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								      本發(fā)明涉及半導(dǎo)體制造技術(shù)領(lǐng)域，特別涉及一種發(fā)光二極管及發(fā)光裝置，其包括半導(dǎo)體疊層，半導(dǎo)體疊層包括依次層疊的第一半導(dǎo)體層、發(fā)光層和第二半導(dǎo)體層，第二半導(dǎo)體層包括在發(fā)光層上依次層疊的間隔層、覆蓋層和窗口層，覆蓋層覆蓋部分的間隔層，第二半導(dǎo)體層具...
								
            
							
            
							
						
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								      本發(fā)明公開了一種TOPCon太陽能電池及其制備方法和應(yīng)用，屬于太陽能電池技術(shù)領(lǐng)域。本發(fā)明提供的TOPCon太陽能電池的制備方法包括以下步驟：S1.采用第一ALD法在預(yù)處理硅片的正面設(shè)置Al2O3薄...
								
            
							
            
							
						
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								      本發(fā)明涉及半導(dǎo)體器件技術(shù)領(lǐng)域，為解決現(xiàn)有技術(shù)抗單粒子燒毀能力低的問題，提出一種具有輻照電荷抽取層的P?GaN柵HEMT抗輻照器件及其制備方法。本發(fā)明的器件從下至上包括：襯底、緩沖層、輻照電荷抽取層、溝道層、勢(shì)壘層、P?GaN層；勢(shì)壘層上表面...
								
            
							
            
							
						
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								      本發(fā)明涉及半導(dǎo)體器件技術(shù)領(lǐng)域，為解決現(xiàn)有器件抗空間輻照能力低的問題，具體提出一種具有復(fù)合源結(jié)構(gòu)的P?GaN柵HEMT抗輻照器件及其制備方法。本發(fā)明的結(jié)構(gòu)從下至上包括：襯底、緩沖層、溝道層和勢(shì)壘層，勢(shì)壘層上方的中間位置處設(shè)置有p?GaN層，在...
								
            
							
            
							
						
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								      本發(fā)明涉及納米材料領(lǐng)域，具體涉及一種2D?TMDs橫向異質(zhì)結(jié)陣列及其Zigzag M/X結(jié)尾誘導(dǎo)制備方法和應(yīng)用，其中的制備方法為：獲得A材料的單晶納米片，所述的A材料為MX2，所述的M為W或Mo；所述的X為S或Se；對(duì)...
								
            
							
            
							
						
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								      本發(fā)明公開了一種印制電路板及其制備方法，其中，印制電路板的制備方法包括：獲取到基礎(chǔ)電路板以及被安裝對(duì)象；在被安裝對(duì)象的焊盤上設(shè)置焊料，以及基于焊盤的位置在基礎(chǔ)電路板上對(duì)應(yīng)制備多個(gè)導(dǎo)電凸臺(tái)；將被安裝對(duì)象的焊料與對(duì)應(yīng)的導(dǎo)電凸臺(tái)進(jìn)行對(duì)應(yīng)貼合設(shè)置，...
								
            
							
            
							
						
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								      一種基于多元數(shù)據(jù)融合的高動(dòng)態(tài)流量和邊緣用戶數(shù)預(yù)測(cè)方法，包括獲取歷史RRH流量和邊緣用戶數(shù)的時(shí)間序列數(shù)據(jù)；將歷史RRH流量和邊緣用戶數(shù)的序列數(shù)據(jù)轉(zhuǎn)換為嵌入矩陣特征；基于嵌入矩陣特征預(yù)測(cè)未來的RRH流量和邊緣用戶數(shù)。本發(fā)明通過流量和人數(shù)歷史序列...
								
            
							
            
							
						
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								      本發(fā)明涉及音頻算法技術(shù)領(lǐng)域，揭示了一種根據(jù)語音環(huán)境實(shí)現(xiàn)定向透傳的方法、裝置及語音交互設(shè)備，通過麥克風(fēng)陣列定向識(shí)別使用者周圍設(shè)定距離內(nèi)的人聲；獲取使用者狀態(tài)信息，包括頭部動(dòng)作和語音反饋；根據(jù)人聲和狀態(tài)信息判斷使用者是否進(jìn)行語音交流；當(dāng)判斷使用...
								
            
							
            
							
						
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								      本發(fā)明公開了一種集成MEMS傳感器的耳機(jī)空間音頻定位方法及控制系統(tǒng)，涉及耳機(jī)空間音頻定位領(lǐng)域；用溫度補(bǔ)償MEMS傳感器組和麥克風(fēng)陣列采集運(yùn)動(dòng)數(shù)據(jù)與聲波信號(hào)，經(jīng)正交小波去噪和波束形成增強(qiáng)信號(hào)；采用雙擴(kuò)展卡爾曼濾波融合數(shù)據(jù)解算姿態(tài)，引入模糊邏輯...
								
            
							
            
							
						
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								      本發(fā)明涉及音樂教學(xué)器械技術(shù)領(lǐng)域，尤其涉及一種便于調(diào)節(jié)的話筒架及其使用方法，話筒架，包括支撐基座、導(dǎo)向套筒、定位座、調(diào)節(jié)桿、裝配組件、支撐組件和防塵組件，所述支撐基座的頂部端面中央插接安裝有導(dǎo)向套筒，所述導(dǎo)向套筒的頂部端面中央外側(cè)固定安裝有定...
								
            
							
            
							
						
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								      本發(fā)明公開的一種高速單斜率ADC及其控制方法與CMOS圖像傳感器，其中高速單斜率ADC包括：斜坡發(fā)生器、采樣保持電路、預(yù)比較器、動(dòng)態(tài)比較器、控制邏輯寄存器和可加減計(jì)數(shù)器，其中，所述斜坡發(fā)生器用于生成參考電壓V_RAMP并進(jìn)行斜率校準(zhǔn)；所述采...
								
            
							
            
							
						
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								      本申請(qǐng)實(shí)施例提供了一種基于VRB多協(xié)議改進(jìn)型互通融合方法、裝置、設(shè)備及存儲(chǔ)介質(zhì)，方法包括：接收第一RDMA設(shè)備發(fā)送的第一數(shù)據(jù)包，第一數(shù)據(jù)包包括RDMA協(xié)議的第一數(shù)據(jù)報(bào)頭信息和第一數(shù)據(jù)內(nèi)容，第一數(shù)據(jù)報(bào)頭信息包括第二視聯(lián)網(wǎng)設(shè)備的IP地址；獲取用...
								
            
							
            
							
						
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								      本發(fā)明實(shí)施例提供了一種跨網(wǎng)絡(luò)通信方法和系統(tǒng)，其中，所述方法包括：接收源通信數(shù)據(jù)；采用位圖方案管理IPV4網(wǎng)絡(luò)的地址池；根據(jù)映射關(guān)系列表將源通信數(shù)據(jù)適配為目標(biāo)網(wǎng)絡(luò)可傳輸?shù)哪繕?biāo)通信數(shù)據(jù)并傳輸至目標(biāo)網(wǎng)絡(luò)；位圖方案通過比特位標(biāo)記IPV4地址的分配狀...
								
            
							
            
							
						
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								      本發(fā)明公開了一種通信時(shí)延優(yōu)化方法、裝置、設(shè)備及存儲(chǔ)介質(zhì)，該方法包括：利用發(fā)送端的時(shí)延測(cè)試服務(wù)周期性地通過各鏈路向接收端的時(shí)延測(cè)試服務(wù)發(fā)送時(shí)延測(cè)試包；在接收端的時(shí)延測(cè)試服務(wù)接收到時(shí)延測(cè)試包時(shí)，獲取當(dāng)前幀發(fā)送時(shí)延，基于當(dāng)前幀發(fā)送時(shí)延和發(fā)送時(shí)延平...
								
            
							
            
							
						
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								      本發(fā)明提供了一種基于安全協(xié)議調(diào)度的網(wǎng)絡(luò)故障流量優(yōu)化方法和系統(tǒng)，屬于網(wǎng)絡(luò)通信技術(shù)領(lǐng)域，包括：通過在多個(gè)地理位置設(shè)置撥測(cè)點(diǎn)，對(duì)目標(biāo)區(qū)域的網(wǎng)絡(luò)進(jìn)行實(shí)時(shí)監(jiān)測(cè)；在監(jiān)測(cè)到目標(biāo)區(qū)域的網(wǎng)絡(luò)發(fā)生故障時(shí)，基于安全協(xié)議機(jī)制將用戶流量調(diào)度至動(dòng)態(tài)內(nèi)容分發(fā)網(wǎng)絡(luò)，用戶端...
								
            
							
            
							
						
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								      本發(fā)明公開了一種內(nèi)置MOS的高性能副邊同步整流控制器，包括控制芯片，所述控制芯片包括輸入模塊、控制邏輯模塊、輸出模塊、保護(hù)電路模塊、驅(qū)動(dòng)電路模塊、通信接口模塊、自供電電路模塊；用導(dǎo)通電阻極低的功率MOSFET替代傳統(tǒng)整流二極管，大幅降低整流...
								
            
							
            
							
						
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								      本發(fā)明公開了一種基于差分學(xué)習(xí)的短期電力負(fù)荷預(yù)測(cè)方法、系統(tǒng)及存儲(chǔ)介質(zhì)，方法包括采用距離相關(guān)系數(shù)方法對(duì)歷史電網(wǎng)負(fù)荷數(shù)據(jù)和實(shí)時(shí)氣象數(shù)據(jù)進(jìn)行特征選擇，提取關(guān)鍵特征，以形成輸入序列并利用時(shí)序卷積網(wǎng)絡(luò)的編碼器進(jìn)行時(shí)序特征提取，輸出上下文向量并利用自回歸...
								
            
							
            
							
						
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								      本發(fā)明公開了一種改進(jìn)散熱結(jié)構(gòu)的防水型電纜分支箱，涉及低壓配電設(shè)備領(lǐng)域。一種改進(jìn)散熱結(jié)構(gòu)的防水型電纜分支箱，包括：分支箱體，所述分支箱體內(nèi)設(shè)置有用于對(duì)電纜線進(jìn)行安裝分支的安裝腔，所述分支箱體位于安裝腔開放口處轉(zhuǎn)動(dòng)連接有箱門，所述分支箱體的底部...
								
            
							
            
							
						
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								      本發(fā)明公開了一種帶有散熱結(jié)構(gòu)的建筑電氣弱電智能化控制裝置，包括控制箱體、控制模塊、散熱排、散熱板、輸入模塊和主控設(shè)備，控制模塊的表面開設(shè)有開孔，并嵌設(shè)于控制箱體的正面，并且控制模塊的正面兩側(cè)分別嵌設(shè)有控制按鍵和顯示屏，散熱排裝配于控制箱體的...
								
            
							
            
							
						
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								      本發(fā)明公開了一種可編程波形調(diào)制高功率光纖激光器系統(tǒng)，具體涉及高功率光纖激光器領(lǐng)域，用于解決高脈沖重復(fù)頻率下別名失真導(dǎo)致的功率監(jiān)測(cè)和控制不穩(wěn)定性問題，是通過圍繞可編程波形調(diào)制高功率光纖激光器的預(yù)處理鏈路，植入微幅隨機(jī)時(shí)間抖動(dòng)，通過時(shí)標(biāo)與功率序...
								
            
							
            
							
						
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          技術(shù)分類
          
                  
          
                      
                  
          
                
          
            
          
          
          
      
          
    
          
    
    

























































































































































 
 
    







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