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            拖動滑塊完成拼圖
        
          
        
          
    
          
    
          
        
          
        
          
    
          

          














          
    
    
          
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								      本發(fā)明公開了一種顯示面板及其驅動方法。驅動方法包括：獲取第一驅動方式下的修正伽馬曲線；在第一驅動方式下，根據(jù)修正伽馬曲線驅動顯示面板進行顯示。在至少部分灰階下，根據(jù)修正伽馬曲線與標準伽馬曲線得到的實際亮度不同，因此確定的修正伽馬曲線將第一驅...
								
            
							
            
							
						
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								      本發(fā)明公開了一種顯示面板壓降的動態(tài)補償方法、動態(tài)補償裝置和顯示裝置，顯示面板壓降的動態(tài)補償方法包括：獲取顯示面板待顯示幀中每一子像素的顯示灰階；根據(jù)每一子像素的顯示灰階以及顯示面板的灰階數(shù)量、分辨率和輸入顯示面板的電源電壓的最大壓降量，確定...
								
            
							
            
							
						
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								      本公開是關于一種語音處理方法及裝置、電子設備、存儲介質。該方法可以包括：接收語音信號；獲取與所述語音信號相匹配的目標掩蔽聲；獲取與所述語音信號相位相反的反相語音信號；通過第一振動單元播放所述語音信號，以及通過第二振動單元播放所述反相語音信號...
								
            
							
            
							
						
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								      本申請公開了一種語音合成方法、裝置、設備及可讀存儲介質，電子設備預先利用包含多個音頻文本對的樣本集訓練出聲學子模型和第一聲碼器，利用聲學子模型和第一聲碼器生成第一語音合成模型，并以目標發(fā)音人的無噪聲音頻作為標簽信號微調第一語音合成模型中的第...
								
            
							
            
							
						
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								      本申請?zhí)峁┝艘环N語音識別模型的訓練方法、語音識別方法、裝置、電子設備及計算機可讀存儲介質；方法包括：初始語音識別模型對語音樣本進行特征提取，得到語音樣本特征；對語音樣本特征進行語義提取，得到語音樣本的語義特征，并基于語義特征，確定第一損失值...
								
            
							
            
							
						
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								      本發(fā)明公開了一種熱輔助磁頭，其包括滑塊以及設于滑塊的光源單元，通過提供中轉焊盤，且滑塊的第一光源焊盤與滑塊的第二光源焊盤并排設置于同一直線上，中轉焊盤不在該直線上，并使光源單元的第一極與第一光源焊盤電氣連接，光源單元的第二極與第二光源焊盤分...
								
            
							
            
							
						
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								      本公開提供一種新型無電容動態(tài)隨機存儲裝置，包括：N型寫晶體管、P型讀晶體管以及設置在N型寫晶體管和P型讀晶體管之間的互連結構，N型寫晶體管設置在P型讀晶體管的上方；N型寫晶體管的端口包括N管源極WBL端、N管漏極以及N管柵極WWL端，N型寫...
								
            
							
            
							
						
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								      本申請實施例公開一種存儲器裝置的編程方法、存儲器裝置及存儲器系統(tǒng)。該編程方法包括：對選定字線施加編程電壓；對與所述選定字線相鄰的第一字線施加第一通過電壓；及對與所述選定字線相鄰的第二字線施加第二通過電壓；其中，所述第一通過電壓與所述第二通過...
								
            
							
            
							
						
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								      本申請實施例提供一種信息處理方法、裝置和系統(tǒng)。信息處理方法由計算機執(zhí)行，包括：獲取對象在預設時間段內生命體征相關參數(shù)的數(shù)值；確定所述生命體征相關參數(shù)的數(shù)值處于預設數(shù)值區(qū)間內的時間長度；以及根據(jù)所述預設數(shù)值區(qū)間對應的所述時間長度以及所述預設數(shù)...
								
            
							
            
							
						
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								      本申請公開了一種搭扣結構及旋轉開關，涉及電氣開關技術領域，該搭扣結構包括相互配合的鎖扣件和跳扣件。鎖扣件與跳扣件處于第一搭扣狀態(tài)時，跳扣件對鎖扣件施加第一作用力，第一作用力產(chǎn)生的第一力矩能夠使鎖扣件鎖定跳扣件。鎖扣件與跳扣件處于第二搭扣狀態(tài)...
								
            
							
            
							
						
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								      本申請實施例提供一種驅動機構。該驅動機構包括轉軸模塊、鎖扣、操作件、第一彈性件和第二彈性件。鎖扣連接于轉軸模塊。操作件安裝于轉軸模塊。第一彈性件抵接操作件和轉軸模塊。第二彈性件抵接操作件和轉軸模塊。旋轉開關處于分閘狀態(tài)時，操作件能夠從第一位...
								
            
							
            
							
						
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								      本申請?zhí)峁┮环N驅動機構、旋轉開關及配電系統(tǒng)，涉及電氣設備技術領域。該驅動機構中轉軸模塊在第一位置時，殼體鎖定轉軸模塊的第一鎖定部。鎖扣連接于轉軸模塊或殼體。第一彈性件的第一端固定連接于轉軸模塊，第二端能夠在操作軸的帶動下動作，以被鎖扣鎖定。...
								
            
							
            
							
						
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								      本申請?zhí)峁┮环N驅動機構，涉及配電設備技術領域。該驅動機構應用于旋轉開關。該驅動機構包括轉軸模塊、鎖扣、操作件、第一彈性件和第二彈性件。其中，鎖扣轉動連接于轉軸模塊。操作件安裝于轉軸模塊。第一彈性件抵接操作件和轉軸模塊。第二彈性件抵接操作件和...
								
            
							
            
							
						
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								      本發(fā)明提供了一種晶圓解鍵合方法和晶圓解鍵合裝置，涉及半導體設備技術領域，提供待解鍵合晶圓，所述待解鍵合晶圓包括相貼合的第一晶圓和第二晶圓，所述第一晶圓和所述第二晶圓之間形成所述待解鍵合晶圓的鍵合層，卡盤組件吸附所述待解鍵合晶圓；利用噴頭將流...
								
            
							
            
							
						
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								      本發(fā)明提供一種硅片溫度控制方法及硅片傳送裝置、存儲介質。硅片溫度控制方法中，并行執(zhí)行步驟A和步驟B，且控制承片臺不晚于上片轉移機構到達上片交接位置，可以保證上片轉移機構到達上片交接位置后第一時間便將硅片交接給承片臺。相較于現(xiàn)有技術中按序執(zhí)行...
								
            
							
            
							
						
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								      本申請實施例提供了一種承載裝置及半導體工藝設備，涉及半導體工藝技術領域，其中，所述承載裝置包括：基座、支撐機構和夾持機構；支撐機構沿豎直方向穿設于基座，夾持機構設于基座的外周，基座能夠相對支撐機構升降；在基座由第一位置升高至第二位置的情況下...
								
            
							
            
							
						
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								      一種半導體結構及其形成方法，其中，形成方法包括：提供初始襯底；對所述初始襯底進行預埋處理以形成第一晶圓，所述第一晶圓包括基底、位于所述基底上的剝離層以及位于所述剝離層上的有源層；提供第二晶圓，所述第二晶圓包括襯底以及所述襯底上的第一器件層；...
								
            
							
            
							
						
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								      一種半導體結構及其形成方法，其中形成方法包括：提供第一襯底；在所述第一襯底上形成剝離層；在所述剝離層表面形成第一互連層，所述互連層包括與所述剝離層相接觸的剝離面；提供第二晶圓；將所述第一襯底與所述第二晶圓鍵合，使所述第一互連層與所述第二晶圓...
								
            
							
            
							
						
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								      一種半導體結構及其形成方法、封裝結構及方法，半導體結構包括：基底，基底中形成有多個相間隔的互連層；互連焊墊，位于互連層上且與互連層電連接；導電層，位于基底中，導電層包括相連的多個環(huán)狀結構，環(huán)狀結構環(huán)繞互連焊墊。本發(fā)明有利于提高半導體結構的形...
								
            
							
            
							
						
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								      一種半導體結構及其形成方法，形成方法包括：提供基底；在基底上形成互連金屬層；形成覆蓋互連金屬層的平坦化層，平坦化層與互連金屬層電連接；在平坦化層頂部形成互連通孔結構，互連通孔結構與平坦化層電連接。本發(fā)明有利于保障半導體結構的性能。
								
            
							
            
							
						
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