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								      本申請實施例公開一種存儲器裝置及存儲器系統(tǒng)。其中，該存儲器裝置包括：第一堆疊；其中，所述第一堆疊包括：第一溝道結構；沿所述第一溝道結構的長度方向形成的多個第一存儲單元；與所述多個第一存儲單元一一耦接的多個第一字線；與所述多個第一字線一一耦接...
								
            
							
            
							
						
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								      本發(fā)明提供了一種基于深度學習的超材料微波吸收器的設計方法，包括數(shù)據(jù)的獲取和卷積神經(jīng)網(wǎng)絡的訓練。首先搭建了一個正向預測的卷積神經(jīng)網(wǎng)絡模型，即由超材料微波吸收器的結構預測其對應的吸收率和紅外發(fā)射率；對于逆向設計模型，加入了自編碼器來進行數(shù)據(jù)降維...
								
            
							
            
							
						
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								      本申請?zhí)峁┮环N微笑模擬的交互方法、系統(tǒng)及電子設備，包括：顯示第一界面，第一界面包括第一用戶管理或查看牙齒診療信息的操作界面，第一界面包括第一控件，第一控件用于觸發(fā)微笑模擬導引功能；響應于第一控件的操作，顯示第二界面，第二界面用于生成跳轉信息...
								
            
							
            
							
						
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								      本申請涉及一種參數(shù)設置方法和醫(yī)學設備。該方法包括：獲取醫(yī)學設備的用戶交互界面中設置當前協(xié)議參數(shù)，并對當前協(xié)議參數(shù)進行合理性校驗，得到參數(shù)校驗結果，進而根據(jù)參數(shù)校驗結果輸出參數(shù)設置提示信息。其中，參數(shù)設置提示信息用于指示對醫(yī)學設備當前協(xié)議參數(shù)...
								
            
							
            
							
						
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								      本申請涉及一種無鹵阻燃絕緣線纜及其制備方法，包括內芯、包覆于內芯的粘結層以及包覆于粘結層的防護層；防護層包括：聚乙烯樹脂、第一礦物粉、玻璃粉、硅酸鋁纖維、阻燃劑、成陶助劑、粘結劑以及相容劑；粘結層包括：乙烯?醋酸乙烯酯共聚物、共聚酰胺、增粘...
								
            
							
            
							
						
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								      本公開涉及一種含Ce釹鐵硼磁體，其中，含Ce釹鐵硼磁體包含薄殼層晶粒、反殼層晶粒和厚殼層晶粒；反殼層晶粒的核部的HRE含量高于殼部的HRE含量；厚殼層晶粒的殼部的HRE含量高于核部的HRE含量；薄殼層晶粒的殼部的HRE含量高于核部的HRE含...
								
            
							
            
							
						
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								      本發(fā)明提供一種壓力控制器以及注塑工裝的新技術方案。壓力控制器包括氣箱組件和控制組件，控制組件包括基座和罩體，罩體罩設于基座，氣箱組件包括氣箱主體；基座的部分位于罩體外，基座與氣箱主體的支撐面固定連接，支撐面的與基座接觸的位置與支撐面的邊緣形...
								
            
							
            
							
						
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								      本發(fā)明提供了一種金屬?絕緣體?金屬電容器的制造方法，包括：提供襯底；形成第一電極層，其在第一類金屬線上方具有第一開口；形成介電層及形成第二電極層，其在第二類金屬線上方具有第二開口；依次交替形成剩余的介電層及電極層，其中奇數(shù)電極層依次位于第一...
								
            
							
            
							
						
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								      本申請?zhí)峁┝艘环N三維無源器件及其制備方法，三維無源器件包括第一無源元件和第二無源元件，第一無源元件的兩個電極和第二無源元件的第一電極設置于玻璃基板的第一面，第二無源元件的第二電極設置于玻璃基板的第二面，第二面的表面粗糙度小于或等于5nm。本...
								
            
							
            
							
						
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								      本申請?zhí)峁┝艘环N芯片封裝結構及其制作方法、電子設備。其中，芯片封裝結構包括：基板；芯片，芯片設于基板上；封裝層，封裝層設于基板上且環(huán)繞芯片，封裝層上形成有至少一個第一倒角結構，第一倒角結構設于封裝層上相鄰的兩個側壁之間。本申請能夠降低芯片封...
								
            
							
            
							
						
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								      本申請?zhí)峁┝艘环N鋰離子電池及用電裝置。鋰離子電池包括正極極片、負極極片和電解液；其中，所述正極極片包括包括正極活性材料，所述正極活性材料的鋰離子固相擴散特征時間常數(shù)為Tp，所述負極極片包括負極活性材料，所述負極活性材料的鋰離子固相擴散特征時...
								
            
							
            
							
						
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								      本申請?zhí)峁┝艘环N正極極片，正極極片包括正極膜層，正極膜層包含添加劑，添加劑包括酸性物質、脫鋰物質中的一種或多種；和/或，正極膜層包括正極活性材料，正極活性材料包括尖晶石結構的含鋰錳復合氧化物，正極活性材料的結構通式包括：Li1+a...
								
            
							
            
							
						
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								      一種極片、電極組件、電池單體及其制備方法、電池、用電裝置，屬于電池技術領域。極片的至少端部表面設置有保護層，保護層包括氧化鋁或氧化硅，保護層的最小電阻R滿足：R≥25Ω。本申請的技術方案中的保護層較為致密，有利于提高電池單體的可靠性。
								
            
							
            
							
						
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								      一種極片、電極組件、電池單體及其制備方法、電池、用電裝置，屬于電池技術領域。極片的至少端部表面設置有保護層，保護層包括氧化硅；基于極片的第一位置的所有元素的總質量計，Si元素的質量含量A滿足：A<0.01wt％，第一位置為距離端部表面...
								
            
							
            
							
						
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								      一種極片、電極組件、電池單體及其制備方法、電池、用電裝置，屬于電池技術領域。極片的至少端部表面設置有保護層，保護層包括氧化硅，保護層的剪切強度G滿足：G≥110MPa。本申請的技術方案有利于提高電池單體的可靠性。
								
            
							
            
							
						
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								      一種負極片、電池單體、電池及用電裝置，屬于電池技術領域；通過使設于內層的第一負極活性材料層的體積容量密度大于設于外層的第二負極活性材料層的體積容量密度，也即內層的高容量材料的添加量高于外層，從而降低其應用作為電池時高容量材料和電解液接觸的概...
								
            
							
            
							
						
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								      本申請?zhí)峁┝艘环N正極極片、及其制備方法、二次電池和用電裝置。本申請的正極極片具有較高的壓實密度。
								
            
							
            
							
						
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								      本申請涉及一種復合正極材料及其制備方法、正極、電池和用電裝置，復合正極材料包括核體和包覆層，核體含有富鋰錳基正極材料；包覆層包覆于所述核體的至少部分表面，所述包覆層包括鈣鈦礦材料和快離子導體材料。
								
            
							
            
							
						
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								      本申請涉及一種正極活性層組合物、正極活性包覆顆粒、正極膜、固態(tài)電池、用電裝置和應用。該正極活性層組合物包括正極活性包覆顆粒和正極電解質顆粒；正極活性包覆顆粒包括正極活性本體以及包覆于正極活性本體至少一部分表面上的包覆層，包覆層包括第二包覆子...
								
            
							
            
							
						
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								      本申請?zhí)峁┝艘环N正極材料及其制備方法。所述正極材料包括尖晶石正極材料和碳包覆的磷酸鹽正極材料；其中，所述碳包覆的磷酸鹽正極材料的濁度值為1NTU至60NTU。本申請的正極材料的過渡金屬離子的溶出量低，兼具優(yōu)異的循環(huán)性能。
								
            
							
            
							
						
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