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								      本發(fā)明公開了一種電磁加熱控制電路、電磁加熱設備及其控制方法，其中，電磁加熱控制電路，包括：功率開關管；驅(qū)動單元，被配置為驅(qū)動功率開關管開通或關斷；軟驅(qū)動控制單元，被配置為在驅(qū)動單元驅(qū)動功率開關管進行開通時對提供給驅(qū)動單元的電源電壓進行降低控...
								
            
							
            
							
						
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								      本發(fā)明公開了一種電磁加熱控制電路、電磁加熱設備及其控制方法，其中，電磁加熱控制電路包括：功率開關管；驅(qū)動單元，被配置為驅(qū)動功率開關管開通或關斷；電壓檢測單元，被配置為檢測功率開關管的集電極電壓；開通電流抑制單元，被配置為在集電極電壓大于第一...
								
            
							
            
							
						
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								      本發(fā)明提供一種燈具的調(diào)光方法、系統(tǒng)、燈具、電子設備及可讀存儲介質(zhì)。該方法包括：基于調(diào)光指令參數(shù)，輸出每路燈珠組的第一功率參數(shù)值；基于第一功率參數(shù)值，對初始功率參數(shù)值進行漸變處理，輸出每路燈珠組的第二功率參數(shù)值，第二功率參數(shù)值用于指示初始功率...
								
            
							
            
							
						
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								      本發(fā)明提供一種調(diào)光方法、系統(tǒng)、電子設備和存儲介質(zhì)，該方法包括：基于調(diào)光指令參數(shù)，獲取初始色坐標；基于目標策略優(yōu)化模型和所述調(diào)光指令參數(shù)，獲取白光比例；基于所述初始色坐標和所述白光比例，獲取彩光混光色坐標；基于所述彩光混光色坐標、所述白光比例...
								
            
							
            
							
						
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								      本申請公開了一種靜電消除裝置及半導體工藝設備，屬于半導體加工技術領域。靜電消除裝置包括電源和去靜電發(fā)生單元，去靜電發(fā)生單元包括第一電極、第二電極和絕緣殼體，絕緣殼體設有等離子體腔、入口和出口，入口和出口均與等離子體腔連通，入口用于供氣體進入...
								
            
							
            
							
						
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								      本申請涉及儲能技術領域，提供了一種電源裝置及電子設備，該電源裝置包括電路板、導熱基板和至少一個功率半導體器件，其中，電路板和導熱基板沿電路板的厚度方向相對設置，導熱基板朝向電路板的表面設置有電路單元，電路單元與導熱基板相互絕緣；電路板固定連...
								
            
							
            
							
						
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								      公開了一種浸沒式冷卻裝置及電子設備。浸沒式冷卻裝置包括冷凝模組、儲液模組、泵體和換熱模組；冷凝模組用于與冷卻模組連接，冷卻模組用于容納發(fā)熱器件；儲液模組與冷凝模組連接，且儲液模組通過泵體與冷卻模組連接，泵體用于將儲液模組所容納的工質(zhì)輸送至冷...
								
            
							
            
							
						
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								      本發(fā)明涉及一種數(shù)據(jù)中心冷卻系統(tǒng)，包括冷卻塔、冷卻泵、電動三通閥、板式換熱器、冷水機、冷凍泵和控制器，冷卻塔的出水口與冷卻泵的進水口連通，冷卻泵的出水口與電動三通閥的進水口連通，板式換熱器的冷端進口與電動三通閥的第一出水口連通，冷端出口及電動...
								
            
							
            
							
						
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								      公開了一種散熱裝置及通信設備。散熱裝置包括主散熱器和獨立散熱器，主散熱器包括基板和第一散熱翅片，基板具有相背的第一面和第二面，第一散熱翅片設置于基板的第一面，基板的第二面用于與一個或多個第一發(fā)熱器件接觸；基板具有由第一面貫穿至第二面的第一缺...
								
            
							
            
							
						
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								      本申請涉及一種冷卻系統(tǒng)，包括第一液冷板、第二液冷板、第一熱虹吸裝置以及第二熱虹吸裝置。第一液冷板具有第一左側流道及第一右側流道，第一左側流道及第一右側流道并聯(lián)以形成第一并聯(lián)流道；第二液冷板相對于第一液冷板間隔設置，第二液冷板具有第二左側流道...
								
            
							
            
							
						
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								      本申請涉及一種冷卻系統(tǒng)，包括第一液冷板、第二液冷板、連通結構、第一熱虹吸裝置及第二熱虹吸裝置。第一液冷板具有第一左側流道、第一右側流道、第一入口及第一出口，第一左側流道連通第一入口及第一出口，第一右側流道連通第一入口及第一出口；第二液冷板具...
								
            
							
            
							
						
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								      本發(fā)明涉及空調(diào)技術領域，具體提供一種電器盒及電器設備，旨在解決現(xiàn)有技術中不規(guī)則元器件散熱方式散熱效果較差的技術問題。為此目的，本發(fā)明的電器盒包括：第一盒體；導熱管道，其穿設于所述第一盒體設置，所述導熱管道內(nèi)流通有冷卻介質(zhì)；多種元器件，布設在...
								
            
							
            
							
						
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								      本申請涉及終端設備技術領域，尤其涉及一種散熱裝置及電子設備。散熱裝置包括頂板、射流板個側墻，頂板、射流板和側墻圍成至少一個第一腔體，頂板或側墻上設置有至少兩個進口區(qū)，射流板上設置有至少兩個射流區(qū)，第一腔體內(nèi)設置有至少兩個執(zhí)行結構和驅(qū)動執(zhí)行結...
								
            
							
            
							
						
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								      一種電子設備和絕緣上蓋，涉及電子設備靜電防護技術領域，包括：顯示模組的絕緣蓋板，絕緣上蓋，罩設于絕緣蓋板的邊緣，絕緣蓋板的邊緣和絕緣上蓋之間具有第一間隙；接地件，至少部分位于顯示模組的非顯示一側；靜電防護結構，包括第一導電件和第二導電件，第...
								
            
							
            
							
						
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								      本申請?zhí)峁┝艘环N半導體器件及其制備方法，該半導體器件包括晶體管陣列、存儲陣列、停止層和連接結構，存儲陣列位于晶體管陣列沿第一方向的一側，停止層設置在存儲陣列沿第二方向的一側，第二方向與第一方向交叉。連接結構設置在存儲陣列沿第二方向的一側，且...
								
            
							
            
							
						
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								      本公開實施例提供一種三維存儲器及其制備方法，所述方法包括：提供基底結構，所述基底結構包括第一堆疊結構，所述第一堆疊結構包括交替堆疊設置的絕緣層和犧牲層；形成若干貫穿所述第一堆疊結構的溝道孔，所述溝道孔包括存儲溝道孔和犧牲溝道孔，所述犧牲溝道...
								
            
							
            
							
						
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								      本申請?zhí)峁┮环N芯片及其制作方法、電子設備，涉及半導體技術領域。該芯片中包括鍵合的第一半導體結構和第二半導體結構。第一半導體結構中包括采用前道工藝制作第一晶體管。第二半導體結構中包括采用后道工藝制作的第二晶體管，第二晶體管為垂直晶體管，第二晶...
								
            
							
            
							
						
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								      本申請公開了一種顯示面板及其制備方法、顯示裝置，方法包括：在陽極層上依次形成第一保護層、陰極層以及第二保護層；形成多個像素開口，像素開口貫穿第一保護層、陰極層以及第二保護層并暴露陽極層的表面，像素開口包括用于形成第一子像素的第一像素開口、用...
								
            
							
            
							
						
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								      本申請公開了一種顯示面板及顯示裝置，顯示面板包括：基板，基板的一側設置有位于第二區(qū)域的第一電位部；隔離結構，設置于第一電位部背離基板的一側，隔離結構包括位于第一區(qū)域的第一分段及位于第二區(qū)域的第二分段；第一電極層，包括多個在隔離結構處被隔斷的...
								
            
							
            
							
						
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								      本申請實施例提供的一種顯示面板、顯示面板的制備方法及電子設備，涉及顯示技術領域，所述顯示面板包括：陣列基板；位于所述陣列基板一側的隔離結構，所述隔離結構圍合形成隔離開口；至少部分位于所述隔離開口內(nèi)的發(fā)光子像素；位于所述發(fā)光子像素遠離所述陣列...
								
            
							
            
							
						
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