          • 本公開(kāi)實(shí)施例提供一種數(shù)據(jù)發(fā)送方法、數(shù)據(jù)接收方法、裝置及存儲(chǔ)介質(zhì),涉及通信技術(shù)領(lǐng)域,用于調(diào)整信道中各個(gè)傳輸層的傳輸功率,避免各個(gè)傳輸層之間的傳輸功率相差較大而影響傳輸性能。該數(shù)據(jù)發(fā)送方法包括:接收第二節(jié)點(diǎn)發(fā)送的信道狀態(tài)信息CSI;其中,CSI...
          • 本申請(qǐng)公開(kāi)了一種信息傳輸方法、裝置及相關(guān)設(shè)備,屬于通信技術(shù)領(lǐng)域,本申請(qǐng)實(shí)施例的信息傳輸方法包括:終端接收核心網(wǎng)設(shè)備發(fā)送的第一信息,所述第一信息用于指示所述終端應(yīng)用的目標(biāo)人工智能AI定位模型或功能,所述目標(biāo)AI定位模型或功能與接入網(wǎng)設(shè)備應(yīng)用的...
          • 一種資源分配方法和裝置,該方法包括:第一通信裝置確定第一傳輸資源,第一傳輸資源包括M個(gè)傳輸塊分別對(duì)應(yīng)的傳輸資源,M個(gè)傳輸塊中至少兩個(gè)傳輸塊對(duì)應(yīng)的傳輸資源的大小不相等,M為大于1的整數(shù);再基于第一傳輸資源,得到用于傳輸M個(gè)傳輸塊的M個(gè)第二傳輸...
          • 本申請(qǐng)實(shí)施例提供了一種傳輸方法、設(shè)備及存儲(chǔ)介質(zhì),該方法包括:接收第二設(shè)備發(fā)送的第一指示信息,所述第一指示信息用于指示至少一個(gè)參數(shù)集合,每個(gè)參數(shù)集合包括至少一個(gè)參數(shù),所述參數(shù)為資源或傳輸格式,至少一個(gè)參數(shù)集合中的參數(shù)數(shù)量大于1;從所述至少一個(gè)...
          • 本申請(qǐng)涉及一種PPDU傳輸方法、裝置及可讀存儲(chǔ)介質(zhì),該方法包括:AMP設(shè)備發(fā)送AMP PPDU,該AMP PPDU包括信令字段和有效載荷,信令字段用于指示有效載荷的MCS,有效載荷的MCS是MCS參數(shù)表中的一種MCS,MCS參數(shù)表中下行傳輸...
          • 本申請(qǐng)?zhí)峁┮环N干擾規(guī)避調(diào)度方法、網(wǎng)絡(luò)設(shè)備、終端、裝置及存儲(chǔ)介質(zhì),該方法包括:網(wǎng)絡(luò)設(shè)備基于RRU的上行IOT測(cè)量結(jié)果確定多RRU小區(qū)內(nèi)各RRU的上行受干擾狀態(tài),和/或,基于終端的下行速率相關(guān)指標(biāo)或者終端上報(bào)的CSIIM干擾值確定多RRU小區(qū)內(nèi)...
          • 本申請(qǐng)實(shí)施例公開(kāi)了一種通信方法及裝置,該方法包括:接入點(diǎn)采用非主信道接入方式從非主信道切換到主信道后,向站點(diǎn)發(fā)送傳輸機(jī)會(huì)TXOP初始控制幀;基于是否接收到確認(rèn)幀進(jìn)行信道接入。采用本申請(qǐng)實(shí)施例,避免了由于主信道上的OBSS TXOP發(fā)生變化產(chǎn)...
          • 本申請(qǐng)?zhí)峁┝艘环N接入網(wǎng)系統(tǒng)、感知處理方法以及通信裝置,該接入網(wǎng)系統(tǒng)是在傳統(tǒng)的CU?DU分離架構(gòu)中的RAN設(shè)備中增設(shè)了網(wǎng)絡(luò)控制設(shè)備。該網(wǎng)絡(luò)控制設(shè)備能夠通過(guò)第一接口和第二接口建立至少一個(gè)RU與至少一個(gè)DU之間的第一連接,此外,該網(wǎng)絡(luò)控制設(shè)備還能...
          • 本公開(kāi)是關(guān)于一種無(wú)線鏈路數(shù)據(jù)的處理方法、裝置及存儲(chǔ)介質(zhì),所述方法包括:終端設(shè)備在當(dāng)前駐留的第一小區(qū)由于第一隨機(jī)接入RACH失敗導(dǎo)致第一無(wú)線鏈路故RLF的情況下,在所述第一小區(qū)觸發(fā)無(wú)線鏈路控制RRC重連;在所述RRC重連成功的情況下,確定是否...
          • 一種具有并聯(lián)定序功能的發(fā)光二極管電路、電路封裝以及燈串,其中該發(fā)光二極管電路包括內(nèi)部電阻、模擬/數(shù)字轉(zhuǎn)換電路、驅(qū)動(dòng)電路以及電流源。內(nèi)部電阻具有第一端與第二端,第一端與第二端分別連接于電源線的輸入端與輸出端。輸入端耦接控制器以接收控制器產(chǎn)生的...
          • 一種電路板包括:基板、處理器插槽、至少一個(gè)動(dòng)態(tài)隨機(jī)存取內(nèi)存插槽、至少一個(gè)周邊組件互連快速插槽、以及第一連接插槽,其中第一連接插槽設(shè)置在基板上并配置為連接擴(kuò)展電路板,電路板適用于第一類機(jī)箱規(guī)格,當(dāng)電路板與擴(kuò)展電路板連接并布置在同一平面時(shí),電路...
          • 本公開(kāi)提供了一種散熱組件、光籠子組件、光通信設(shè)備和散熱方法,屬于散熱技術(shù)領(lǐng)域。散熱組件包括散熱器和電控磁吸裝置。散熱器用于安裝在光籠子的開(kāi)窗處,并用于與光模塊貼合。電控磁吸裝置固定于散熱器,電控磁吸裝置用于在通電狀態(tài)下產(chǎn)生磁吸力。當(dāng)光模塊插...
          • 一種半導(dǎo)體器件及其制造方法、電子設(shè)備,制造方法包括:在襯底上形成圖案化的堆疊結(jié)構(gòu),堆疊結(jié)構(gòu)包括多個(gè)通孔、多個(gè)溝槽;在所述溝槽的內(nèi)壁上形成刻蝕阻擋層并在所述溝槽內(nèi)填滿犧牲層;在所述通孔內(nèi)對(duì)所述第一絕緣層進(jìn)行橫向刻蝕,露出所述刻蝕阻擋層;去除所...
          • 本申請(qǐng)公開(kāi)了一種半導(dǎo)體器件及其制備方法、電子設(shè)備。半導(dǎo)體器件包括:半導(dǎo)體層,包括相互連接的主體部、第一延伸部和第二延伸部,第一延伸部和第二延伸部沿平行于襯底的橫向延伸,主體部沿垂直于襯底的縱向延伸;柵極層,沿縱向延伸,主體部為沿縱向延伸的環(huán)...
          • 本公開(kāi)提供了一種半導(dǎo)體結(jié)構(gòu)及其制備方法、存儲(chǔ)系統(tǒng)、電子設(shè)備,涉及半導(dǎo)體芯片技術(shù)領(lǐng)域,旨在解決如何提高半導(dǎo)體結(jié)構(gòu)的生產(chǎn)良率。半導(dǎo)體結(jié)構(gòu)的制備方法包括形成中間半導(dǎo)體結(jié)構(gòu);中間半導(dǎo)體結(jié)構(gòu)包括多個(gè)有源柱、多個(gè)柵極層和多個(gè)屏蔽層。形成第一層間絕緣層;...
          • 一種半導(dǎo)體器件及其制造方法、電子設(shè)備,所述半導(dǎo)體器件包括:多個(gè)存儲(chǔ)單元,分布于不同層、沿著垂直于襯底的方向堆疊且周期性分布;所述存儲(chǔ)單元包括晶體管;所述晶體管包括單晶硅柱、至少部分環(huán)繞所述單晶硅柱的柵電極和位于所述單晶硅柱與所述柵電極之間的...
          • 本申請(qǐng)?zhí)峁┮环N種鐵電存儲(chǔ)器及其制備方法、電子設(shè)備。該鐵電存儲(chǔ)器包括:襯底和形成在襯底上的多個(gè)存儲(chǔ)單元,每個(gè)存儲(chǔ)單元包括鐵電電容;鐵電電容包括堆疊的第一電極和第二電極,和鐵電層;鐵電層包括氧化鉿、氧化鋯中的至少一種材料以及摻雜元素;摻雜元素的...
          • 本公開(kāi)提供一種顯示單元、顯示面板和顯示模組,屬于顯示技術(shù)領(lǐng)域。顯示面板包括陣列分布的顯示單元,顯示單元包括依次層疊設(shè)置的發(fā)光單元、第一光學(xué)單元和第二光學(xué)單元;發(fā)光單元用于提供激發(fā)光;第一光學(xué)單元對(duì)來(lái)自發(fā)光單元側(cè)的激發(fā)光呈現(xiàn)增透特性;第二光學(xué)...
          • 本發(fā)明提供一種QLED器件及其應(yīng)用。所述QLED器件包括發(fā)光層,所述發(fā)光層包括依次層疊設(shè)置的第一發(fā)光層、激子阻擋層和第二發(fā)光層;所述第一發(fā)光層的材料包括第一主體基質(zhì)和染料;所述染料包括藍(lán)光染料和/或黃光染料。本發(fā)明中通過(guò)對(duì)QLED器件發(fā)光層...
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