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          • 一種離子源,包括:等離子體生成容器,為具有供離子源氣體導(dǎo)入的內(nèi)部空間且呈長條狀的容器,在沿著其長邊方向的一個(gè)側(cè)壁形成有離子引出口;等離子體生成單元,使所述離子源氣體電離而在所述內(nèi)部空間生成等離子體;以及引出電極系統(tǒng),設(shè)置在等離子體生成容器的...
          • 本發(fā)明公開了錐螺紋工件裝配方法、系統(tǒng)、工控機(jī)、設(shè)備及介質(zhì)。通過獲取機(jī)器視覺采集裝置拍攝的外螺紋工件的第一圖像和內(nèi)螺紋工件的第二圖像;基于所述第一圖像確定所述外螺紋工件的位姿和尺寸數(shù)據(jù),控制工件夾持裝置基于所述位姿和尺寸數(shù)據(jù)夾取所述外螺紋工件...
          • 本發(fā)明公開一種管材切割系統(tǒng)和管材切割方法。所述管材切割系統(tǒng)包括:輸送裝置,用于輸送管材;切割裝置,用于將輸送的管材切割成段,以獲得管材產(chǎn)品;和貼標(biāo)裝置,用于將包含所述管材產(chǎn)品的相關(guān)信息的產(chǎn)品標(biāo)簽貼附到所述管材產(chǎn)品上,以能夠識(shí)別切割下來的管材...
          • 本申請(qǐng)公開了一種混合動(dòng)力車輛熱管理系統(tǒng)及其控制方法和車輛,所述混合動(dòng)力車輛熱管理系統(tǒng)包括發(fā)動(dòng)機(jī)回路、暖風(fēng)制熱回路和電池回路,通過將發(fā)動(dòng)機(jī)回路與暖風(fēng)制熱回路耦合,滿足混合動(dòng)力車輛多種工作模式下的座艙采暖需求和動(dòng)力電池加熱需求,通過在發(fā)動(dòng)機(jī)回路...
          • 本申請(qǐng)公開了一種哨兵模式監(jiān)控方法及裝置,該方法包括:響應(yīng)于啟動(dòng)哨兵模式的命令,控制器從雷達(dá)和定位裝置獲取監(jiān)測(cè)數(shù)據(jù)并對(duì)監(jiān)測(cè)數(shù)據(jù)執(zhí)行檢測(cè),當(dāng)檢測(cè)到告警事件時(shí),控制器對(duì)預(yù)存的圖像數(shù)據(jù)執(zhí)行人工智能處理,獲得處理結(jié)果并基于處理結(jié)果提示告警事件。預(yù)存的...
          • 本發(fā)明公開了一種高粘接強(qiáng)度的聚氨酯硬泡及其制備方法與應(yīng)用。聚氨酯硬泡按照重量份計(jì),包括以下原料:聚合物多元醇組合料,100份,發(fā)泡劑,8?15份,多異氰酸酯,150?200份;其中,聚合物多元醇組合料的配制原料包括:聚醚多元醇,所述聚醚多元...
          • 本申請(qǐng)實(shí)施例提供了一種液晶組合物及其應(yīng)用。該液晶組合物包括添加劑和特定結(jié)構(gòu)的三類化合物,該液晶組合物的雙折射率較高,清亮點(diǎn)合適,低溫下不易結(jié)晶,耐高溫穩(wěn)定性及抗紫外穩(wěn)定性較好,利于其在液晶器件中應(yīng)用。
          • 一種膠面缺陷檢測(cè)方法和相關(guān)設(shè)備。其中,該方法包括:利用三維3D線激光傳感器,獲取中框填縫膠面對(duì)應(yīng)的第一膠面外觀亮度圖與中框填縫膠面對(duì)應(yīng)的第一點(diǎn)云數(shù)據(jù);基于第一膠面外觀亮度圖和第一點(diǎn)云數(shù)據(jù),確定中框填縫膠面對(duì)應(yīng)的融合特征,融合特征中包括第一膠...
          • 本申請(qǐng)?zhí)峁┮环N距離檢測(cè)方法、測(cè)距系統(tǒng)、電子設(shè)備及可讀存儲(chǔ)介質(zhì)。電子設(shè)備上具有包括時(shí)間計(jì)數(shù)電路的測(cè)距系統(tǒng)。在測(cè)距時(shí),會(huì)基于確定出直方圖包括的時(shí)間區(qū)間數(shù)量來對(duì)時(shí)間計(jì)數(shù)電路的多個(gè)時(shí)間位寬進(jìn)行組合以得到多種組合模式,各組合模式下一個(gè)時(shí)間區(qū)間與至少一...
          • 本公開涉及一種光學(xué)臨近修正方法及其系統(tǒng)、計(jì)算機(jī)設(shè)備和存儲(chǔ)介質(zhì)。該光學(xué)臨近修正方法,包括:獲取光罩的套刻誤差;將光罩分割為多個(gè)區(qū)塊,基于光罩的套刻誤差分別獲取各區(qū)塊的套刻誤差;獲取用于光罩的設(shè)計(jì)版圖,根據(jù)各套刻誤差補(bǔ)償設(shè)計(jì)版圖,得到設(shè)計(jì)補(bǔ)償版...
          • 本說明書實(shí)施例提供任務(wù)處理方法以及自動(dòng)運(yùn)維方法,其中所述任務(wù)處理方法包括:獲取目標(biāo)任務(wù)的任務(wù)描述信息,其中,任務(wù)描述信息用于描述目標(biāo)任務(wù)的任務(wù)處理訴求;在目標(biāo)任務(wù)為異常排查型任務(wù)的情況下,確定任務(wù)描述信息對(duì)應(yīng)的診斷工具;調(diào)用診斷工具,對(duì)任務(wù)...
          • 本申請(qǐng)實(shí)施例公開了一種小程序的調(diào)試方法、裝置、存儲(chǔ)介質(zhì)及設(shè)備,可應(yīng)用于云技術(shù)、人工智能、智慧交通、輔助駕駛等各種場景。通過針對(duì)終端上運(yùn)行的調(diào)試器,生成與調(diào)試器對(duì)應(yīng)的預(yù)設(shè)模擬器,并建立調(diào)試器和預(yù)設(shè)模擬器之間的關(guān)聯(lián)關(guān)系;接收調(diào)試器發(fā)送的配置參數(shù)...
          • 本申請(qǐng)實(shí)施例涉及計(jì)算機(jī)技術(shù)領(lǐng)域,尤其涉及一種內(nèi)存地址管理方法和電路。該方法可以減少HBM作為Cache使用時(shí),在直接映射方式下可能產(chǎn)生的互相踢出的現(xiàn)象,尤其是減少cacheline中熱點(diǎn)數(shù)據(jù)被踢出的現(xiàn)象。該方法包括:確定第一內(nèi)存地址滿足至少...
          • 本發(fā)明提供了一種縫洞型油藏井間三維連通路徑多目標(biāo)搜索方法及系統(tǒng),該方法先基于地震多屬性數(shù)據(jù)建立縫洞型油藏的三維空間模型,將碳酸鹽巖油藏映射到三維空間并進(jìn)行柵格劃分;進(jìn)而依據(jù)搜索空間各個(gè)井對(duì)的相干振幅數(shù)據(jù)、井分布情況,以連通長度與體積作為優(yōu)化...
          • 本發(fā)明涉及量子芯片版圖設(shè)計(jì)技術(shù)領(lǐng)域,具體涉及一種量子芯片版圖中圖形的重疊檢測(cè)方法、裝置及電子設(shè)備,包括:按照預(yù)設(shè)步長在量子芯片版圖的兩個(gè)目標(biāo)圖形的每條邊線上選取檢測(cè)點(diǎn)以確定兩條目標(biāo)邊線;在預(yù)設(shè)方向上距離所述目標(biāo)邊線的預(yù)設(shè)距離處,以所述預(yù)設(shè)步...
          • 本申請(qǐng)?zhí)峁┮环N富文本選區(qū)繪制方法、存儲(chǔ)介質(zhì)以及電子設(shè)備,方法包括:在canvas上接收文本輸入數(shù)據(jù),將所述文本輸入數(shù)據(jù)繪制成富文本;響應(yīng)于對(duì)富文本的文本選擇操作,確定錨點(diǎn)元素和目標(biāo)元素;根據(jù)富文本的文本結(jié)構(gòu)樹、錨點(diǎn)元素和目標(biāo)元素,確定選區(qū)開...
          • 本申請(qǐng)?zhí)峁┪⒈砬轱@示方法、裝置、設(shè)備和存儲(chǔ)介質(zhì),方法應(yīng)用于目標(biāo)終端設(shè)備,所述目標(biāo)終端設(shè)備具有微表情視窗,所述微表情視窗中設(shè)置有多顆LED燈珠,所述多顆LED燈珠中的不同LED燈珠點(diǎn)亮可使所述微表情視窗呈現(xiàn)不同的微表情;方法包括:通過所述人體...
          • 本發(fā)明涉及半導(dǎo)體制造技術(shù)領(lǐng)域,提供了一種半導(dǎo)體結(jié)構(gòu)的制備方法、半導(dǎo)體結(jié)構(gòu)及半導(dǎo)體器件。通過先提供一中間半導(dǎo)體結(jié)構(gòu);所述中間半導(dǎo)體結(jié)構(gòu)包括由下至上依次設(shè)置的襯底、介質(zhì)層、第二掩膜材料層和第一掩膜材料層;所述第二掩膜材料層的材料包括無定形硅;對(duì)...
          • 一種形成觸點(diǎn)的方法包含在半導(dǎo)體裝置上形成介電層,其中半導(dǎo)體裝置包含柵極結(jié)構(gòu)、源極區(qū)、體接觸區(qū)與漏極電極,在介電層中形成開口,以暴露源極區(qū)與體接觸區(qū),在開口的底部形成阻障層,執(zhí)行第一沉積工藝,以在開口中形成第一觸點(diǎn)層,以及執(zhí)行第二沉積工藝,以...
          • 本發(fā)明公開了一種半導(dǎo)體結(jié)構(gòu)的形成方法,包括:提供襯底;在襯底上形成掩膜層;掩膜層包括第一掩膜層以及第二掩膜層,第一掩膜層位于掩膜層的邊緣區(qū)域,第二掩膜層位于掩膜層的非邊緣區(qū)域;采用刻蝕工藝去除襯底上的第二掩膜層,暴露出襯底的目標(biāo)區(qū)域,使得襯...
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