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          • 本發(fā)明提供一種用于X射線管的界面增強液態(tài)金屬軸承,包括定子中心軸、旋轉(zhuǎn)構(gòu)件、形成在定子中心軸和旋轉(zhuǎn)構(gòu)件之間的軸承間隙、以及填充在軸承間隙內(nèi)的液態(tài)金屬;將定子中心軸的表面和旋轉(zhuǎn)構(gòu)件的表面劃分為泄露敏感區(qū)、摩擦磨損區(qū)和潤濕潤滑區(qū),定子中心軸和/...
          • 本發(fā)明公開了一種質(zhì)譜儀的微量取樣器,屬于質(zhì)譜儀取樣器技術(shù)領(lǐng)域,包括取樣底座、取樣裝置、樣品瓶和稱量杯,所述樣品瓶放置在取樣底座上,所述稱量杯為多個,且稱量杯呈環(huán)形可轉(zhuǎn)動的設(shè)置在取樣底座外側(cè),所述取樣裝置可來回且可上下運動的設(shè)置在樣品瓶上方,...
          • 本發(fā)明提供了一種擺臂軌跡規(guī)劃方法及晶圓清洗機,所述方法包括預設(shè)擺臂擺動的起始位置、目標位置、終止位置以及與起始位置、目標位置、終止位置分別對應的起始速度、目標速度、終止速度,預設(shè)切換速度,切換速度小于目標速度,擺臂自所述起始位置至所述終止位...
          • 本發(fā)明公開了一種用于半導體材料鍵合的設(shè)備和半導體材料鍵合方法,屬于半導體材料加工設(shè)備技術(shù)領(lǐng)域。用于半導體材料鍵合的設(shè)備包括旋轉(zhuǎn)工作模塊、升降工作模塊和厚度檢測模塊,旋轉(zhuǎn)工作模塊的旋轉(zhuǎn)壓臺與旋轉(zhuǎn)驅(qū)動單元的輸出端傳動連接;升降工作模塊的升降壓臺...
          • 本發(fā)明公開了一種半導體石英管內(nèi)置式推片裝置,涉及推片技術(shù)領(lǐng)域,包括抗壓板,所述抗壓板的頂部靠近一側(cè)邊緣處設(shè)置用于對石英管進行高溫處理的檢測組件,所述檢測組件包括有石英管本體和推片本體。該一種半導體石英管內(nèi)置式推片裝置,當需要使用推片裝置將硅...
          • 本申請實施例提供一種半導體器件的制造方法及制造系統(tǒng)。半導體器件的制造系統(tǒng)包括控制器以及光捕獲操控裝置。控制器被配置為基于晶圓表面的缺陷分布圖及缺陷分布圖中缺陷的缺陷類型,確定晶圓的表面的目標缺陷及目標缺陷的位置。光捕獲操控裝置與控制器耦接,...
          • 本發(fā)明公開了一種具有檢測功能的晶圓運輸裝置,其特征在于,包括可移動的承載件;連接部,設(shè)于所述承載件;相對設(shè)置的夾持機構(gòu),所述夾持機構(gòu)可移動的設(shè)于所述連接部;相對設(shè)置的所述夾持機構(gòu)相互靠近,以夾持所述晶圓;相對設(shè)置的所述夾持機構(gòu)相互遠離,以松...
          • 本發(fā)明公開了一種晶圓翻轉(zhuǎn)裝置及晶圓翻轉(zhuǎn)設(shè)備,包括可移動的承載件:支撐部,設(shè)于所述承載件;相對設(shè)置的夾持機構(gòu),均可移動的設(shè)于所述支撐部,每個所述夾持機構(gòu)均包括多個夾持組件,所述夾持組件用于夾持晶圓,且多個所述夾持組件沿豎直方向間隔設(shè)置;相對設(shè)...
          • 本申請涉及半導體制造技術(shù)領(lǐng)域,具體公開了一種全自動飛秒激光聚焦離子束顯微加工系統(tǒng),包括:離子束設(shè)備、作業(yè)臺、操作組件與輔助作業(yè)組件。輔助作業(yè)組件包括:第一載具、第二載具、第一調(diào)節(jié)機構(gòu)和第二調(diào)節(jié)機構(gòu);第一載具用于放置第一樣品;第二載具用于放置...
          • 本申請公開了一種半導體結(jié)構(gòu)、制備方法及半導體器件,包括提供初始半導體結(jié)構(gòu);初始半導體結(jié)構(gòu)包括基底、嵌設(shè)于基底中的摻雜埋層、暴露于基底表面的淺溝槽隔離結(jié)構(gòu)、位于基底上的柵極、覆蓋于柵極和基底表面的阻擋層、層疊于阻擋層上的第一介質(zhì)層和位于第一介...
          • 本申請涉及半導體技術(shù)領(lǐng)域,特別涉及一種集成深溝槽隔離結(jié)構(gòu)的器件及其制備方法;制備方法可以包括:提供半導體結(jié)構(gòu),半導體結(jié)構(gòu)包括基底、層疊于基底表面的柵極材料層和層疊于柵極材料層的掩膜層,基底中形成有半導體器件的功能元件;于半導體結(jié)構(gòu)中形成深溝...
          • 本申請公開了一種半導體結(jié)構(gòu)、制備方法及半導體器件,包括提供初始半導體結(jié)構(gòu);初始半導體結(jié)構(gòu)包括器件層、位于器件層上的第一介質(zhì)層和位于第一介質(zhì)層上與頂層金屬層之間的至少一層第一布線層,至少一層第一布線層中頂端的第一布線層包括第一金屬層、覆蓋第一...
          • 本申請涉及半導體技術(shù)領(lǐng)域,特別涉及一種半導體器件結(jié)構(gòu)及其制備方法,包括:提供半導體結(jié)構(gòu),半導體結(jié)構(gòu)包括器件基底和位于器件基底上的金屬互連層,器件基底中具有半導體器件的功能元件;于半導體結(jié)構(gòu)中形成深溝槽,深溝槽貫穿金屬互連層后伸入器件基底;淀...
          • 本發(fā)明涉及一種鋰電池正極漿料、正極極片及制備方法和應用,屬于電池極片加工技術(shù)領(lǐng)域,所述正極漿料包括:正極活性物質(zhì)、導電劑、粘結(jié)劑和溶劑;所述溶劑包括酰胺類溶劑和二氯甲烷,所述正極活性物質(zhì)、導電劑、粘結(jié)劑的質(zhì)量比為(70?80):(10?15...
          • 本發(fā)明公開了一種極片及其制備工藝,涉及鋰電池制造技術(shù)領(lǐng)域。本發(fā)明將多個復合集流體極片疊放,各層復合集流體極片的A極耳向下翻折與下層A面連接,B極耳向上翻折與上層B面連接,最外層極耳直接引出,通過金屬鋁箔或銅箔作為總引出端引出電流,焊接方式包...
          • 本申請公開了一種電池單體、電池裝置和用電裝置,屬于電池技術(shù)領(lǐng)域,電池單體包括外殼、電極端子、電極組件和粘接件。電極端子設(shè)置于外殼。電極組件位于外殼內(nèi)且與電極端子電連接,電極組件包括正極極片、負極極片和設(shè)置在正極極片和負極極片之間的隔離件,電...
          • 本發(fā)明提供一種聚合物鋰電池正極片的制備方法,該工藝實現(xiàn)了電極材料?結(jié)構(gòu)?工藝的一體化優(yōu)化。功能性聚合物導電劑與Se?CeO2摻雜的協(xié)同作用,顯著增強了電極的導電性、結(jié)構(gòu)穩(wěn)固性和界面穩(wěn)定性,而精細化漿料混合與輥壓控制則保...
          • 本發(fā)明公開了一種基于溫度分布數(shù)據(jù)的燃料電池熱管理優(yōu)化方法及系統(tǒng),涉及燃料電池管理技術(shù)領(lǐng)域,通過分析每塊燃料電池的歷史運行記錄,構(gòu)建功率輸出和溫度變化曲線并對齊,形成歷史曲線對照組;分析對照組,識別溫度穩(wěn)定段,截取其前預設(shè)時間的功率輸出段,構(gòu)...
          • 本發(fā)明公開了一種液流電池的能量智能調(diào)度方法及系統(tǒng),涉及液流電池技術(shù)領(lǐng)域,方法包括:實時采集液流電池能量運行參數(shù),動態(tài)估算電解液狀態(tài)獲取多個能量狀態(tài)信息;再據(jù)此設(shè)定待調(diào)度目標,及逆行多目標優(yōu)化制定模糊控制策略;執(zhí)行模糊控制策略生成調(diào)控信號集并...
          • 本發(fā)明公開了一種燃料電池發(fā)電系統(tǒng)及其的控制方法,該系統(tǒng)通過在燃料電池電堆輸出與DCAC(直流?交流轉(zhuǎn)換器)之間母線上分支一路給DCDC(直流?直流轉(zhuǎn)換器)供電的架構(gòu)上,對電堆的電流以下方法進行控制,即在獲取并網(wǎng)/負載的實際功率值與目標功率值...
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