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          攝影電影;光學設備的制造及其處理,應用技術
          • 本實用新型公開了一種納米晶塊壓印機構,包括支撐架,所述支撐架的頂部設有壓印組件,所述支撐架的底部內壁固定連接有凸塊,凸塊的頂部轉動固定連接有轉動桿,轉動桿的頂端固定連接有連接板,連接板通過可拆卸的固定組件與凸塊相固定,所述連接板的兩側均固定...
          • 本申請?zhí)峁┮环N新型不透光二元光掩模制備方法,包括以下步驟:在曝光工藝中,增加曝光劑量以使曝光區(qū)域的光化學反應更充分,從而提高已曝光區(qū)域和未曝光區(qū)域溶解度的差異;在顯影工藝中,對顯影液采用噴淋方式并調節(jié)顯影液參數(shù)以確保顯影液均勻覆蓋光掩模表面...
          • 本發(fā)明提供了一種車輛底盤控制器及冷備份控制系統(tǒng)和方法,包括主控制系統(tǒng)、備份控制系統(tǒng)以及備份切換電路,主控制系統(tǒng)包括主控制器MCU1和與MCU1連接的主電源芯片SBC,備份控制系統(tǒng)包括備份控制器MCU2和與MCU2連接的備份電源,供電電源Vi...
          • 本實用新型涉及曝光機技術領域,具體涉及一種曝光機解析度提升結構,包括燈板,所述燈板的底部固定安裝有散熱器,所述燈板的頂部固定安裝有多組LED燈珠,所述燈板的頂部且位于LED燈珠的外側固定安裝有燈罩,所述燈罩的內側且位于多組LED燈珠的頂部均...
          • 本發(fā)明提供一種UV光源的復合式機械減振支撐裝置,屬于光刻設備技術領域,包括基座、UV光源和減振模塊,減振模塊包括連接件和支撐緩沖件,UV光源通過連接件連接至支撐緩沖件,支撐緩沖件環(huán)繞UV光源軸線對稱分布,支撐緩沖件還連接至基座;基座上安裝有...
          • 本申請涉及半導體集成電路制造技術領域,具體涉及一種OPC建模量測圖形數(shù)據(jù)選擇方法。方法包括:提供對應半導體器件特定層的掩模版數(shù)據(jù)文件和OPC初始模型;從掩模版數(shù)據(jù)文件中,選取實際特征尺寸屬于第一特征尺寸范圍的掩模圖形作為測試圖形,所有測試圖...
          • 一種被配置為將EUV輻射投影到襯底位置的光刻設備,該光刻設備包括:照射系統(tǒng),該照射系統(tǒng)包括用于沿著束路徑引導EUV輻射的多個反射表面;以及IR源,該IR源被配置為產生IR輻射;其中所述IR源和照射系統(tǒng)被布置為使得IR輻射沿著束路徑投影。
          • 本實用新型公開了一種底面壓印裝置,屬于壓印裝置技術領域,包括鋼帶、驅動組件、第一連接件、第二連接件和控制組件。鋼帶上印有圖案。鋼帶兩端分別連接第一連接件和第二連接件,驅動組件連接于第一連接件,驅動組件能夠驅動第一連接件轉動,第一連接件帶動鋼...
          • 本申請涉及半導體制造領域,具體地說,是涉及一種底切結構的形成方法及底切結構,該底切結構的形成方法包括:在晶圓上形成第一正性光刻膠層;對第一正性光刻膠層分別進行兩次曝光,以形成第一底部曝光圖形和第二底部曝光圖形,其中,第一底部曝光圖形和第二底...
          • 本實用新型公開了一種頂面壓印裝置,屬于壓印裝置技術領域,包括移動平臺、基座和壓輥組件,移動平臺上設置有第一驅動組件,基座通過第一驅動組件連接于移動平臺,第一驅動組件包括第一驅動件,第一驅動件能夠帶動基座沿第一方向移動,第一方向平行于壓印件的...
          • 本發(fā)明公開了一種模型性能評估方法、裝置、設備與存儲介質,屬于計算機信息處理技術領域。本發(fā)明通過獲取實驗組新模型的第一拒絕率和對照組與實驗組的實際樣本數(shù)比值,根據(jù)所述第一拒絕率和所述實際樣本數(shù)比值,計算得到對照組的還原權重,獲取對照組的壞樣本...
          • 本發(fā)明涉及一種曝光裝置、曝光方法和物品的制造方法。一種曝光裝置,使來自光源的光經由原版曝光到基板,其中,該曝光裝置具備包含與原版或者基板接觸的接觸部件的接觸機構,接觸部件至少由在與原版或者基板接觸的面附加有氮原子的氟橡膠構成。
          • 本實用新型涉及光刻膠涂布技術領域,且公開了一種光刻膠涂布裝置,包括基板,所述基板的頂部固定安裝有用于進行承載的環(huán)座,且所述環(huán)座的內部固定安裝有用于進行吸附固定的吸附座,且所述吸附座的底部與真空泵固定連接在一起,所述基板的頂部還固定安裝有用于...
          • 本發(fā)明公開了一種光刻膠剝離液組合物及其制備方法和應用,涉及光刻膠剝離材料技術領域。通過加入酰胺類溶劑,并控制其Hansen溶度參數(shù)δ達到接近光刻膠溶度參數(shù)的范圍,使得光刻膠剝離液組合物溶解光刻膠的能力達到最大化。同時由于酰胺類溶劑的存在,醇...
          • 本發(fā)明公開了一種UV?LED移動掃描式光刻方法及裝置,包括有如下步驟:選擇使用指定范圍內的UV?LED燈組從線性照度計上方勻速移動經過,各個測量單元采集其正上方的輻射照度,對應的電流調整模塊分別記錄對應的電流值;計算各自接受的累積輻射照度,...
          • 本發(fā)明提供一種低腐蝕光刻膠剝離液及其制備方法與應用,所述低腐蝕光刻膠剝離液包括重量配比如下的各組分:有機堿1?15份;胺類化合物2?10份;有機溶劑70?90份;腐蝕抑制劑0.1?4份;所述腐蝕抑制劑包括多肽類化合物和多糖化合物。本發(fā)明還公...
          • 本申請實施例提供了一種雙軸定位運動裝置,包括運動平臺、激光發(fā)射裝置、第一激光處理部件、第二激光處理部件、驅動部件和中控裝置,中控裝置與驅動部件、第一激光處理部件和第二激光處理部件塊均對應連接,以使中控裝置能夠根據(jù)第一激光處理部件、第二激光處...
          • 本申請公開一種微電子器件的制備方法,涉及半導體制造技術領域。制備方法包括:提供一基底,并在基底上涂覆預設厚度的光刻膠;對光刻膠依次進行曝光、顯影,制備獲得圖形化光刻膠;在圖形化光刻膠上進行金屬沉積,并在光刻膠剝離后形成微電子器件;其中,光刻...
          • 本公開涉及掃描曝光裝置、掃描曝光方法以及物品制造方法。掃描曝光裝置針對由照明光學系統(tǒng)照明的照明區(qū)域掃描原版,并且一邊與原版的掃描同步地掃描基板,一邊對基板進行掃描曝光。掃描曝光裝置具備:第1調整機構,在進行基板的第1區(qū)域的掃描曝光以及與第1...
          • 本公開涉及一種光掩模及其制造方法,光掩模包括:透明基板,包括相位反轉區(qū)域和與相位反轉區(qū)域相鄰的遮光區(qū)域;相位反轉膜,設置在透明基板上的相位反轉區(qū)域和遮光區(qū)域中,并且限定有在相位反轉區(qū)域中暴露透明基板的上表面的第1?1開口和在遮光區(qū)域中暴露透...
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