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								      本發(fā)明屬于水生植物種植技術(shù)領(lǐng)域，具體地說(shuō)是一種裝配式水生植物種植裝置，包括固定桿；所述固定桿中部轉(zhuǎn)動(dòng)連接有套筒；所述套筒頂部固接有轉(zhuǎn)動(dòng)塊；所述固定桿端部轉(zhuǎn)動(dòng)連接有支撐桿；所述支撐桿端部固接有安裝塊；所述套筒外側(cè)壁設(shè)有雙向螺紋槽；所述安裝塊安...
								
            
							
            
							
						
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								      本發(fā)明公開(kāi)了一種具備水量監(jiān)測(cè)預(yù)警功能的自動(dòng)化智能花盆，涉及智能花盆技術(shù)領(lǐng)域，包括：花盆主體，用于采用一體化設(shè)計(jì)，整合儲(chǔ)水、種植及灌溉功能；智能控制器，用于安裝在花盆主體內(nèi)部，集成環(huán)境數(shù)據(jù)采集、灌溉邏輯判斷、預(yù)警觸發(fā)及通信交互功能，采集土壤濕...
								
            
							
            
							
						
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								      本發(fā)明公開(kāi)了一種煙草種苗種植設(shè)備，涉及煙草種植技術(shù)領(lǐng)域；而本發(fā)明包括種植機(jī)構(gòu)，種植機(jī)構(gòu)的下端一側(cè)設(shè)有留樣機(jī)構(gòu)，且留樣機(jī)構(gòu)上設(shè)有配合使用的限位機(jī)構(gòu)，種植機(jī)構(gòu)的下端另一側(cè)設(shè)有對(duì)標(biāo)機(jī)構(gòu)，且對(duì)標(biāo)機(jī)構(gòu)與留樣機(jī)構(gòu)配合使用；通過(guò)種植機(jī)構(gòu)的設(shè)置使用，能夠便...
								
            
							
            
							
						
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								      本發(fā)明公開(kāi)了一種雙腔結(jié)構(gòu)式供種裝置及方法，包括大種箱、種子雙腔分配裝置、單體種箱和精量排種器，所述的大種箱底部通過(guò)螺栓固定種子雙腔分配裝置，種子雙腔分配裝置通過(guò)卡扣組合成一體，其出口處通過(guò)通風(fēng)軟管與單體種箱連接，單體種箱下方出口連接精量排種...
								
            
							
            
							
						
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								      本發(fā)明涉及土壤功能提升技術(shù)領(lǐng)域，具體為一種基于生物炭基有機(jī)肥的稻田土壤增碳擴(kuò)容方法。方法包括：將生物質(zhì)原料破碎、熱解冷卻后獲得生物炭；將生物炭浸沒(méi)于含有放線菌和芽孢桿菌的功能菌液中活化處理，得到改性生物炭；將改性生物炭與腐熟秸稈混合堆肥發(fā)酵...
								
            
							
            
							
						
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								      本發(fā)明公開(kāi)了一種大蒜播種機(jī)，屬于農(nóng)業(yè)播種設(shè)備領(lǐng)域，包括旋耕結(jié)構(gòu)、固定塊、機(jī)架、起壟結(jié)構(gòu)、播種結(jié)構(gòu)、鎮(zhèn)壓結(jié)構(gòu)、連接桿、拉緊結(jié)構(gòu)。本發(fā)明采用可拆卸的拉緊結(jié)構(gòu)和固定塊實(shí)現(xiàn)了對(duì)旋耕結(jié)構(gòu)、起壟結(jié)構(gòu)和播種結(jié)構(gòu)的快速連接與更換。該設(shè)計(jì)利用拉緊結(jié)構(gòu)的可調(diào)節(jié)...
								
            
							
            
							
						
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								      本發(fā)明提出一種光憶阻器及基于光憶阻器的智能監(jiān)控方法，該方法通過(guò)在不同監(jiān)控區(qū)域搭建若干邊緣節(jié)點(diǎn)，并在每個(gè)邊緣節(jié)點(diǎn)部署多模態(tài)傳感器陣列、光憶阻器陣列、GCN模型以及分類器；通過(guò)多模態(tài)傳感器陣列采集多模態(tài)數(shù)據(jù)，并建立圖結(jié)構(gòu)；將圖結(jié)構(gòu)輸入至GCN模...
								
            
							
            
							
						
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								      本申請(qǐng)涉及柔性有機(jī)太陽(yáng)能電池技術(shù)領(lǐng)域，其具體地公開(kāi)了一種柔性O(shè)PV卷對(duì)卷生產(chǎn)高光譜在線監(jiān)測(cè)與智能調(diào)控方法及系統(tǒng)，融合快照式高光譜成像、干燥速度量化與雙機(jī)器學(xué)習(xí)模型，實(shí)現(xiàn)柔性O(shè)PV卷對(duì)卷生產(chǎn)的干燥過(guò)程智能調(diào)控。通過(guò)單幀高光譜圖像同步捕獲濕膜/...
								
            
							
            
							
						
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								      本發(fā)明公開(kāi)了一種電極降溫裝置及帶長(zhǎng)條狀電極結(jié)構(gòu)的LED芯片，屬于半導(dǎo)體芯片技術(shù)領(lǐng)域，包括吸熱片、P型降溫半導(dǎo)體、散熱片、進(jìn)電組件、N型降溫半導(dǎo)體、導(dǎo)電組件和出電組件，進(jìn)電組件上端側(cè)邊安裝有N型降溫半導(dǎo)體，進(jìn)電組件右表面上安裝有散熱片，出電組...
								
            
							
            
							
						
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								      本公開(kāi)涉及太陽(yáng)能電池技術(shù)領(lǐng)域，公開(kāi)了背接觸太陽(yáng)能電池和電池組件。電池包括具有受光面和背光面的電池基體，背光面包括交替排布的第一極性區(qū)和第二極性區(qū)，第一極性區(qū)和第二極性區(qū)之間具有隔離區(qū)，電池基體還包括：由第一極性區(qū)和/或第二極性區(qū)的表面朝向隔...
								
            
							
            
							
						
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								      本申請(qǐng)實(shí)施例提供了一種光伏電池片以及光伏組件。所述光伏電池片包括：硅基底，所述硅基底包括沿第一方向背離設(shè)置的第一表面和第二表面，以及連接第一表面和第二表面的側(cè)表面，側(cè)表面包括切割面；其中，切割面包括：鄰近第一表面的切割邊緣、鄰近第二表面的斷...
								
            
							
            
							
						
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								      本發(fā)明涉及太陽(yáng)電池領(lǐng)域，公開(kāi)一種異質(zhì)結(jié)太陽(yáng)電池及其制備方法、光伏組件。包括：硅基底；設(shè)于硅基底的受光面的第一本征鈍化層，第一本征鈍化層分為第一區(qū)域、第二區(qū)域以及位于兩個(gè)區(qū)域之間的隔離區(qū)域；圖形化的第一摻雜層，第一摻雜層設(shè)于第一區(qū)域的第一本征...
								
            
							
            
							
						
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								      本發(fā)明公開(kāi)了一種太陽(yáng)能電池和光伏組件，涉及太陽(yáng)能電池技術(shù)領(lǐng)域，以解決如何提高太陽(yáng)能電池的光電轉(zhuǎn)換效率的問(wèn)題。所述太陽(yáng)能電池包括：第一鈍化接觸結(jié)構(gòu)形成在半導(dǎo)體基底的第一面；第一匯流電極和第一集電電極形成在第一鈍化接觸結(jié)構(gòu)上方；至少部分第一匯流...
								
            
							
            
							
						
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								      本公開(kāi)涉及太陽(yáng)能電池技術(shù)領(lǐng)域，公開(kāi)了一種背接觸太陽(yáng)能電池及其制備方法。電池包括：基底層；第一摻雜區(qū)和第二摻雜區(qū)，交替設(shè)置于基底層的背光面一側(cè)；隔離凹槽，位于相鄰的第一摻雜區(qū)和第二摻雜區(qū)之間并深入基底層內(nèi)；隔離凹槽的至少一個(gè)側(cè)壁包括第一斷面、...
								
            
							
            
							
						
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								      本發(fā)明涉及光電探測(cè)器技術(shù)領(lǐng)域，公開(kāi)了一種氧化鎵硅基集成日盲紫外圖像傳感器及其制備方法。氧化鎵硅基集成日盲紫外圖像傳感器的制備方法，包括以下步驟：S100、制備硅基底電極；S200、在硅基底電極的像素區(qū)的電極上磁控濺射沉積氧化鎵薄膜，以實(shí)現(xiàn)低...
								
            
							
            
							
						
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								      本公開(kāi)涉及太陽(yáng)能電池技術(shù)領(lǐng)域，公開(kāi)了背接觸太陽(yáng)能電池及其制備方法、電池組件。背接觸太陽(yáng)能電池包括：基底層、第一極性結(jié)構(gòu)、第二極性結(jié)構(gòu)和隔離凹槽，基底層包括相對(duì)設(shè)置的受光面和背光面；第一極性結(jié)構(gòu)和第二極性結(jié)構(gòu)交替形成于基底層的背光面一側(cè)；隔離...
								
            
							
            
							
						
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								      本公開(kāi)的實(shí)施例提供一種半導(dǎo)體器件和芯片，涉及半導(dǎo)體技術(shù)領(lǐng)域，用于實(shí)現(xiàn)增強(qiáng)型和耗盡型的單片集成；該半導(dǎo)體器件包括襯底、溝道層、勢(shì)壘層、柵極層、第一帽層和第二帽層；溝道層和勢(shì)壘層層疊設(shè)置于襯底上，勢(shì)壘層相比溝道層遠(yuǎn)離襯底；柵極層設(shè)于勢(shì)壘層遠(yuǎn)離溝...
								
            
							
            
							
						
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								      本發(fā)明提供了一種Fin Fet器件及其制造方法，涉及半導(dǎo)體器件技術(shù)領(lǐng)域，包括自下而上設(shè)置的：襯底；外延層，位于襯底的上面；鰭狀阱區(qū)，位于外延層的上面，鰭狀阱區(qū)包括沿著第一方向并排形成的多個(gè)鰭片且其鰭片向第二方向延伸，第二方向與第一方向垂直，...
								
            
							
            
							
						
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								      本公開(kāi)提供一種半導(dǎo)體器件、功率模組和電子設(shè)備，涉及半導(dǎo)體技術(shù)領(lǐng)域，用于在提升半導(dǎo)體器件擊穿電壓的同時(shí)降低其動(dòng)態(tài)導(dǎo)通電阻；該半導(dǎo)體器件包括襯底、緩沖層、溝道層、勢(shì)壘層、勢(shì)壘調(diào)制層、柵極、源極和漏極；其中，緩沖層中摻雜受主元素，緩沖層包括第一受...
								
            
							
            
							
						
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								      本申請(qǐng)?zhí)峁┝艘环NGaN HEMT器件，包括：低阻的第二摻雜類型的襯底；接地的背面接地金屬，形成在襯底的背側(cè)；第一摻雜類型的緩沖層；?GaN HEMT結(jié)構(gòu)層，GaN HEMT結(jié)構(gòu)層包括有源區(qū)和高阻區(qū)；第一深孔，自所述高阻區(qū)的上表面向下形成，且...
								
            
							
            
							
						
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