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          • 本發(fā)明涉及阻隔避光包裝材料技術(shù)領(lǐng)域,且公開了一種高阻隔避光薄膜及制備工藝,包括:制備肉桂酸甲酯基硅烷偶聯(lián)劑;通過肉桂酸甲酯基硅烷偶聯(lián)劑的甲氧基發(fā)生水解反應(yīng)得到的Si?OH官能團(tuán)與親水性納米二氧化鈦帶有的?OH官能團(tuán)發(fā)生脫水縮合反應(yīng),將肉桂酸...
          • 本發(fā)明涉及機(jī)器人領(lǐng)域,尤其是一種防護(hù)機(jī)構(gòu)、攝像頭以及樓宇巡檢機(jī)器人,包括,基礎(chǔ)支撐,所述基礎(chǔ)支撐上具有安裝被防護(hù)件的安裝區(qū)域;設(shè)置于安裝區(qū)域側(cè)部的開合部,所述開合部呈蓮花狀,且所述開合部具有收攏和展開兩種狀態(tài),在收攏狀態(tài)下,所述開合部至少覆...
          • 本發(fā)明公開了一種具有桁架機(jī)器人和水平出入室體的盤類件油漆生產(chǎn)線,其特征是油漆生產(chǎn)線包括設(shè)備模塊和桁架機(jī)器人,通過芯軸裝置將盤類件與芯軸挷定,水平出入室體模塊包括水平室體、水平入口、水平出口和水平輸送裝置,水平輸送裝置包括室外始端和室外尾端;...
          • 一種外墻板生產(chǎn)用聚氨酯涂布裝置,包括電鍍箱,電鍍箱內(nèi)轉(zhuǎn)動設(shè)有滾鍍機(jī)構(gòu),滾鍍機(jī)構(gòu)包括滾鍍筒,滾鍍筒內(nèi)陣列設(shè)有圓周分布的分層組件。本發(fā)明通過分層組件能夠?qū)⑺写婂冦T釘均勻分布在不同的層級之間,所有分層組件內(nèi)的鉚釘均在當(dāng)前空間內(nèi)滾動,不存在上下...
          • 一種用于催化乙腈與丙烯腈合成戊二腈的固體酸堿雙功能催化劑及其制備方法,其屬于精細(xì)化工合成技術(shù)領(lǐng)域。該催化劑突破均相催化體系難以循環(huán)利用的技術(shù)瓶頸,首先將1,5,7?三氮雜二環(huán)[4.4.0]癸?5?烯(TBD)作為雙功能催化劑中Lewis堿性...
          • 本發(fā)明公開了一種適用于主被動康復(fù)訓(xùn)練的主被動模式轉(zhuǎn)換系統(tǒng)及方法,系統(tǒng)包括電流采集器、編碼器、電機(jī)驅(qū)動器、直流電機(jī)和主控制器;電機(jī)驅(qū)動器根據(jù)電流采集器和編碼器輸出信號分別求解得到直流電機(jī)的實(shí)時電流和輸出的實(shí)時轉(zhuǎn)速;主控制器通過實(shí)時電流、實(shí)時轉(zhuǎn)...
          • 本發(fā)明涉及心電監(jiān)測技術(shù)領(lǐng)域,更具體地說,本發(fā)明提供了一種動態(tài)心電檢查佩戴監(jiān)護(hù)系統(tǒng)及其方法,該系統(tǒng)包括:心電監(jiān)測模塊,用于患者佩戴獲取心電數(shù)據(jù),所述心電監(jiān)測模塊包括記錄儀和傳感器,所述記錄儀和傳感器佩戴在患者身上,通過記錄儀實(shí)時采集心電數(shù)據(jù)。...
          • 本發(fā)明公開了一種多腦區(qū)電極整體構(gòu)件及其制作與植入方法,該構(gòu)件包括:多腦區(qū)電極支架,支架上設(shè)置有多腦區(qū)電極插孔,多腦區(qū)電極插孔為穿過所述多腦區(qū)電極支架的通孔,且彼此相互平行;夾持桿,固定在多腦區(qū)電極支架上;多腦區(qū)電極垂直穿過所述多腦區(qū)電極插孔...
          • 本發(fā)明屬于種植技術(shù)領(lǐng)域,公開了一種能促進(jìn)百合二代種球膨大的外源處理方法,本發(fā)明將百合二代種球種植在品氏泥炭土中,在百合地上部分長至20cm左右時,用蘋果酸溶液外源澆灌處理,每兩周澆灌一次。本發(fā)明采用蘋果酸溶液外源澆灌植株,與對照組相比,處理...
          • 本發(fā)明的一種基于石墨烯插層的黑磷體光伏型探測器及其制備方法,從下到上包含低阻硅/二氧化硅基底、左接觸電極和右接觸電極和三明治結(jié)構(gòu)層;所述左接觸電極和右接觸電極沉積在所述低阻硅/二氧化硅基底上,兩者之間形成導(dǎo)電溝道結(jié)構(gòu);三明治結(jié)構(gòu)層為上層黑磷...
          • 本發(fā)明提供了一種硅基和砷化鎵基射頻芯片的三維異質(zhì)集成結(jié)構(gòu)及方法,所述結(jié)構(gòu)包括:印刷電路板,具有第一焊盤區(qū)和環(huán)繞第一焊盤區(qū)的第二焊盤區(qū);導(dǎo)電柱,由第二焊盤區(qū)電性引出且凸出于印刷電路板表面;砷化鎵基射頻功率芯片及對砷化鎵基射頻功率芯片扇出封裝的...
          • 本申請?zhí)峁┮环N通信方法、裝置、系統(tǒng)以及存儲介質(zhì)。在該方法中,網(wǎng)絡(luò)數(shù)據(jù)分析網(wǎng)元接收來自K個用戶面網(wǎng)元的第一消息,K個用戶面網(wǎng)元中第一用戶面源的第一消息攜帶第一業(yè)務(wù)在第一傳輸路徑上的質(zhì)量信息,該第一傳輸路徑用于實(shí)現(xiàn)第一用戶面網(wǎng)元到第一CDN節(jié)點(diǎn)...
          • 本發(fā)明公開了一種基于時空特征融合的視頻插幀重建方法及系統(tǒng),方法包括:將視頻數(shù)據(jù)集劃分為訓(xùn)練集和測試集;對時間和空間兩個維度的復(fù)雜區(qū)域進(jìn)行特征恢復(fù)得到重建特征;通過級聯(lián)的多流估計單元以從粗到細(xì)的策略估計多個細(xì)粒度的光流;通過光流扭曲單元的多個...
          • 本發(fā)明涉及一種傳感器的封裝轉(zhuǎn)化方法,屬于傳感器封裝技術(shù)領(lǐng)域,本發(fā)明通過構(gòu)建測試環(huán)境,并基于測試環(huán)境,獲取不同測試環(huán)境之下當(dāng)前封裝材料的物理特性數(shù)據(jù),根據(jù)不同測試環(huán)境之下當(dāng)前封裝材料的物理特性數(shù)據(jù)構(gòu)建傳感器性能預(yù)測模型,基于傳感器性能預(yù)測模型...
          • 一種可在OpenHarmoney部署的邊緣設(shè)備管理系統(tǒng),其中:設(shè)備接入模塊,用于通過多種通信協(xié)議實(shí)現(xiàn)對不同類型邊緣設(shè)備的接入;設(shè)備管理模塊,用于對所述接入的邊緣設(shè)備提供遠(yuǎn)程監(jiān)控、配置管理、固件升級功能,實(shí)現(xiàn)對設(shè)備生命周期的全面管理;數(shù)據(jù)處理...
          • 本發(fā)明公開一種基于移動目標(biāo)防御的數(shù)字檔案微服務(wù)系統(tǒng),包括:數(shù)字檔案工作流生成器,根據(jù)提交的申請自動化設(shè)計出滿足用戶需求的工作流模型;微服務(wù)應(yīng)用集合,存儲數(shù)字檔案管理全流程對應(yīng)的微服務(wù)應(yīng)用集合;異構(gòu)運(yùn)行資源池,存儲多樣化操作系統(tǒng)對應(yīng)的虛擬機(jī);...
          • 本發(fā)明公開了一種基于自相關(guān)分布的滿足相同差分分布表的S盒構(gòu)造方法及系統(tǒng),用以提高S盒抵抗差分分析的能力。基于自相關(guān)分布的滿足相同差分分布表的S盒構(gòu)造方法,包括:構(gòu)建n元平衡布爾函數(shù)集;計算所述n元平衡布爾函數(shù)集中每個平衡函數(shù)的自相關(guān)分布,通...
          • 本申請涉及無線通信技術(shù)領(lǐng)域,特別涉及一種近場測試結(jié)果的糾偏方法、裝置、電子設(shè)備及存儲介質(zhì),其中,方法包括:確定以測試裝置中心為球心的第一近場球面,并確定以實(shí)際相位中心為球心的第二近場球面;獲取第一近場球面的近場測試數(shù)據(jù),并將第一近場球面的近...
          • 本申請公開了一種開關(guān)電路和用于開關(guān)電路的控制電路,開關(guān)電路包括高邊開關(guān)和低邊開關(guān),控制電路包括第一晶體管,第二晶體管,電容,第三晶體管,第四晶體管和第五晶體管,其中第一晶體管的第一端和第二晶體管的第一端接收輸入電壓,第三晶體管的第一端耦接于...
          • 本本發(fā)明公開了一種Ku波段的片上小尺寸LC帶通濾波器,其電路拓?fù)溆扇壖壜?lián)π型微波網(wǎng)絡(luò)單元構(gòu)成。具體包括:第一塊區(qū)π型微波網(wǎng)絡(luò)M1、第二塊區(qū)微波網(wǎng)絡(luò)M2和第三塊區(qū)π型微波網(wǎng)絡(luò)M3;所述的M1和M3關(guān)于M2鏡像對稱且M1、M2和M3以級聯(lián)形式...
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