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最新專利技術

一種輸電線路全方位監(jiān)測方法、裝置、設備及介質

本申請涉及電力設備監(jiān)測技術領域，尤其涉及一種輸電線路全方位監(jiān)測方法、裝置、設備及介質，在輸電線路上按照預設間距分布式部署多個監(jiān)測節(jié)點；所述監(jiān)測節(jié)點包括定位單元、加速度計和風速監(jiān)測單元，通過對所述監(jiān)測節(jié)點采集的各類數據進行分析，實現對線路弧垂...

2025-10-01
多類型計量儀表協議解析方法、系統、設備及存儲介質

本發(fā)明涉及通信技術領域，具體提供一種多類型計量儀表協議解析方法、系統、設備及存儲介質，包括：依據預先建立的監(jiān)控對象與計量儀表類型對應關系，確定目標監(jiān)控對象對應的計量儀表類型，選定為目標計量儀表。接著，收集目標計量儀表的身份信息，利用此信息從...

2025-10-01
基于智能激光攝像頭空中多維屏幕成像電腦手機一體機

本發(fā)明公開了基于智能激光攝像頭空中多維屏幕成像電腦手機一體機，涉及多維屏幕成像電腦手機一體機技術領域，包括激光投影模塊、環(huán)境監(jiān)測模塊、動態(tài)校正模塊、手勢識別模塊、用戶交互反饋模塊以及圖像重建優(yōu)化模塊；所述激光投影模塊，用于采用高頻率激光調制...

2025-10-01
一種基于頻率感知的特征提取和熵模型構建的屏幕內容圖像壓縮方法及系統

本發(fā)明涉及一種基于頻率感知的特征提取和熵模型構建的屏幕內容圖像壓縮方法及系統；包括：分析變換分頻：輸入原始屏幕內容圖像，得到多頻潛在特征；頻率感知熵模型與量化：輸入多頻潛在特征，得到量化后的多頻潛在特征，進行熵編碼和熵解碼；超先驗分析變換分...

2025-10-01
用于fgOTN系統的帶寬調整方法及裝置

一種用于fgOTN系統的帶寬調整方法及裝置。其中，低階細粒度業(yè)務速率調整采用瞬時調整方式，結合緩存容量調整技術來吸收細粒度業(yè)務速率瞬時調整帶來的線路抖動和沖擊，保證了帶寬調整過程中業(yè)務平穩(wěn)過渡；同時以req的計數值作為判斷是否進行高階業(yè)務時...

2025-10-01
一種基于壓電效應的跨介質通信方法、系統、設備及介質

本發(fā)明涉及跨介質通信技術領域，公開一種基于壓電效應的跨介質通信方法、系統、設備及介質，系統包括：壓電機械天線用于通過機械振動產生超聲波并進一步轉化為電磁輻射，實現跨介質通信；匹配網絡連接壓電機械天線和超高壓驅動器，用于優(yōu)化驅動電路與壓電機械...

2025-10-01
對講機的任務派發(fā)方法、系統及相關設備

本發(fā)明提供了一種對講機的任務派發(fā)方法、系統及相關設備，方法包括提供主機對講機、若干的子對講機以及PC端設備；將所述主機對講機和若干的所述子對講機進行組網；在所述PC端設備中安裝工單系統程序，并將所述主機對講機連接所述PC端設備；在所述PC端...

2025-10-01
一種基于邊緣計算的低空目標數據管理融合系統

本發(fā)明屬于低空技術領域，公開了一種基于邊緣計算的低空目標數據管理融合系統，包括邊緣數據采集模塊、實時預處理模塊、多源數據融合模塊、動態(tài)資源調度模塊、智能決策支持模塊、安全防護模塊和遠程監(jiān)控模塊。本發(fā)明，實現了對低空目標多源異構數據的全面采集...

2025-10-01
一種基于卷積神經網絡的超寬帶定位方法及設備

本發(fā)明屬于超寬帶定位技術領域，具體為一種基于卷積神經網絡的超寬帶定位方法及設備。本發(fā)明定位方法包括獲取超寬帶的信道沖激響應（CIR）信息數據，使用預先訓練的卷積神經網絡模型對其中非視距（NLOS）的信號進行識別與剔除，對剩下的有效信號按照個...

2025-10-01
基于大語言模型的粒子加速器系統環(huán)路參數在線智能調控方法及裝置

本發(fā)明公開的一種基于大語言模型的粒子加速器系統環(huán)路參數在線智能調控方法及裝置，包括：實時獲取射頻腔的腔體運行數據，計算出當前腔體的系統狀態(tài)參數，并判斷是否滿足調優(yōu)終止條件，不滿足則繼續(xù)；將系統狀態(tài)參數以及PI參數調優(yōu)目標轉化為自然語言描述的...

2025-10-01
一種高可靠性半孔槽AI算力卡PCB的制造方法

本發(fā)明涉及一種高可靠性半孔槽AI算力卡PCB的制造方法，先進行前工序處理，包括基板開料等；接著激光鉆孔，控制孔徑公差±12.5um，經等離子清洗后填孔電鍍，形成18μm銅層，再減銅；之后外層鉆孔，控制孔位精度±0.075mm，經板電鍍銅、外...

2025-10-01
一種數據中心的液冷系統

本發(fā)明提供了一種數據中心的液冷系統。液冷系統包括機柜和連接于機柜的液冷機構；液冷機構包括至少部分安裝在機柜內的一次側循環(huán)管路、循環(huán)路徑獨立于一次側循環(huán)管路的二次側循環(huán)管路及連接在一次側循環(huán)管路和二次側循環(huán)管路上的板換；板換固定于機柜內，用于...

2025-10-01
閃存器件及其制備方法

本申請?zhí)峁┮环N閃存器件及其制備方法，在制備方法中，通過刻蝕淺溝槽隔離結構，使得超出所述襯底表面的所述淺溝槽隔離結構在橫向上的關鍵尺寸進一步收縮，接著繼續(xù)向下刻蝕部分淺溝槽隔離結構，以形成第二溝槽，然后在第二溝槽中淀積ONO膜層并填充控制柵層...

2025-10-01
分柵快閃存儲器及其制造方法

本發(fā)明提供的一種分柵快閃存儲器及其形成方法，通過將浮置柵極的一部分置于溝槽內，并在其側旁形成源極線路多晶硅，構建了立體的源極?浮置柵極耦合結構。這種設計能夠在不犧牲甚至優(yōu)化耦合系數的前提下，有效減小浮置柵極在平面上的尺寸，從而極大地有利于實...

2025-10-01
金屬-絕緣體-金屬電容器的制造方法

本發(fā)明提供一種金屬?絕緣體?金屬電容器的制造方法。該方法包括：提供襯底，依次形成絕緣層和下電極金屬層，并對下電極金屬層進行第一熱退火；在下電極金屬層上形成電介質層，并在含氧氣氛下對電介質層進行第二熱退火；在電介質層上形成上電極金屬層，并對上...

2025-10-01
半導體器件及其制備方法

本申請?zhí)峁┮环N半導體器件及其制備方法，制備方法中，通過在濕法刻蝕去除低壓器件區(qū)的第二柵氧化層和第一柵氧化層之前，采用LPCVD工藝形成一層致密的第二柵氧化層，致密的第二柵氧化層和第一柵氧化層的組合可以避免在濕法過刻蝕時，濕法藥液誤蝕刻襯底進...

2025-10-01
雙極晶體管與場效應晶體管的集成方法

本發(fā)明提供一種雙極晶體管與場效應晶體管的集成方法，在半導體襯底上執(zhí)行雙極晶體管埋層離子注入，之后在襯底上形成外延層并在外延層上形成器件隔離結構；在襯底上執(zhí)行場效應晶體管器件制造工藝；在場效應晶體管器件制造完成后，通過多步不同能量梯度的離子注...

2025-10-01
雙向可控硅整流器器件

本發(fā)明公開了一種雙向可控硅整流器器件。該器件為對稱結構，包括中央第一導電類型阱區(qū)(接第一端)及兩側的側翼第一導電類型阱區(qū)(接第二端)，并設置有內側和外側第二導電類型阱區(qū)。關鍵在于，在第一導電類型阱區(qū)內設置浮空的第一導電類型重摻雜區(qū)域，用于提...

2025-10-01
可控硅整流器靜電保護器件

本申請公開了一種可控硅整流器靜電保護器件，包括：第一導電類型襯底；第一導電類型外延層(PEPI)；以及設置在PEPI內的第一導電類型阱區(qū)(PW)和第二導電類型阱區(qū)(NW)。關鍵在于，器件還包括設置在PW內且至少一部分橫跨PW/PEPI結區(qū)的...

2025-10-01
電氣過應力防護器件及其進行電氣過應力防護的方法

本發(fā)明提供一種EOS防護器件。包括中心區(qū)域和鄰近區(qū)域。中心區(qū)域含第一、二導電類型阱區(qū)，僅形成有第二導電類型重摻雜區(qū)，位于兩種阱區(qū)內。鄰近區(qū)域含第一、二導電類型阱區(qū)，兩種阱區(qū)內均形成有第一和第二導電類型的重摻雜區(qū)。通過控制鄰近區(qū)域阱間距D2大...

2025-10-01

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