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最新專利技術

一種煤礦井下場景安全狀態(tài)的監(jiān)測方法和裝置

本發(fā)明提供一種煤礦井下場景安全狀態(tài)的監(jiān)測方法和裝置，應用于場景監(jiān)測硬件單元群組，所述場景監(jiān)測硬件單元群組包括多個場景監(jiān)測硬件單元，所述多個場景監(jiān)測硬件單元用于實現(xiàn)煤礦井下場景空間的數(shù)字化；所述方法包括：構建煤礦井下場景空間的數(shù)字化結果數(shù)據(jù)，...

2025-09-29
一種網(wǎng)絡模型的訓練方法和裝置

本發(fā)明公開了一種網(wǎng)絡模型的訓練方法和裝置，涉及計算機技術領域。網(wǎng)絡模型的訓練方法的一具體實施方式包括：響應于接收到多個原始圖像，對所述多個原始圖像進行混合，得到混合圖像；根據(jù)預先設置的神經(jīng)網(wǎng)絡，分別對所述多個原始圖像和所述混合圖像進行特征提...

2025-09-29
車輛控制方法、計算機可讀存儲介質(zhì)、電子設備及車輛

本發(fā)明實施例公開了一種車輛控制方法、計算機可讀存儲介質(zhì)、電子設備及車輛。本發(fā)明實施例會確定目標車輛的使用狀態(tài)，并在檢測到所述目標車輛在第一預設時間段內(nèi)未被使用時，獲取對所述目標車輛的區(qū)域判斷結果，再根據(jù)所述區(qū)域判斷結果指示所述目標車輛或提示...

2025-09-29
異形曲面顯示屏的制作方法

本發(fā)明公開一種異形曲面顯示屏的制作方法。包括如下步驟：步驟一，利用3D激光掃描一異形曲面基底，獲取各點坐標；步驟二，面板設計，依據(jù)分辨率需求將顯示區(qū)域進行網(wǎng)格劃分，每一網(wǎng)格對應一子像素；步驟三，依據(jù)所述步驟二的面板設計，選擇直角坐標或極坐標...

2025-09-29
用于顯示板的控制電路和冰箱

本申請涉及控制電路技術領域，公開一種用于顯示板的控制電路，包括：主控電路，被配置為根據(jù)用戶的觸控操作以輸出控制信號；光源驅(qū)動電路，被配置為驅(qū)動顯示板的光源打開或關閉；電源電路，包括主電源、第一電源支路和第二電源支路；主電源被配置為提供電壓；...

2025-09-29
存儲器及其操作方法、存儲器系統(tǒng)、計算機系統(tǒng)

本公開實施例提供一種存儲器及其操作方法、存儲器系統(tǒng)。該存儲器包括多個存儲單元集，存儲單元集包括第一存儲單元組和第二存儲單元組，第一存儲單元組包括目標態(tài)為第i態(tài)至第i+k態(tài)的存儲單元，第二存儲單元組包括目標態(tài)為第i+k+1態(tài)至第i+j態(tài)的存儲...

2025-09-29
存儲器裝置及其操作方法、存儲器系統(tǒng)

本公開實施例提供了存儲器裝置及其操作方法、存儲器系統(tǒng)，所述存儲器裝置包括：存儲單元陣列，包括多個存儲單元；外圍電路，耦合至所述存儲單元陣列；所述外圍電路被配置為：對所述多個存儲單元中的目標存儲單元進行目標態(tài)的編程操作；對經(jīng)過所述目標態(tài)的編程...

2025-09-29
一種芯片的內(nèi)測試方法、芯片及相關設備

本申請?zhí)峁┝艘环N芯片的內(nèi)測試方法、芯片及相關設備，涉及芯片技術領域。其中，芯片包括只讀存儲器ROM和內(nèi)測試電路，該方法包括：通過內(nèi)測試電路讀取ROM中的待測試存儲單元，得到待測試存儲單元對應的讀取值。內(nèi)測試電路用于對待測試存儲單元存儲的數(shù)據(jù)...

2025-09-29
藥物靶點的確定方法、裝置、計算機設備和存儲介質(zhì)

本申請涉及一種藥物靶點的確定方法、裝置、計算機設備和存儲介質(zhì)。所述方法包括：獲取候選蛋白質(zhì)對應的蛋白質(zhì)熱圖；基于特征提取模型，提取所述蛋白質(zhì)熱圖的特征，得到所述候選蛋白質(zhì)對應的熱圖特征；基于所述候選蛋白質(zhì)對應的熱圖特征，對所述候選蛋白質(zhì)進行...

2025-09-29
一種低內(nèi)阻鋰電容電解液和電解液添加劑

本發(fā)明涉及一種鋰離子電容器電解液和電解液添加劑的關鍵技術，可有效提高鋰離子電容器電解液的電化學性能。其主要內(nèi)容為一種鹵化鋰、硅藻土和石墨粉與聚氨酯丙烯酸酯和丙烯酸單體制備的電解液添加劑，以及此添加劑與包含六氟磷酸鋰、碳酸乙烯酯和碳酸二甲酯的...

2025-09-29
鋰離子電容器正極涂布的關鍵技術

本發(fā)明涉及一種鋰離子電容器正極涂布的關鍵技術。該電容器以商品化活性炭和硬炭（HC）分別為正正極活性材料組裝鋰離子電容器。該發(fā)明涉及到正極涂布的關鍵技術―粘結劑體系的選擇。具體配料由如下質(zhì)量百分比含量的組分組成：正極主料88?92%、導電劑5...

2025-09-29
一種微動開關裝配工裝

本發(fā)明公開一種微動開關裝配工裝。包括：上端蓋、上連接板、下端蓋、下連接板和裝配模組，所述上連接板在所述上端蓋下方且兩者相固定連接，所述上連接板具有向下開口的上連接板定位槽，所述下連接板在所述下端蓋上方且兩者相固定連接，所述下連接板具有向上開...

2025-09-29
晶圓冷卻方法、刻蝕方法、工藝設備及可讀存儲介質(zhì)

本申請?zhí)峁┝艘环N晶圓冷卻方法、刻蝕方法、工藝設備及可讀存儲介質(zhì)，其中，該晶圓冷卻方法應用于冷卻裝置，晶圓的上表面沉積有金屬薄膜，金屬薄膜的材料為包括第一金屬和第二金屬的合金材料，且第一金屬的含量大于第二金屬的含量；該晶圓冷卻方法包括：根據(jù)金...

2025-09-29
用于晶圓傳輸平臺的晶圓定位方法、電子設備和工藝設備

本公開實施例提供了一種用于晶圓傳輸平臺的晶圓定位方法、電子設備和工藝設備。該晶圓定位方法包括：獲取晶圓在晶圓傳輸平臺內(nèi)的第一圖像；獲取晶圓的圖像特征；根據(jù)圖像特征在第一圖像上對晶圓進行初始定位，獲得初始定位信息；基于初始定位信息，采用粒子濾...

2025-09-29
靜電卡盤、反應腔室和半導體處理設備

本公開提供了一種靜電卡盤、反應腔室和半導體處理設備，所述靜電卡盤包括：殼體，所述殼體包括第一晶圓承載面和與所述第一晶圓承載面相交的至少一個第二晶圓承載面；位于所述殼體中的第一吸附電極和至少一個第二吸附電極；所述第一吸附電極對應于所述第一晶圓...

2025-09-29
一種半導體結構及其制備方法

本申請?zhí)峁┮环N半導體結構及其制備方法，半導體結構包括第一組合結構，第一組合結構包括襯底、多個第一芯片和第二導電互聯(lián)結構，其中，所述襯底包括多個第一區(qū)域和一個第二區(qū)域，多個所述第一芯片分別設置在所述襯底朝向第一方向的一側(cè)，并分別與所述襯底在所...

2025-09-29
半導體測試結構及其制備方法

本公開提供了一種半導體測試結構及其制備方法，涉及半導體技術領域，旨在改善連接線對測試信號產(chǎn)生干擾的問題。本公開提供的半導體測試結構包括封裝基板、轉(zhuǎn)接板、多個測試芯片和信號線。其中，多個測試芯片在封裝基板的一側(cè)層疊設置。多個測試芯片中包括目標...

2025-09-29
半導體結構及半導體結構的形成方法

一種半導體結構及其形成方法，方法包括：提供襯底和位于襯底上的襯墊層；在襯墊層上形成復合結構層和位于復合結構層內(nèi)的第一凹槽，第一凹槽暴露出襯墊層表面，復合結構層包括若干層第一層和若干層第二層，第二層位于相鄰的第一層之間；去除第一凹槽暴露出的部...

2025-09-29
鈉離子電池正極極片以及鈉離子電池

本申請?zhí)峁┮环N鈉離子電池正極極片以及鈉離子電池，該正極極片包括正極集流體和設置在所述正極集流體的至少一個表面上的正極膜層，所述正極膜層包括正極活性材料、第一添加劑以及第二添加劑，所述第一添加劑為硼酸、偏硼酸、硼酸鹽中的至少一種，所述第二添加...

2025-09-29
正極活性材料及其制備方法、二次電池和裝置

本申請涉及正極活性材料及其制備方法、二次電池和裝置。該所述正極活性材料的化學式為Li_aNi_bCo_cMn_dAl_eA_f

2025-09-29

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