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            拖動(dòng)滑塊完成拼圖
        
          
        
          
    
          
    
          
        
          
        
          
    
          

          














          
    
    
          
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                  		最新專利技術(shù)
                  	
                  
          
                
          
                
          
                    
            
					
						
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								      一種通過(guò)原子層沉積(ALD)或ALD樣工藝沉積含硅和氮的介電膜的方法。該方法包括以下步驟：a)將至少一個(gè)襯底提供到反應(yīng)器中和將反應(yīng)器加熱至約25℃至約600℃范圍的至少一個(gè)溫度，并任選地將反應(yīng)器保持在約100托或更低的壓力下；b)將形成含硅...
								
            
							
            
							
						
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								      本發(fā)明提出通過(guò)使用適當(dāng)?shù)姆磻?yīng)性的焦炭而能夠降低還原材料比的高爐的操作方法。一種高爐的操作方法，其是從高爐的爐頂將鐵系原料和焦炭以層狀裝入、并從高爐的風(fēng)口向所述高爐的內(nèi)部吹入含氧氣體和包含烴類氣體的還原材料的高爐的操作方法，其中，在所述含氧氣...
								
            
							
            
							
						
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								      一種用于基板處理的方法，包括：使一種或多種工藝反應(yīng)性氣體流入處理腔室的上容積中；使清潔氣體流入該處理腔室的下容積中；測(cè)量該處理腔室的該下容積的內(nèi)表面的溫度；以及基于測(cè)量的溫度來(lái)調(diào)整該處理腔室的該下容積的該內(nèi)表面的溫度。
								
            
							
            
							
						
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								      能夠提供一種自動(dòng)地給送膜的膜傳送機(jī)。從上游側(cè)向下游側(cè)給送膜(83)的膜傳送機(jī)包括給送機(jī)構(gòu)(70)，該給送機(jī)構(gòu)包括：第一上輥(UR71)和第一下輥(LR71)，設(shè)于膜傳送路徑的上游；第一向上/向下驅(qū)動(dòng)源，使第一上輥和第一下輥相對(duì)地移動(dòng)以使得它...
								
            
							
            
							
						
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								      本發(fā)明涉及一種用于輸送制冷劑的管材，所述管材包括制冷劑阻隔層和隔水層，其中所述隔水層包圍所述制冷劑阻隔層，其中所述制冷劑阻隔層包含塑料、特別是熱塑性的塑料。所述隔水層具有至少45或60或75或90重量％的聚烯烴含量。
								
            
							
            
							
						
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								      用于實(shí)現(xiàn)生物和/或化學(xué)材料的安全處理的設(shè)備，該設(shè)備包括：外殼，該外殼封閉工作空間，其中，外殼包括用于進(jìn)入工作空間的開口；框格，該框格安裝到外殼，該框格構(gòu)造成在關(guān)閉位置和打開位置之間移動(dòng)，在關(guān)閉位置中，框格覆蓋工作空間的開口，在打開位置中，框...
								
            
							
            
							
						
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								      本發(fā)明提供一種固定組件，其包括：長(zhǎng)形柔性構(gòu)件，該長(zhǎng)形柔性構(gòu)件在自由端部與止擋端部之間延伸；夾頭，該夾頭具有本體，該本體包括夾緊表面、相對(duì)的固定表面、夾緊表面和固定表面沿著其交會(huì)的邊緣以及孔口，柔性構(gòu)件兩次穿過(guò)該孔口，以在本體的相對(duì)側(cè)上分別提...
								
            
							
            
							
						
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								      本公開提供了復(fù)合物及使用方法。在一些實(shí)施方案中，本文所述的復(fù)合物是包含陽(yáng)離子聚合物、陰離子聚合物和單體RNA分子的復(fù)合物，其中所述陽(yáng)離子聚合物和所述單體RNA分子形成被所述陰離子聚合物包封的核心復(fù)合物。在一些實(shí)施方案中，復(fù)合物包含線性陽(yáng)離子...
								
            
							
            
							
						
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								      描述了一種漿包壓機(jī)(1、101)、漿包加壓方法以及漿包生產(chǎn)線或系統(tǒng)。該漿包壓機(jī)(1、101)用于壓縮漿包(12、14)并且包括：底座(2、102)；與底座(2、102)相對(duì)定位并連接到底座(2、102)的頂部(4、104)；以及配置為在底座...
								
            
							
            
							
						
            • 
					
						
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								      一種軟件，其可存儲(chǔ)在電子處理資源(10)中并由電子處理資源(10)執(zhí)行，并且被設(shè)計(jì)成在被執(zhí)行時(shí)使電子處理資源(10)配置為實(shí)時(shí)檢測(cè)和/或預(yù)測(cè)對(duì)象在清醒(W)階段、困倦(D)階段和睡眠(S)階段之中的一個(gè)或多個(gè)行為狀態(tài)和/或轉(zhuǎn)變。所述軟件被設(shè)...
								
            
							
            
							
						
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								      控制器包括處理器和存儲(chǔ)指令的存儲(chǔ)器，該指令配置為使得處理器：接收測(cè)試氣溶膠化系統(tǒng)的排放測(cè)試數(shù)據(jù)，該排放測(cè)試數(shù)據(jù)對(duì)應(yīng)于所述測(cè)試氣溶膠化系統(tǒng)的測(cè)試氣溶膠化器的測(cè)試氣溶膠化器功率或測(cè)試氣溶膠化器功率范圍以及測(cè)試濃度或測(cè)試濃度范圍，接收對(duì)應(yīng)于操作持...
								
            
							
            
							
						
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								      晶片上的半導(dǎo)體器件單片陣列包括占據(jù)晶片上的第一器件區(qū)域的第一半導(dǎo)體器件，所述第一器件區(qū)域位于所述晶片中的第一多孔區(qū)上方。第一多孔區(qū)具有第一結(jié)構(gòu)、第一孔隙率和第一尺寸。第二半導(dǎo)體器件占據(jù)晶片上的第二器件區(qū)域。第一半導(dǎo)體器件和第二半導(dǎo)體器件具有...
								
            
							
            
							
						
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								      描述消息處理設(shè)施。所述設(shè)施接收用戶輸入，所述用戶輸入定義希望給收件人服務(wù)主體的文本消息。在發(fā)送所述所定義的文本消息之前，所述設(shè)施分析所述所定義的文本消息以確定多個(gè)文本消息類別當(dāng)中所述所定義的文本消息所屬的文本消息類別。
								
            
							
            
							
						
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								      提供了一種包括存儲(chǔ)區(qū)和非存儲(chǔ)區(qū)的單一集成電路。存儲(chǔ)區(qū)包括第一導(dǎo)電結(jié)構(gòu)、設(shè)于第一導(dǎo)電結(jié)構(gòu)上的存儲(chǔ)元件以及設(shè)于存儲(chǔ)元件上的第一通孔。非存儲(chǔ)區(qū)包括第二導(dǎo)電結(jié)構(gòu)以及設(shè)于第二導(dǎo)電結(jié)構(gòu)上的第二通孔。第一導(dǎo)電結(jié)構(gòu)和第二導(dǎo)電結(jié)構(gòu)通過(guò)包括第一光掩模的第一光刻...
								
            
							
            
							
						
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								      描述了一種服裝再造系統(tǒng)，該服裝再造系統(tǒng)包括：數(shù)據(jù)庫(kù)，數(shù)據(jù)庫(kù)包含用于改造衣物的基本原理和規(guī)則；用于輸入一系列用戶參數(shù)的裝置，其中，用戶可以從數(shù)據(jù)庫(kù)中的列表中選擇服裝；用于與本發(fā)明的一組規(guī)則相結(jié)合來(lái)選擇數(shù)據(jù)庫(kù)中的改造，使得用戶可選擇將要制造哪個(gè)...
								
            
							
            
							
						
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								      本公開涉及一類新穎的可用于蛋白質(zhì)的靶向或選擇性降解的雙官能分子。
								
            
							
            
							
						
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								      X射線生成裝置包括：X射線生成管、包括電子發(fā)射部分的陰極、以及包括靶的陽(yáng)極；被配置為驅(qū)動(dòng)X射線生成管的驅(qū)動(dòng)電路，以及被配置為容納X射線生成管和驅(qū)動(dòng)電路的容納容器。容納容器限定存儲(chǔ)驅(qū)動(dòng)電路的第一空間、以及從第一空間突出并且存儲(chǔ)X射線生成管的至...
								
            
							
            
							
						
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								      X射線生成裝置包括：X射線生成管，所述X射線生成管包括絕緣管、陰極、以及陽(yáng)極，所述絕緣管具有第一開口端和第二開口端，所述陰極被布置為封閉所述絕緣管的所述第一開口端并且包括電子發(fā)射部分，所述陽(yáng)極被布置為封閉所述第二開口端并且包括靶，所述靶在來(lái)...
								
            
							
            
							
						
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								      用于能食用的基質(zhì)的食品級(jí)標(biāo)記物可包括包含單片集成電路的光觸發(fā)式微應(yīng)答器。所述單片集成電路可被封閉在鈍化層內(nèi)，所述鈍化層形成與所述能食用的基質(zhì)的阻擋物。所述單片集成電路可具有2mm長(zhǎng)、2mm寬和0.2mm厚的最大尺寸。
								
            
							
            
							
						
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								      無(wú)軸的垂直軸風(fēng)力渦輪機(jī)，包括輪轂(3)和多個(gè)C形葉片(20)，其中每個(gè)葉片(20)包括：布置在葉片的下徑向部分(21)的內(nèi)框架(120)處的下徑向翼型(221)、布置在葉片的垂直部分(23)的內(nèi)框架(120)處的垂直翼型(223)和布置在葉...
								
            
							
            
							
						
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