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								      本發(fā)明涉及隱斜視檢測(cè)技術(shù)領(lǐng)域，且公開了一種視標(biāo)偏振片以及基于偏振片的眼位檢測(cè)設(shè)備，包括偏振組合片，所述偏振組合片上印刷有視標(biāo)層，所述偏振組合片是由帶有X軸偏光角度的X軸偏振片和帶有Y軸偏光角度的Y軸偏振片組成，所述X軸偏振片與所述Y軸偏振片...
								
            
							
            
							
						
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								      本發(fā)明提供了一種可拉伸拉鏈，包括鏈帶、安裝于所述鏈帶上的鏈牙結(jié)構(gòu)和安裝于所述鏈牙結(jié)構(gòu)上的拉頭；所述鏈帶為可拉伸鏈帶；所述鏈牙結(jié)構(gòu)與所述拉頭配合連接后，與可拉伸的所述鏈帶裝配在一起，以形成具有拉伸功能的拉鏈。本發(fā)明能夠在0?25％的應(yīng)變和應(yīng)變...
								
            
							
            
							
						
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								      本申請(qǐng)公開了一種量子點(diǎn)器件及其制備方法，該量子點(diǎn)器件包括襯底、半導(dǎo)體層、勢(shì)壘調(diào)控部和控制電極，半導(dǎo)體層形成于襯底一側(cè)，包括源區(qū)、漏區(qū)以及位于源區(qū)和漏區(qū)之間的溝道區(qū)，溝道區(qū)包括溝道本體和容納空間，溝道本體包括至少一個(gè)量子點(diǎn)區(qū)域，量子點(diǎn)區(qū)域的兩...
								
            
							
            
							
						
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								      本發(fā)明涉及一種提高SiC MOSFET飽和電流平穩(wěn)性的器件結(jié)構(gòu)及其制備方法，所述器件結(jié)構(gòu)包括襯底、漂移層、柵氧化層和柵多晶硅、場(chǎng)氧化層、源極以及漏極；所述漂移層包括第一N?漂移區(qū)和第二N?漂移區(qū)；所述第一N?漂移區(qū)通過離子注入形成有P?bo...
								
            
							
            
							
						
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								      本發(fā)明公開了一種可降低電子元器件立碑的加工方法，包括：S1、錫膏印刷：0402元器件的焊盤設(shè)置于PCB板中心位置，錫膏絲印機(jī)將錫膏涂覆在鋼網(wǎng)表面；S2、錫膏預(yù)檢測(cè)：鋼網(wǎng)孔內(nèi)填充錫膏后，PCB板與第一視覺相機(jī)之間設(shè)置有透明片材，透明片材上設(shè)置...
								
            
							
            
							
						
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								      本發(fā)明屬于PCB生產(chǎn)技術(shù)領(lǐng)域，特別是涉及一種電路板定位方法。電路板定位方法，應(yīng)用于電路板加工設(shè)備，電路板加工設(shè)備包括第一平臺(tái)，第一平臺(tái)上設(shè)置有定位件，電路板定位方法包括：在待加工板材上建立第一直角坐標(biāo)系，獲取靶孔的加工位置信息；計(jì)算待加工板...
								
            
							
            
							
						
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								      本發(fā)明公開了修復(fù)藍(lán)牙通信異常的方法和電子設(shè)備。該方法包括：獲取設(shè)備的藍(lán)牙通信文件并解析所述藍(lán)牙通信文件得到藍(lán)牙通信數(shù)據(jù)；根據(jù)藍(lán)牙標(biāo)準(zhǔn)規(guī)范檢測(cè)出所述藍(lán)牙通信數(shù)據(jù)中的異常信息；根據(jù)所述異常信息通過預(yù)訓(xùn)練后的藍(lán)牙修復(fù)模型生成基于解釋性語言的目標(biāo)協(xié)...
								
            
							
            
							
						
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								      本發(fā)明公開了一種智慧城市綜合安全管理遠(yuǎn)程監(jiān)控系統(tǒng)，包括：感知層、網(wǎng)絡(luò)層、平臺(tái)層和應(yīng)用層；所述感知層包括：固定類傳感器、移動(dòng)類傳感器和應(yīng)急傳感器，所述應(yīng)急傳感器包括：安裝柱、控制器、對(duì)接機(jī)構(gòu)和安裝機(jī)構(gòu)；對(duì)接機(jī)構(gòu)安裝在所述安裝柱的頂端；安裝機(jī)構(gòu)...
								
            
							
            
							
						
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								      本申請(qǐng)?zhí)岢鲆环N網(wǎng)關(guān)智能決策方法和設(shè)備，網(wǎng)關(guān)智能決策方法應(yīng)用于決策終端，該方法包括：響應(yīng)于信令代理網(wǎng)關(guān)發(fā)送的決策請(qǐng)求，獲取信令日志和目標(biāo)數(shù)據(jù)包；基于所述信令日志獲取提示詞，并基于所述目標(biāo)數(shù)據(jù)包從預(yù)設(shè)的向量數(shù)據(jù)庫獲取歷史決策信息，所述歷史決策信...
								
            
							
            
							
						
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								      本發(fā)明公開了一種基于流量檢測(cè)和攻擊圖的啟發(fā)式APT攻擊溯源方法，涉及網(wǎng)絡(luò)空間安全領(lǐng)域。本發(fā)明包括兩個(gè)階段：異常檢測(cè)階段和攻擊溯源階段，在異常檢測(cè)階段，首先從網(wǎng)絡(luò)流量中采集易于檢測(cè)的網(wǎng)絡(luò)流數(shù)據(jù)特征對(duì)特征信息開展異常檢測(cè)，生成若干異常事件；在攻...
								
            
							
            
							
						
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								      本發(fā)明提供用于監(jiān)控工藝偏差的可調(diào)式環(huán)形振蕩器及其測(cè)試方法，環(huán)形振蕩器包括多個(gè)串聯(lián)的結(jié)構(gòu)單元，每個(gè)結(jié)構(gòu)單元包括一個(gè)傳輸門和一個(gè)標(biāo)準(zhǔn)反相器，傳輸門包括第一PMOS器件、第一NMOS器件和C端，C端用于控制傳輸門中的第一PMOS器件、第一NMOS...
								
            
							
            
							
						
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								      本發(fā)明屬于光伏支架技術(shù)領(lǐng)域，具體涉及一種角度調(diào)節(jié)裝置及光伏支架，該角度調(diào)節(jié)裝置包括：第一齒輪，用以固定連接第一連接件；第二齒輪，用以固定連接第二連接件，所述第二齒輪與所述第一齒輪同軸并列設(shè)置；限位齒圈，套設(shè)于所述第一齒輪和所述第二齒輪的外周...
								
            
							
            
							
						
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								      本發(fā)明公開了一種水輪發(fā)電機(jī)勵(lì)磁系統(tǒng)散熱結(jié)構(gòu)，包括碳刷支架、碳刷座以及下扇葉，碳刷支架固定安裝在基座上，碳刷支架套裝在水輪發(fā)電機(jī)的主軸外部，主軸上套裝有下扇葉，下扇葉上支撐安裝有集電環(huán)，主軸穿過集電環(huán)，碳刷座安裝在碳刷支架上，碳刷座位于集電環(huán)...
								
            
							
            
							
						
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								      本發(fā)明涉及無線電能傳輸技術(shù)領(lǐng)域，特別涉及一種雙目標(biāo)磁集成無線充電系統(tǒng)高分辨率位置監(jiān)測(cè)方法及裝置，其中，方法包括：獲取功率發(fā)射端和功率接收端的多個(gè)電路參數(shù)；基于多個(gè)電路參數(shù)，計(jì)算反映功率發(fā)射端和功率接收端中心距離的映射指標(biāo)，并在映射指標(biāo)大于預(yù)...
								
            
							
            
							
						
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								      本申請(qǐng)公開了一種開關(guān)電源變換器的充電控制方法和裝置，屬于開關(guān)電源技術(shù)領(lǐng)域。所述方法包括：在電池處于涓流充電模式下，在檢測(cè)到開關(guān)電源變換器的輸出電壓小于目標(biāo)電壓閾值的情況下，基于開關(guān)電源變換器的輸入電壓和輸出電壓，以及進(jìn)入多個(gè)計(jì)時(shí)階段中目標(biāo)階...
								
            
							
            
							
						
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								      一種并網(wǎng)型臺(tái)區(qū)微電網(wǎng)的有功?無功協(xié)同調(diào)控方法及裝置，該方法包括：將臺(tái)區(qū)微電網(wǎng)初始化，輸入臺(tái)區(qū)微電網(wǎng)參數(shù)和場(chǎng)景；建立臺(tái)區(qū)微電網(wǎng)優(yōu)化模型，以最小化臺(tái)區(qū)微電網(wǎng)的運(yùn)營成本為目標(biāo)函數(shù)；考慮各器件的功率約束、可調(diào)度機(jī)組啟停約束、電池儲(chǔ)能裝置運(yùn)行約束、分...
								
            
							
            
							
						
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								      本發(fā)明公開一種具有直流短路故障永久性判別能力的MMC控制方法，包括如下步驟：步驟一，采集MMC直流側(cè)電流，將所述直流側(cè)電流與第一閾值進(jìn)行比較，若所述直流側(cè)電流大于第一閾值，則判定發(fā)生直流短路故障，閉鎖MMC所有子模塊，導(dǎo)通晶閘管環(huán)，并在預(yù)設(shè)...
								
            
							
            
							
						
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								      本發(fā)明公開一種反推法水下二次分離防短路插座，包括插座殼體、前端防水部件，插座殼體內(nèi)通過絕緣體設(shè)有第一接觸件，前端防水部件包括連接筒，連接筒內(nèi)通過玻璃套設(shè)有第一對(duì)插接觸件；還包括沿前后方向浮動(dòng)安裝在絕緣體與前端防水部件之間的轉(zhuǎn)接部件，轉(zhuǎn)接部件...
								
            
							
            
							
						
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								      本發(fā)明涉及一種重復(fù)制備異質(zhì)薄膜襯底的方法，包括以下步驟：S1.在原始功能襯底的拋光面外延，形成包含多層犧牲層和轉(zhuǎn)移層的外延層，制得第一外延晶片；S2.將第一外延晶片的外延面和第一異質(zhì)襯底的拋光面鍵合，制得第一鍵合結(jié)構(gòu)；S3.剝離第一鍵合結(jié)構(gòu)...
								
            
							
            
							
						
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								      本發(fā)明涉及基于CFD的電子電鍍?nèi)芤号渲颇Ｐ偷臉?gòu)建方法及系統(tǒng)，屬于人工智能控制與電鍍?nèi)芤号渲迫诤霞夹g(shù)領(lǐng)域。本發(fā)明通過采用鍍件電鍍膜厚閾值判別電子電鍍模組實(shí)測(cè)鍍層厚度數(shù)據(jù)，并以此實(shí)測(cè)數(shù)據(jù)模擬電子電鍍?nèi)芤号渲票壤O(jiān)測(cè)半導(dǎo)體器件電子電鍍后的鍍層厚...
								
            
							
            
							
						
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