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								      本申請?zhí)峁┮环N指紋錄入方法及電子設(shè)備，涉及電子設(shè)備技術(shù)領(lǐng)域，通過電子設(shè)備在用戶手指單次接觸電子設(shè)備屏幕進(jìn)行移動的過程中采集用戶手指的多張指紋圖像，從而利用該多張指紋圖像進(jìn)行拼接形成用戶需要錄入的指紋。這樣，相比于按壓式指紋錄入方法需要用戶重...
								
            
							
            
							
						
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								      本申請實施例公開了一種數(shù)據(jù)處理方法、裝置、設(shè)備、計算機存儲介質(zhì)及程序產(chǎn)品，適用于人工智能與車聯(lián)網(wǎng)等領(lǐng)域。該方法中，在接收規(guī)則推理請求后，從規(guī)則推理請求中獲取規(guī)則推理文本，規(guī)則推理文本包含生成數(shù)據(jù)分類規(guī)則時所要使用的規(guī)則關(guān)鍵詞，進(jìn)而基于規(guī)則推...
								
            
							
            
							
						
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								      本申請?zhí)峁┝艘环N業(yè)務(wù)處理方法、裝置及設(shè)備、介質(zhì)、產(chǎn)品；該方法包括：獲取業(yè)務(wù)場景中待處理的問題信息及業(yè)務(wù)場景對應(yīng)的業(yè)務(wù)知識圖譜；問題信息中包括第一問題實體；從業(yè)務(wù)知識圖譜中抽取第一問題實體的關(guān)聯(lián)圖譜；第一問題實體的關(guān)聯(lián)圖譜用于表示第一問題實體...
								
            
							
            
							
						
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								      本公開實施例涉及一種應(yīng)用程序的問題檢測方法、裝置、設(shè)備及介質(zhì)，其中該方法包括：響應(yīng)于對前置反饋入口的觸發(fā)操作，展示反饋界面，其中，前置反饋入口被配置為展示于應(yīng)用程序中；獲取在反饋界面中輸入的反饋內(nèi)容，基于反饋內(nèi)容獲取引導(dǎo)內(nèi)容和問題中間結(jié)果，...
								
            
							
            
							
						
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								      本申請實施例提供一種自動測試的方法、測試系統(tǒng)、存儲介質(zhì)及處理器。方法包括：控制數(shù)據(jù)傳輸模塊向第一數(shù)據(jù)處理模塊發(fā)送測試數(shù)據(jù)，以生成對應(yīng)的測試用例；控制下發(fā)對應(yīng)的測試用例至車機主板，以使車機主板執(zhí)行對應(yīng)的測試用例；控制接收反饋的狀態(tài)數(shù)據(jù)；控制處...
								
            
							
            
							
						
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								      本申請涉及智能家電技術(shù)領(lǐng)域，公開一種用于空調(diào)的除濕方法，包括：響應(yīng)于空調(diào)的再熱除濕指令，并獲取室內(nèi)環(huán)境溫度；根據(jù)室內(nèi)環(huán)境溫度，確定再熱除濕的目標(biāo)運行模式；根據(jù)目標(biāo)運行模式，控制室外換熱器的狀態(tài)以及室內(nèi)機的運行參數(shù)；其中，目標(biāo)運行模式包括以除...
								
            
							
            
							
						
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								      本發(fā)明屬于油氣輸送管道用管線鋼管技術(shù)領(lǐng)域，具體涉及一種X80厚壁高應(yīng)變直縫鋼管、制造方法及其應(yīng)用。本發(fā)明的管線鋼板材其化學(xué)成分按質(zhì)量百分比的組分為C：0.03％～0.07％，Mn：1.60～1.85％，Si：0.10％～0.30％，P：≤0...
								
            
							
            
							
						
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								      本發(fā)明公開了二甲雙胍工程化細(xì)胞外囊泡Met?EV在制備促皮膚修復(fù)的藥物中的應(yīng)用，包括在制備抗衰及促衰老相關(guān)皮膚再生的藥物中的應(yīng)用、在制備促進(jìn)皮膚缺損修復(fù)的藥物中的應(yīng)用等。所述二甲雙胍工程化細(xì)胞外囊泡Met?EV通過二甲雙胍與間充質(zhì)干細(xì)胞共培...
								
            
							
            
							
						
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								      本發(fā)明提出了一種果糖?1?磷酸的化學(xué)合成方法，屬于有機合成技術(shù)領(lǐng)域。以便宜易得的果糖為起始原料，通過將2,3位和4,5位用丙叉保護(hù)，1位磷酸化，之后在酸性條件下脫除保護(hù)基即可得到目標(biāo)產(chǎn)物果糖?1?磷酸。整個制備過程簡潔，反應(yīng)條件溫和，收率高...
								
            
							
            
							
						
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								      本發(fā)明公開了一種方向盤角度回正處理方法，其包括步驟：感應(yīng)車輛當(dāng)前外部行駛環(huán)境信息，獲得當(dāng)前的路面類型；獲取預(yù)先標(biāo)定的與所述路面類型相對應(yīng)的各方向盤角度請求與斷開握手產(chǎn)生的偏移角度的關(guān)系方程式；根據(jù)泊車結(jié)束時的方向盤角度，以及所述關(guān)系方程式，...
								
            
							
            
							
						
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								      一種換道軌跡規(guī)劃方法、自動駕駛方法和相關(guān)裝置，該自動駕駛方法包括：根據(jù)智能駕駛設(shè)備的第一運動狀態(tài)信息和博弈目標(biāo)的第二運動狀態(tài)信息，控制智能駕駛設(shè)備在第一換道時間段內(nèi)變更至向目標(biāo)車道且位于博弈目標(biāo)的前方。其中，博弈目標(biāo)位于智能駕駛設(shè)備的目標(biāo)車...
								
            
							
            
							
						
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								      本申請?zhí)峁┮环N回流焊爐溫度監(jiān)測方法、電子設(shè)備及存儲介質(zhì)，所述方法包括：獲取回流焊爐的標(biāo)準(zhǔn)爐溫曲線；獲取所述回流焊爐的多個歷史爐溫曲線，所述歷史爐溫曲線包括使用所述回流焊爐加工得到正常產(chǎn)品時的爐溫曲線；確定所述標(biāo)準(zhǔn)爐溫曲線與所述多個歷史爐溫曲...
								
            
							
            
							
						
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								      本申請?zhí)峁┮环N車輛消毒控制方法、系統(tǒng)、車輛、設(shè)備和存儲介質(zhì)，所述方法包括：響應(yīng)于消毒殺菌指令，啟動活體生物偵測裝置；獲取活體生物偵測裝置的第一運行狀態(tài)和活體生物偵測裝置偵測到的第一活體偵測信息，其中，第一活體偵測信息表征車內(nèi)是否存在活體生物...
								
            
							
            
							
						
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								      液晶光控制元件由第一液晶單元、第二液晶單元、第三液晶單元構(gòu)成，第一液晶單元至第三液晶單元在從光源放射的光的射出方向上重疊配置，第一液晶單元至第三液晶單元分別具有由設(shè)置于第一基板的第一帶狀電極及第二帶狀電極構(gòu)成的第一電極和由設(shè)置于第二基板的第...
								
            
							
            
							
						
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								      本公開提供一種發(fā)光組件及其制備方法、發(fā)光芯片和顯示面板。本公開提供的發(fā)光組件包括依次設(shè)置的第一半導(dǎo)體層、發(fā)光層和第二半導(dǎo)體層，以及光學(xué)功能部。其中，光學(xué)功能部位于至少貫穿發(fā)光層的限定槽內(nèi)，光學(xué)功能部包括熒光體。光學(xué)功能部還包括金屬納米顆粒。...
								
            
							
            
							
						
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								      本申請是202410242801.2的分案申請。本申請公開了一種背接觸太陽能電池和光伏組件，屬于太陽能電池技術(shù)領(lǐng)域。該電池包括：基板、導(dǎo)電層和電極結(jié)構(gòu)，相鄰導(dǎo)電層導(dǎo)電極性相反且電絕緣設(shè)置，電極結(jié)構(gòu)包括柵極和與柵極相交且電連接的柵線，導(dǎo)電極性...
								
            
							
            
							
						
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								      一種半導(dǎo)體結(jié)構(gòu)及其形成方法，方法包括：提供襯底，包括基底，位于基底表面的絕緣層以及位于絕緣層表面的半導(dǎo)體層，半導(dǎo)體層包括柵極區(qū)以及包圍柵極區(qū)的若干溝道區(qū)；在柵極區(qū)內(nèi)形成暴露出絕緣層表面和各溝道區(qū)側(cè)壁表面的第一開口；在第一開口內(nèi)形成柵極結(jié)構(gòu)，...
								
            
							
            
							
						
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								      本公開提供一種薄膜晶體管，包括設(shè)置在襯底基板上的柵極和有源層，所述柵極與所述有源層絕緣間隔；所述有源層包括與所述柵極相對設(shè)置的溝道部，所述溝道部包括：第一半導(dǎo)體層和第二半導(dǎo)體層，所述第二半導(dǎo)體層位于所述第一半導(dǎo)體層靠近所述柵極的一側(cè)；所述第...
								
            
							
            
							
						
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								      本申請?zhí)峁┮环N半導(dǎo)體器件及其制作方法、電子設(shè)備，涉及半導(dǎo)體技術(shù)領(lǐng)域。半導(dǎo)體器件包括基于GaN的HEMT器件，其中HEMT器件包括：襯底、寄生溝道層、外延層和電極層；寄生溝道層和外延層沿襯底的厚度方向且遠(yuǎn)離襯底的方向依次設(shè)置于襯底上；電極層設(shè)...
								
            
							
            
							
						
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								      本申請?zhí)峁┝艘环N數(shù)據(jù)處理方法、電子設(shè)備及可讀存儲介質(zhì)，涉及數(shù)據(jù)處理技術(shù)領(lǐng)域。本申請?zhí)峁┑臄?shù)據(jù)處理方法中，在第一模型的第一網(wǎng)絡(luò)層對其輸入數(shù)據(jù)進(jìn)行第一運算的過程中，如果第一運算得到的運算結(jié)果超出電子設(shè)備采用的浮點格式所對應(yīng)的數(shù)據(jù)范圍，則將第一運...
								
            
							
            
							
						
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