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          • 本申請實施例提供一種游戲應(yīng)用的性能測試方法、裝置、設(shè)備、介質(zhì)和程序,可應(yīng)用于游戲,該方法包括:游戲終端根據(jù)測試設(shè)備發(fā)送的移動指令,控制游戲應(yīng)用的視野瞬移到移動指令對應(yīng)的目標位置,根據(jù)測試設(shè)備發(fā)送的第一測試指令控制當前關(guān)卡內(nèi)各類型的虛擬對象整...
          • 本申請公開了一種文本處理方法、電子設(shè)備、計算機可讀存儲介質(zhì)和計算機程序產(chǎn)品,涉及大模型技術(shù)中的數(shù)據(jù)處理領(lǐng)域。其中,該方法包括:獲取待處理文本;利用客戶端上存儲的文本處理模型的第一模型參數(shù),對待處理文本中的第一文本進行預(yù)填充處理,得到第一文本...
          • 本發(fā)明提供一種柵極側(cè)墻制作方法及半導(dǎo)體器件,在NMOS區(qū)域上的第一柵極結(jié)構(gòu)和在PMOS區(qū)域的第二柵極結(jié)構(gòu)的側(cè)壁形成柵極側(cè)墻時,先形成均包括第一膜層、第二膜層和第三膜層的側(cè)墻,其中,第二膜層的K值小于第一膜層和第三膜層的K值,而后去除所述第二...
          • 一種用層間電偶極子調(diào)控金屬?半導(dǎo)體接觸的方法,包括以下步驟:提供一二維范德華超晶格金屬材料和二維半導(dǎo)體;測試二維范德華超晶格金屬材料表面偶極子方向;根據(jù)需要通過機械剝離切換二維范德華超晶格金屬材料的終止面;將需要的二維范德華超晶格金屬材料與...
          • 一種具有高低壓元件及電容的半導(dǎo)體集成結(jié)構(gòu)的制造方法,包括:形成底部熱氧化層于基板上;形成化學(xué)氣相沉積氧化層完全覆蓋底部熱氧化層;形成多晶硅硬屏蔽層完全覆蓋化學(xué)氣相沉積氧化層;蝕刻多晶硅硬屏蔽層,而同時形成高壓多晶硅硬屏蔽于高壓元件區(qū)與第一電...
          • 本申請?zhí)峁┝酥苽涔こ袒头枪こ袒疺δ1T細胞的方法及其用途。Vδ1T細胞可用于治療各種癌癥、傳染病和免疫障礙。本申請還提供了用于將工程化和非工程化Vδ1T細胞群擴增至治療有用量的方法。工程化Vδ1T細胞可以是通用供體,并且可以施用于具有任何...
          • 雷達裝置具備:等間隔地配置的多個發(fā)送天線和等間隔地配置的多個接收天線;Ns個發(fā)送電路;Nr個接收電路;以及控制部。Ns和Nr分別為2以上的整數(shù)。多個發(fā)送天線和多個接收天線被配置為:在虛擬天線的群組之間虛擬位置重疊且發(fā)送電路和接收電路的組合不...
          • 根據(jù)本公開的實施例的電池模塊可以包括:殼體,該殼體形成外觀;電池單體,該電池單體容納在殼體的內(nèi)部;電路單元,該電路單元位于殼體的內(nèi)表面與電池單體之間,并且與電池單體連接以發(fā)送和接收電信號;溫度測量單元,該溫度測量單元位于電路單元的面對電池單...
          • 本發(fā)明公開了一種機器人多用焊接頭及其使用方法,包括安裝在所述機械臂上的視覺識別部以及轉(zhuǎn)換部,所述轉(zhuǎn)換部上安裝有弧焊部和點焊部,所述轉(zhuǎn)換部用于切換兩組焊接工作狀態(tài)。本發(fā)明能夠根據(jù)焊接需要快速切換焊接槍,避免切換焊接槍的繁瑣,提高生產(chǎn)效率;同時...
          • 本公開提供了一種處理器驗證方法、裝置、設(shè)備、存儲介質(zhì)以及程序產(chǎn)品,涉及計算機技術(shù)領(lǐng)域,尤其涉及處理器技術(shù)、處理器驗證、芯片技術(shù)領(lǐng)域。具體實現(xiàn)方案為:響應(yīng)于針對處理器的驗證請求,生成驗證文件,驗證文件包括中斷函數(shù)、目標數(shù)據(jù)和功能指令;在中斷函...
          • 本申請公開了一種技能施放漏洞的呈現(xiàn)方法及相關(guān)設(shè)備,可以展示技能可視化界面;響應(yīng)于對技能施放歷史文件的讀取操作,對記錄的技能施放歷史文件進行解析,得到技能施放關(guān)鍵點的時序信息和參數(shù)信息;基于時序信息在技能關(guān)鍵點展示區(qū)域展示對應(yīng)技能施放關(guān)鍵點的...
          • 本公開實施例涉及一種應(yīng)用程序的繪制檢測方法、裝置、設(shè)備及介質(zhì),其中該方法包括:獲取目標應(yīng)用程序從測試頁面切換到參考頁面之后的目標繪制數(shù)據(jù),其中,目標繪制數(shù)據(jù)包括視圖繪制數(shù)據(jù)和繪制調(diào)用棧數(shù)據(jù);基于視圖繪制數(shù)據(jù)和繪制調(diào)用棧數(shù)據(jù)確定測試頁面的繪制...
          • 公開一種信息處理裝置、信息處理方法和計算機可讀存儲介質(zhì)。信息處理裝置可以包括確定單元,被配置成在從輸入數(shù)據(jù)提取的第一關(guān)鍵詞不包括在預(yù)定數(shù)據(jù)集中的與所述第一關(guān)鍵詞對應(yīng)的第一子集中的情況下,確定需要針對所述輸入數(shù)據(jù)的輔助信息;以及輔助信息獲取單...
          • 本申請公開了一種基于分類模型的分類任務(wù)執(zhí)行方法、裝置及設(shè)備,涉及人工智能技術(shù)領(lǐng)域。該方法包括:獲取與第一分類任務(wù)相關(guān)的第一文本;將第一文本與無語義字符進行結(jié)合,得到第一輸入信息;通過分類模型,根據(jù)第一輸入信息,得到多個子網(wǎng)絡(luò)分別對應(yīng)的輸出信...
          • 本發(fā)明公開了一種結(jié)合圖神經(jīng)網(wǎng)絡(luò)和提示調(diào)優(yōu)的低資源文本分類方法,可以以雙管齊下的方式解決低資源文本分類問題,該方法包含以下步驟:導(dǎo)入數(shù)據(jù)集,其中包括低資源文本數(shù)據(jù)和圖;多模態(tài)特征提取,使用雙編碼器架構(gòu),通過一個transformer文本編碼器...
          • 本申請實施例公開一種文本分類方法、裝置、計算機設(shè)備及存儲介質(zhì)。包括:通過獲取初始文本,通過預(yù)設(shè)的知識圖譜中的實體以及實體關(guān)系對初始文本進行文本匹配,得到目標文本;基于目標文本進行提示文本編寫,得到目標文本對應(yīng)的提示文本;將目標文本和提示文本...
          • 本發(fā)明公開了一種面向司法領(lǐng)域的多跳問答方法,根據(jù)法律文本構(gòu)建出多粒度圖,使用圖注意Transformer模型對多粒度圖進行建模,同時兼顧多粒度圖中的圖結(jié)構(gòu)信息和遠節(jié)點的信息,并將圖信息融入文本信息中,對文本信息進行增強,提高模型的推理能力,...
          • 一種修復(fù)晶圓的方法包含研磨晶圓,以在晶圓的表面形成損傷層,執(zhí)行第一退火工藝,以將損傷層的下部轉(zhuǎn)換成再生長層,且再生長層在晶圓上,在損傷層上形成金屬層,以及執(zhí)行第二退火工藝,以將損傷層與金屬層轉(zhuǎn)換成合金層,且合金層在再生長層上。此方法可消除由...
          • 本申請?zhí)峁┮环N半導(dǎo)體裝置及其形成方法。半導(dǎo)體裝置包括具有第一導(dǎo)電類型的襯底、形成于襯底上且具有第一導(dǎo)電類型的一外延層、具有第二導(dǎo)電類型的多個摻雜部、溝槽結(jié)構(gòu)、具有第二導(dǎo)電類型的阱區(qū)以及形成于外延層上且對應(yīng)阱區(qū)的一柵極結(jié)構(gòu)。外延層包括形成于襯...
          • 本發(fā)明公開了一種具有半共形結(jié)構(gòu)的二維材料/硅異質(zhì)結(jié)光電探測器及其制備方法,所述的異質(zhì)結(jié)光電器件包括金字塔硅、二氧化硅層、鉻/金電極、單層二維材料、原位生長的二維材料。所述制備方法具體步驟為:采用光刻和等離子刻蝕技術(shù)在硅/二氧化硅片上刻蝕出硅...
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