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          • 本發(fā)明涉及隱斜視檢測技術(shù)領(lǐng)域,且公開了一種視標偏振片以及基于偏振片的眼位檢測設(shè)備,包括偏振組合片,所述偏振組合片上印刷有視標層,所述偏振組合片是由帶有X軸偏光角度的X軸偏振片和帶有Y軸偏光角度的Y軸偏振片組成,所述X軸偏振片與所述Y軸偏振片...
          • 本發(fā)明提供了一種可拉伸拉鏈,包括鏈帶、安裝于所述鏈帶上的鏈牙結(jié)構(gòu)和安裝于所述鏈牙結(jié)構(gòu)上的拉頭;所述鏈帶為可拉伸鏈帶;所述鏈牙結(jié)構(gòu)與所述拉頭配合連接后,與可拉伸的所述鏈帶裝配在一起,以形成具有拉伸功能的拉鏈。本發(fā)明能夠在0?25%的應(yīng)變和應(yīng)變...
          • 本申請公開了一種量子點器件及其制備方法,該量子點器件包括襯底、半導(dǎo)體層、勢壘調(diào)控部和控制電極,半導(dǎo)體層形成于襯底一側(cè),包括源區(qū)、漏區(qū)以及位于源區(qū)和漏區(qū)之間的溝道區(qū),溝道區(qū)包括溝道本體和容納空間,溝道本體包括至少一個量子點區(qū)域,量子點區(qū)域的兩...
          • 本發(fā)明涉及一種提高SiC MOSFET飽和電流平穩(wěn)性的器件結(jié)構(gòu)及其制備方法,所述器件結(jié)構(gòu)包括襯底、漂移層、柵氧化層和柵多晶硅、場氧化層、源極以及漏極;所述漂移層包括第一N?漂移區(qū)和第二N?漂移區(qū);所述第一N?漂移區(qū)通過離子注入形成有P?bo...
          • 本發(fā)明公開了一種可降低電子元器件立碑的加工方法,包括:S1、錫膏印刷:0402元器件的焊盤設(shè)置于PCB板中心位置,錫膏絲印機將錫膏涂覆在鋼網(wǎng)表面;S2、錫膏預(yù)檢測:鋼網(wǎng)孔內(nèi)填充錫膏后,PCB板與第一視覺相機之間設(shè)置有透明片材,透明片材上設(shè)置...
          • 本發(fā)明屬于PCB生產(chǎn)技術(shù)領(lǐng)域,特別是涉及一種電路板定位方法。電路板定位方法,應(yīng)用于電路板加工設(shè)備,電路板加工設(shè)備包括第一平臺,第一平臺上設(shè)置有定位件,電路板定位方法包括:在待加工板材上建立第一直角坐標系,獲取靶孔的加工位置信息;計算待加工板...
          • 本發(fā)明公開了修復(fù)藍牙通信異常的方法和電子設(shè)備。該方法包括:獲取設(shè)備的藍牙通信文件并解析所述藍牙通信文件得到藍牙通信數(shù)據(jù);根據(jù)藍牙標準規(guī)范檢測出所述藍牙通信數(shù)據(jù)中的異常信息;根據(jù)所述異常信息通過預(yù)訓(xùn)練后的藍牙修復(fù)模型生成基于解釋性語言的目標協(xié)...
          • 本發(fā)明公開了一種智慧城市綜合安全管理遠程監(jiān)控系統(tǒng),包括:感知層、網(wǎng)絡(luò)層、平臺層和應(yīng)用層;所述感知層包括:固定類傳感器、移動類傳感器和應(yīng)急傳感器,所述應(yīng)急傳感器包括:安裝柱、控制器、對接機構(gòu)和安裝機構(gòu);對接機構(gòu)安裝在所述安裝柱的頂端;安裝機構(gòu)...
          • 本申請?zhí)岢鲆环N網(wǎng)關(guān)智能決策方法和設(shè)備,網(wǎng)關(guān)智能決策方法應(yīng)用于決策終端,該方法包括:響應(yīng)于信令代理網(wǎng)關(guān)發(fā)送的決策請求,獲取信令日志和目標數(shù)據(jù)包;基于所述信令日志獲取提示詞,并基于所述目標數(shù)據(jù)包從預(yù)設(shè)的向量數(shù)據(jù)庫獲取歷史決策信息,所述歷史決策信...
          • 本發(fā)明公開了一種基于流量檢測和攻擊圖的啟發(fā)式APT攻擊溯源方法,涉及網(wǎng)絡(luò)空間安全領(lǐng)域。本發(fā)明包括兩個階段:異常檢測階段和攻擊溯源階段,在異常檢測階段,首先從網(wǎng)絡(luò)流量中采集易于檢測的網(wǎng)絡(luò)流數(shù)據(jù)特征對特征信息開展異常檢測,生成若干異常事件;在攻...
          • 本發(fā)明提供用于監(jiān)控工藝偏差的可調(diào)式環(huán)形振蕩器及其測試方法,環(huán)形振蕩器包括多個串聯(lián)的結(jié)構(gòu)單元,每個結(jié)構(gòu)單元包括一個傳輸門和一個標準反相器,傳輸門包括第一PMOS器件、第一NMOS器件和C端,C端用于控制傳輸門中的第一PMOS器件、第一NMOS...
          • 本發(fā)明屬于光伏支架技術(shù)領(lǐng)域,具體涉及一種角度調(diào)節(jié)裝置及光伏支架,該角度調(diào)節(jié)裝置包括:第一齒輪,用以固定連接第一連接件;第二齒輪,用以固定連接第二連接件,所述第二齒輪與所述第一齒輪同軸并列設(shè)置;限位齒圈,套設(shè)于所述第一齒輪和所述第二齒輪的外周...
          • 本發(fā)明公開了一種水輪發(fā)電機勵磁系統(tǒng)散熱結(jié)構(gòu),包括碳刷支架、碳刷座以及下扇葉,碳刷支架固定安裝在基座上,碳刷支架套裝在水輪發(fā)電機的主軸外部,主軸上套裝有下扇葉,下扇葉上支撐安裝有集電環(huán),主軸穿過集電環(huán),碳刷座安裝在碳刷支架上,碳刷座位于集電環(huán)...
          • 本發(fā)明涉及無線電能傳輸技術(shù)領(lǐng)域,特別涉及一種雙目標磁集成無線充電系統(tǒng)高分辨率位置監(jiān)測方法及裝置,其中,方法包括:獲取功率發(fā)射端和功率接收端的多個電路參數(shù);基于多個電路參數(shù),計算反映功率發(fā)射端和功率接收端中心距離的映射指標,并在映射指標大于預(yù)...
          • 本申請公開了一種開關(guān)電源變換器的充電控制方法和裝置,屬于開關(guān)電源技術(shù)領(lǐng)域。所述方法包括:在電池處于涓流充電模式下,在檢測到開關(guān)電源變換器的輸出電壓小于目標電壓閾值的情況下,基于開關(guān)電源變換器的輸入電壓和輸出電壓,以及進入多個計時階段中目標階...
          • 一種并網(wǎng)型臺區(qū)微電網(wǎng)的有功?無功協(xié)同調(diào)控方法及裝置,該方法包括:將臺區(qū)微電網(wǎng)初始化,輸入臺區(qū)微電網(wǎng)參數(shù)和場景;建立臺區(qū)微電網(wǎng)優(yōu)化模型,以最小化臺區(qū)微電網(wǎng)的運營成本為目標函數(shù);考慮各器件的功率約束、可調(diào)度機組啟停約束、電池儲能裝置運行約束、分...
          • 本發(fā)明公開一種具有直流短路故障永久性判別能力的MMC控制方法,包括如下步驟:步驟一,采集MMC直流側(cè)電流,將所述直流側(cè)電流與第一閾值進行比較,若所述直流側(cè)電流大于第一閾值,則判定發(fā)生直流短路故障,閉鎖MMC所有子模塊,導(dǎo)通晶閘管環(huán),并在預(yù)設(shè)...
          • 本發(fā)明公開一種反推法水下二次分離防短路插座,包括插座殼體、前端防水部件,插座殼體內(nèi)通過絕緣體設(shè)有第一接觸件,前端防水部件包括連接筒,連接筒內(nèi)通過玻璃套設(shè)有第一對插接觸件;還包括沿前后方向浮動安裝在絕緣體與前端防水部件之間的轉(zhuǎn)接部件,轉(zhuǎn)接部件...
          • 本發(fā)明涉及一種重復(fù)制備異質(zhì)薄膜襯底的方法,包括以下步驟:S1.在原始功能襯底的拋光面外延,形成包含多層犧牲層和轉(zhuǎn)移層的外延層,制得第一外延晶片;S2.將第一外延晶片的外延面和第一異質(zhì)襯底的拋光面鍵合,制得第一鍵合結(jié)構(gòu);S3.剝離第一鍵合結(jié)構(gòu)...
          • 本發(fā)明涉及基于CFD的電子電鍍?nèi)芤号渲颇P偷臉?gòu)建方法及系統(tǒng),屬于人工智能控制與電鍍?nèi)芤号渲迫诤霞夹g(shù)領(lǐng)域。本發(fā)明通過采用鍍件電鍍膜厚閾值判別電子電鍍模組實測鍍層厚度數(shù)據(jù),并以此實測數(shù)據(jù)模擬電子電鍍?nèi)芤号渲票壤O(jiān)測半導(dǎo)體器件電子電鍍后的鍍層厚...
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