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          • 本發(fā)明屬于藥物輸送技術(shù)領(lǐng)域,尤其涉及一種鹽酸米托蒽醌脂質(zhì)體及其制備方法與應(yīng)用。本發(fā)明提供的鹽酸米托蒽醌脂質(zhì)體,以單價磺酸鹽為內(nèi)水相,將鹽酸米托蒽醌高效、穩(wěn)定地包封在脂質(zhì)體內(nèi)水相中,通過調(diào)節(jié)內(nèi)水相中磺酸鹽的濃度,可使所制備的鹽酸米托蒽醌脂質(zhì)體...
          • 本發(fā)明涉及一種有機光電子二極管和顯示裝置,有機光電子二極管包括:彼此面對的陽極和陰極、位于陽極和陰極之間的發(fā)光層、位于陽極和發(fā)光層之間的空穴傳輸層以及位于空穴傳輸層和發(fā)光層之間的空穴傳輸輔助層,其中空穴傳輸輔助層包括與空穴傳輸層鄰近的第一空...
          • 提供能夠在將鐵芯片一體化后可靠地調(diào)整層疊高度的層疊鐵芯的制造方法。層疊多個鐵芯片(3),層疊的鐵芯片(3)由通過遍及突起(15)間的第一焊接形成的第一焊接部(5)結(jié)合而被一體化,測定被一體化的鐵芯片(3)的層疊高度,基于測定的層疊高度,在被...
          • 本公開涉及一種敏感度檢測系統(tǒng),該敏感度檢測系統(tǒng)準(zhǔn)確高效地確定基于用戶瀏覽活動的信息何時無意地揭露了關(guān)于所述用戶的私有或其他敏感信息。例如,敏感度檢測系統(tǒng)生成和利用機器學(xué)習(xí)模型來檢測敏感度,以準(zhǔn)確地檢測敏感用戶信息何時從諸如用戶簡檔等用戶信息...
          • 一種顯示面板,包括:襯底、多個子像素、多條數(shù)據(jù)線、多個柵極驅(qū)動電路、第一組數(shù)據(jù)扇出線、第二組數(shù)據(jù)扇出線、第一組控制信號線、第二組控制信號線、第一組靜電釋放電路和第二組靜電釋放電路。第一組數(shù)據(jù)扇出線與第一組控制信號線在襯底的正投影存在交疊,第...
          • 顯示模組包括電路板、油墨層、LED芯片和封裝層。油墨層的材料至少包括丙烯酸脂、環(huán)氧樹脂和有機顏料,油墨膜片貼附于電路板,油墨層具有開窗;LED芯片,固晶于開窗;封裝層覆蓋于電路板、油墨層及LED芯片。
          • 一種半導(dǎo)體結(jié)構(gòu)單元及其形成方法、半導(dǎo)體結(jié)構(gòu),半導(dǎo)體結(jié)構(gòu)單元包括:襯底,包括第一區(qū)和第二區(qū);位于襯底上的若干第一柵極結(jié)構(gòu)和若干第二柵極結(jié)構(gòu),第一柵極結(jié)構(gòu)位于相鄰的第二柵極結(jié)構(gòu)之間;位于第一區(qū)第一柵極結(jié)構(gòu)上和第二柵極結(jié)構(gòu)上的若干第一金屬層,第一...
          • 本公開實施例提供一種半導(dǎo)體器件及其制備方法,所述方法包括:在襯底上形成柵極層;在所述柵極層上形成第一掩膜層;利用所述第一掩膜層對所述柵極層進行刻蝕,形成柵極;對所述襯底進行離子摻雜,以在所述柵極兩側(cè)形成源/漏區(qū);去除所述第一掩膜層;形成覆蓋...
          • 本公開提供了一種半導(dǎo)體器件及其制作方法、集成電路、存儲系統(tǒng),涉及半導(dǎo)體芯片技術(shù)領(lǐng)域,旨在解決低電壓晶體管背柵漏電的問題。所述半導(dǎo)體器件包括襯底、第一絕緣層、第二絕緣層、半導(dǎo)體層、第一晶體管和第二晶體管。第一絕緣層設(shè)置于襯底一側(cè),包括第一部分...
          • 本發(fā)明涉及一種薄膜晶體管、像素陣列基板、顯示裝置及其制造方法。所述薄膜晶體管的制造方法包括以下步驟:在基板上形成第一金屬層以及覆蓋于第一金屬層上的絕緣層;在絕緣層上形成非晶態(tài)半導(dǎo)體薄膜;對非晶態(tài)半導(dǎo)體薄膜進行熱處理,以使非晶態(tài)半導(dǎo)體薄膜轉(zhuǎn)換...
          • 本發(fā)明公開一種薄膜晶體管、像素陣列基板、顯示裝置及其制造方法。所述薄膜晶體管的制造方法包括以下步驟:在基板上形成第一金屬層以及覆蓋于第一金屬層上的絕緣層;在絕緣層上形成非晶態(tài)半導(dǎo)體薄膜;對非晶態(tài)半導(dǎo)體薄膜進行離子注入,以將3A族離子注入非晶...
          • 提供半導(dǎo)體裝置及其形成方法。半導(dǎo)體裝置包括碳化硅基板、外延層、第一電極、分離柵極結(jié)構(gòu)以及源極接觸。碳化硅基板具有第一、第二以及第三區(qū),且具有第一導(dǎo)電類型。外延層設(shè)置于碳化硅基板的頂面上。外延層具有第一導(dǎo)電類型。第一電極設(shè)置于第一區(qū)的外延層中...
          • 本發(fā)明提供半導(dǎo)體裝置及其形成方法。半導(dǎo)體裝置包括碳化硅基板、外延層、阱區(qū)、柵極結(jié)構(gòu)、第一絕緣柱、一對第一介電間隔物以及接觸部件。碳化硅基板具有第一區(qū)以及第二區(qū),且具有第一導(dǎo)電類型。外延層設(shè)置于碳化硅基板上且具有第一導(dǎo)電類型。阱區(qū)位于外延層中...
          • 本發(fā)明適用于電機制造技術(shù)領(lǐng)域,提供了一種注塑成型含前或后端蓋的定子組件及其工藝,包括集成前端蓋或集成后端蓋,所述集成前端蓋或集成后端蓋內(nèi)設(shè)有定子鐵芯和定子繞組,所述集成前端蓋或集成后端蓋采用可塑性材質(zhì)成型;其中,所述定子繞組置于所述定子鐵芯...
          • 一種O3型鈉離子電池鎳錳基層狀氧化物正極材料、制備方法和用途屬于電極材料領(lǐng)域。化學(xué)通式表示為:Nax(NiyMn1?y)1?βMβ...
          • 本申請?zhí)峁┝耍环N多芯片的封裝結(jié)構(gòu)、光模塊和光通信系統(tǒng),包括:基板,基板的頂面配置有多個芯片,多個芯片包括至少一個電芯片和光芯片;其中,基板的頂面包括第一區(qū)域和第二區(qū)域,第一區(qū)域與基板的底面的距離大于第二區(qū)域與基板的底面的距離,第一區(qū)域用于...
          • 本發(fā)明提供了一種利用空氣腔增強氧化鎵外延質(zhì)量的制備方法,該方法通過降低位錯密度來提高薄膜質(zhì)量。在具體實施過程中,我們采用光刻技術(shù)在襯底上形成具有特定圖案的光刻膠,隨后對帶有光刻膠圖案的襯底進行熱回流處理。接著,在熱回流后的襯底上進行非晶態(tài)或...
          • 本發(fā)明實施例提供了問答處理的方法、裝置、電子設(shè)備、介質(zhì)及程序產(chǎn)品,所述方法包括:獲取用戶輸入的問題文本,并生成所述問題文本對應(yīng)的第二向量;采用所述第二向量,在預(yù)先構(gòu)建的向量庫中進行向量匹配,得到目標(biāo)第一向量,并確定所述目標(biāo)第一向量對應(yīng)的目標(biāo)...
          • 本發(fā)明提供了一種基于生成式人工智能技術(shù)的電廠設(shè)計專題報告生成方法,其特征在于,包括以下步驟:(1)數(shù)據(jù)采集與處理;(2)自然語言處理與信息提取;(3)生成式人工智能模型訓(xùn)練;(4)報告生成與內(nèi)容組織;(5)報告輸出與定制化;(6)質(zhì)量評估與...
          • 本申請涉及一種問答方法、裝置、計算機設(shè)備和存儲介質(zhì)。所述方法包括:在目標(biāo)提問內(nèi)容的答復(fù)場景為非預(yù)設(shè)場景時,通過從緩存中查詢目標(biāo)提問內(nèi)容對應(yīng)的目標(biāo)答復(fù)內(nèi)容并反饋給目標(biāo)賬號,以減少預(yù)設(shè)大語言模型的使用頻次,從而降低預(yù)設(shè)大語言模型的使用代價,以解...
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