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          • 本公開提供了一種改善綁定失效的芯片封裝結(jié)構(gòu)和電子設(shè)備,屬于電力電子領(lǐng)域。該芯片封裝結(jié)構(gòu)包括:封裝芯片和封裝框架,所述封裝芯片的第一表面具有電極,所述封裝框架與所述第一表面相對的表面具有與所述電極一一對應(yīng)的焊點(diǎn);所述電極包括第一金屬層和第二金...
          • 本發(fā)明公開了一種含硝酸鋰的碳酸酯基電解液及制備方法和鋰金屬電池、鋰離子電池,涉及電池技術(shù)領(lǐng)域。該電解液包括:碳酸酯類溶劑、鋰鹽、LiNO3添加劑以及非極性陰離子受體添加劑;非極性陰離子受體添加劑的含量為1vol%?10...
          • 本發(fā)明公開一種方形動(dòng)力電池,包括用于放置極組的金屬材質(zhì)的矩形狀的頂端及底端均敞口的殼體、用于裝配在所述殼體的頂端的頂蓋以及裝配在所述殼體的底端的底蓋,所述殼體的內(nèi)部矩形空間通過金屬材質(zhì)的隔斷形成多個(gè)與電芯極組形狀相適應(yīng)的用于分開放置電芯極組...
          • 本發(fā)明屬于雙層結(jié)構(gòu)的差分濾波器技術(shù)領(lǐng)域,公開了一種基于雙層結(jié)構(gòu)的小型化雙通帶微帶差分濾波器,在上下金屬鍍層上主要由半波長階躍阻抗諧振器和開路枝節(jié)微帶線組成,其中兩個(gè)對稱的諧振器結(jié)構(gòu)關(guān)于金屬接地板中心對稱布置,兩個(gè)開路枝節(jié)微帶線在半波長階躍阻...
          • 本發(fā)明公開了一種靜電放電試驗(yàn)發(fā)生器回路電纜支撐設(shè)備,包括固定支架,所述固定支架頂端安裝有固定座,所述固定座可調(diào)節(jié)的轉(zhuǎn)動(dòng)安裝有調(diào)節(jié)座,所述調(diào)節(jié)座安裝有彎管組件,所述彎管組件開設(shè)有供電纜貫穿的中空結(jié)構(gòu)。本發(fā)明,不破壞原有回路電纜,只需要把回路電...
          • 本發(fā)明涉及光伏發(fā)電技術(shù)領(lǐng)域,公開了一種基于時(shí)空特征融合的光伏發(fā)電功率預(yù)測方法,包括:獲取原始信號,采用CPO算法優(yōu)化VMD的模態(tài)數(shù)目K和帶寬約束α;將所述模態(tài)數(shù)目K和帶寬約束α作為VMD算法的輸入?yún)?shù),將所述原始信號分解為多個(gè)模態(tài)分量;針對...
          • 本申請涉及數(shù)據(jù)處理技術(shù)領(lǐng)域,公開了一種光伏電站監(jiān)控系統(tǒng)計(jì)劃曲線生成與管理方法及系統(tǒng)。該方法包括:通過采集光伏電站環(huán)境、設(shè)備和電網(wǎng)調(diào)度數(shù)據(jù),進(jìn)行濾波、去噪和異常值處理,生成預(yù)處理后的數(shù)據(jù)集。利用時(shí)間序列分析與氣象數(shù)據(jù)進(jìn)行發(fā)電量預(yù)測,接收電網(wǎng)調(diào)...
          • 本發(fā)明公開了一種具備構(gòu)網(wǎng)特性的雙饋重力儲能系統(tǒng)協(xié)同控制方法和裝置,包括根據(jù)基于鎖相環(huán)獲取的定子側(cè)的電壓頻率確定定子側(cè)輸出的電壓相位;根據(jù)所述電壓相位,將預(yù)先獲取的定子側(cè)靜止兩相電壓進(jìn)行坐標(biāo)轉(zhuǎn)換得到兩相旋轉(zhuǎn)坐標(biāo)系下的d軸電壓;基于定子側(cè)輸出電...
          • 本發(fā)明屬于儲能型靜態(tài)無功補(bǔ)償領(lǐng)域,具體涉及一種基于儲能型靜止同步調(diào)相機(jī)的有功支撐控制方法及系統(tǒng)。包括根據(jù)MMC交流電壓角度和MMC電壓參考幅值計(jì)算電壓參考值;該角度在構(gòu)網(wǎng)控制時(shí)根據(jù)參考功率和儲能閥與電網(wǎng)交換的實(shí)際功率間的差異進(jìn)行虛擬同步控制...
          • 本發(fā)明公開的屬于能量回收技術(shù)領(lǐng)域,具體為一種混合儲能的推進(jìn)器智能能量回收系統(tǒng)及方法,包括磁致動(dòng)態(tài)耦合發(fā)電模塊,用于在推進(jìn)器槳葉末端精心集成高性能永磁體陣列,以及在外圍環(huán)形定子線圈采用分布式繞組設(shè)計(jì);混合儲能與動(dòng)態(tài)調(diào)節(jié)模塊,用于根據(jù)超級電容與...
          • 本發(fā)明涉及一種基于自檢測同步整流的LLC諧振軟開關(guān)變換器及其控制方法。該變換器包括LLC諧振電路、次級帶中間抽頭的變壓器、自檢測同步整流電路、輸入濾波電路、輸出濾波電路、LLC諧振控制電路、初級PFM驅(qū)動(dòng)電路、光耦隔離電路、輸出電壓采樣電路...
          • 本申請公開了一種隨機(jī)調(diào)制的時(shí)鐘展頻裝置及電源芯片,其中裝置包括一種隨機(jī)調(diào)制的時(shí)鐘展頻裝置,其特征在于,包括:分頻器電路,用于接收振蕩器電路在t?1調(diào)制周期輸出的第一脈沖信號;M序列產(chǎn)生電路,用于根據(jù)第一脈沖信號,生成t?1調(diào)制周期的隨機(jī)數(shù)字...
          • 本申請?zhí)峁┝艘环N基于非地面網(wǎng)絡(luò)的頻譜資源分配方法及相關(guān)設(shè)備,方法包括:建立分層架構(gòu)的星地通信系統(tǒng),將所述星地通信系統(tǒng)分為全局層、局部層和本地層;構(gòu)建用于頻譜分配的馬爾科夫決策過程模型;根據(jù)分層強(qiáng)化學(xué)習(xí)架構(gòu),在全局層、局部層和本地層分別設(shè)置對...
          • 本發(fā)明公開了一種基于多維度的安全事件分級響應(yīng)及處置方法,根據(jù)潛在攻擊事件的漏洞等級、潛在被攻擊目標(biāo)的影響范圍、重要程度和涉及的用戶量級,分別進(jìn)行分類,并對每個(gè)類別賦予不同的權(quán)重;構(gòu)建潛在攻擊事件的漏洞等級、潛在被攻擊目標(biāo)的影響范圍、重要程度...
          • 本發(fā)明涉及人工智能技術(shù)領(lǐng)域,尤其涉及一種系統(tǒng)故障預(yù)測方法、裝置、設(shè)備及介質(zhì)。應(yīng)用于醫(yī)療領(lǐng)域,本申請中,對運(yùn)行源數(shù)據(jù)進(jìn)行特征提取,得到運(yùn)行時(shí)序特征,對監(jiān)控源數(shù)據(jù)進(jìn)行特征提取,得到監(jiān)控時(shí)序特征,對日志源數(shù)據(jù)進(jìn)行特征提取,得到日志統(tǒng)計(jì)特征,對網(wǎng)絡(luò)...
          • 本發(fā)明涉及攝像頭裝飾件及攝像頭裝飾件加工方法,攝像頭裝飾件包括本體部以及環(huán)繞本體部設(shè)置的側(cè)邊部,本體部和側(cè)邊部圍設(shè)形成收容空間,收容空間至少用于收容攝像頭模組,本體部上開設(shè)有鏡片槽以及至少一個(gè)通孔,側(cè)邊部包括自上而下依次設(shè)置的第一側(cè)邊部和第...
          • 本發(fā)明涉及音量調(diào)節(jié)技術(shù)領(lǐng)域,具體公開了一種基于MEMS耳機(jī)的音量智能調(diào)節(jié)方法系統(tǒng)及存儲介質(zhì),所述方法包括以下步驟:獲取聲音信號在時(shí)間窗口內(nèi)的聲學(xué)特征,基于聲學(xué)特征獲取實(shí)際聲音強(qiáng)度;基于實(shí)際聲音強(qiáng)度與用戶歷史音量偏好數(shù)據(jù)進(jìn)行匹配,確定當(dāng)前播放...
          • 本發(fā)明提供了一種用于多網(wǎng)絡(luò)環(huán)境的資源管理方法及系統(tǒng),方法包括:智能終端設(shè)備啟動(dòng)后,進(jìn)行初始化;其中,智能終端設(shè)備包括5G模塊、FTTR模塊和AI處理模塊;采集5G模塊的第一網(wǎng)絡(luò)數(shù)據(jù)、FTTR模塊的第二網(wǎng)絡(luò)數(shù)據(jù)和用戶業(yè)務(wù)需求數(shù)據(jù)發(fā)送至AI處理...
          • 本公開提供了一種量子點(diǎn)器件及其制備方法、電子設(shè)備,該量子點(diǎn)器件的量子點(diǎn)器件的量子點(diǎn)區(qū)域的離子注入濃度低于非量子點(diǎn)區(qū)域的離子注入濃度。本公開通過針對性提高非量子點(diǎn)區(qū)域的離子注入濃度,在相同柵壓情況下量子點(diǎn)區(qū)域要實(shí)現(xiàn)反型需要的柵壓降低,在同等柵...
          • 本公開提供一種具有背面疊層SE結(jié)構(gòu)的硅片,硅片背面具有疊加的遂穿氧化層和本征聚硅層。本公開還提供一種TOPCon太陽能電池、TOPCon太陽能電池的制備方法。制備方法包括以下步驟:一次沉積遂穿氧化層、本征聚硅層和氧化層的步驟、使用高能激光雕...
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